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时间:2019-06-03
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1、ESDESDESDElectroStaticDischargeProtectionDevicesElectroStaticDischargeProtectionDevicesElectroStaticDischargeProtectionDevices静电放电保护元件1.结构专用于静电放电保护的过压保护器件,存在分立式和阵列式两种,内部主要是有TVS的阵列构成。2.特点专用于ESD防护的限压型过压保护器反应速度小于0.5ns;导通击穿电压低;体积小,集成度高,可以同时保护多条数据线路;一般电压规格有2.8V、3.3V、5V、12V、15V
2、、24V、36V;电容值低,可达0..4pF,是理想的数据线保护器材;漏电流低,一般在几个µA甚至更低;封装多样化有SOT-323SOT-23SOT-143SOT-353SOT-363SOT23-6LSOT23-6LSOIC-08SOIC-16SOD-923SOD-723SOD-523SOD-323SOD-123。ESDU-I特性曲线3.技术参数PPPM(PeakPulsePower额定脉冲峰值功率):可施加的不引起ESD器件失效的脉冲峰值功率最大值。VRWM(ReverseStand-offVoltage截止电压):ESD元件无明显动作
3、的最大电压VBR(BreakdownVoltage击穿电压):在规定的脉冲直流电流IBR或接近发生雪崩的电流条件下,ESD浅见两端的电压IBR(BreakdownCurrent击穿电流):测试VBR大小的脉冲直流电流。VC(MaximumClampingVoltage钳位电压):施加规定波形的脉冲峰值电流IPP时,ESD器件两端测得的峰值电压IR(ReverseLeakage漏电流):在截止电压VRWM下,流过ESD器件I/O口的电流。CJ(TypicalCapacitance典型电容值):ESD端口间的极间电容值。4.命名方式SET23
4、A05L02S:表示电容为标准型,电容值大于30pF(L:电容值大于5pF,小于30pF)(U:电容值小于5pF)E:表示功率,用A,B,C,D…依次表示小于100W,200W,300W,400W…;T23:表示封装为SOT-23;A:表示为单向保护(C表示双向);05:表示截止电压为5V;L02:表示对地保护线路数。5.封装类型T32SOT-323T23SOT-23T14SOT-143T35SOT-353T36SOT-363T25SOT23-5LT26SOT23-6LS08SOIC-08S14SOIC-14S16SOIC-16D92SO
5、D-923D72SOD-723D52SOD-523D32SOD-323D12SOD-1236.应用专用于静电放电保护的限压型过压保护器件,可以用在各种电子产品,集成电路,对低能量的浪涌也有一定的保护作用。4路ESD用于千兆网卡的保护7.选型规则1.截止电压要大于线路上的最大正常工作电压;2.最大箝位电压要低于被保护器件的最大安全电压;3.高频电路中,电容值大小不要影响线路正常工作;4.瞬态功率要大于外界有可能出现的最大异常瞬态功率;5.封装大小是否适合于线路的设计与安装原则
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