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时间:2019-07-27
《第6讲 外设应用之EMIF篇》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、第六讲DSP外设之外部存储器接口(EMIF)内容概述各存储器间的对比EMIF与存储器间的接口C55xEMIFC55xEMIFCSL函数分析C55xEMIF例程分析一、概述外部存储器接口的用途为DSP芯片与众多外部设备之间提供一种连接方式,EMIF最常见的用途就是同时连接FLASH和SDRAM。EMIF性能优良,跟外部SDRAM和异步器件连接时,具有很大的方便性和灵活性。根据DSP器件的不同,EMIF数据总线可以是32位或16位的。外部存储器接口(EMIF),ExternalMemoryInterface,是TMSDSP器件上的一种接口。一般来说,EMIF可实现DSP与不同类型存储器(SR
2、AM、FlashRAM、DDR-RAM等)的连接。一般EMIF与FPGA相连,从而使FPGA平台充当一个协同处理器、高速数据处理器或高速数据传输接口。SRAMvsDRAMSRAM是StaticRandomAccessMemory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。“静态”是指只要不掉电,存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与DRAM不同,DRAM需要进行周期性的刷新操作。同时,我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和FlashMemory相混淆,因为SRAM是一种易失性存储器,它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。“随机访问”是指存储器的内容
3、可以任意顺序访问,而不管前一次访问的是哪一个位置。DRAM是DynamicRAM的缩写,中文含义为动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据。而且是行列地址复用的,许多都有页模式。SDRAM:SynchronousDRAM,即数据的读写需要时钟来同步。一个是静态的,一个是动态的,静态的是用的双稳态触发器来保存信息,而动态的是用电子,要不时的刷新来保持。DRAM容量大,SRAM容量小SDRAM的结构Flash-ROM(闪存)已经成为了目前最成功、流行的一种固态内存,与EEPROM相比具有读写速度快,而与SRAM相比具有非易失、以及价廉等优势。而基于NOR和NAND结构的闪存是现在市场
4、上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NORflash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年东芝公司发表了NANDflash技术(后将该技术无偿转让给韩国Samsung公司),强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。FLASHROMNOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecuteInPlace),这样应用程序可以直接在闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND结构能提供极高的单元密
5、度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快,这也是为何所有的U盘都使用NAND闪存做为存储介质的原因。应用NAND的困难在于闪存和需要特殊的系统接口。NANDflash和NORflash的对比性能比较闪存是非易失内存,可以对称为块的内存单元块进行擦写和再编程。任何闪存器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32
6、KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。接口差别NOR闪存带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND闪存使用复杂的I/O口来串行地存取资料,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的闪存就可以取代硬盘或其它块设备。NANDflash和NORflash的对比容量和成本NAND闪存的单元尺寸几乎是NOR闪存的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。NOR闪存容量
7、为1~16MB,而NAND闪存只是用在8MB以上的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于资料存储,NAND在CompactFlash、SecureDigital、PCCards和MMC存储卡市场上所占份额最大。NANDflash和NORflash的对比可靠性和耐用性寿命(耐用性):在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。位交换:位反转的问题更多见于NAND闪存,如果用来存
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