太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究-朱笑东

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1、太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究硅材料国家重点实验室报告人：朱笑东内容引言实验与讨论结论引言铁沾污对太阳电池效率的影响J.Schmidt,Prog.Photovolt:Res.Appl.2005;13:325–331铁沾污的来源生长过程中引入原料晶体生长过程的沾污化学引入工艺过程切片硅片夹持……不锈钢设备----主要的沾污来源铁在硅中的性质E.R.Weber,Appl.Phys.A:Mater.Sci.Process.30(1983)1.铁在硅中的固溶度铁在硅中的扩散系数铁在硅中的存在形态：间隙态铁铁沉淀铁的复合物铁在硅中的电学性质W.Wijaranakula,J.El

2、ectrochem,Soc.,Vol.140,275(1993)Fei:Ev+0.39eVFeB:Ev+0.1eV间隙铁与硼的反应⇌200oC热处理/光照避光Fei+BsFeB[Fei]=3.4×1013（1/τbefore−1/τafter）cm-3间隙铁的测量实验与讨论样品：p型（100）晶向无位错单晶p型（100）晶向有位错单晶,位错密度为105cm-2；P型铸造多晶硅引铁：浸入Fe(NO3)3溶液，700—1000ºC进行热处理沉淀：500ºC保温90min。寿命测试：μ-PCD（semilab，WT-2000）铁沾污对单晶硅少子寿命的影响1寿命减少百分比铁沾污对单

3、晶硅少子寿命的影响2铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响1铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响2铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响3吸杂效果[Fe]~1013cm－3变温吸杂处理900℃/0.5h＋700℃/1.5h[Fe]~1013cm－3总结随着引入铁浓度的增加，寿命逐渐下降；间隙铁倾向于在位错出聚集，降低了硅片复合活性；磷吸杂能有效消除铁沾污的影响，但是位错阻碍了磷吸杂的效果。谢谢！