北大微电子复试题目

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1、北大微电子考研复试题库集锦1、mos管的电流方程及推导，跨导2、有个运放的反馈电路，很基础3、mos电路中对速度的影响因素及改进方法4、分析一个逻辑门电路的逻辑功能，5、半导体的能带图分析6、pn结的用途7、给出一个输入信号和时钟信号的波形，画三个不同的触发器，锁存器输出波形，有D触发器等8、MIS结构能带分析（n衬底掺p型材料后能带图变化）9、1024*1024存储器结构，行地址列地址，存储电容...10、用mos管搭建电路，实现一个简单的逻辑功能11、初级元胞的一些概念12、pmos，nmos的c-v特性曲线

2、13、源漏串联电阻对mos管特性曲线的影响14、cmos反相器传输特性曲线不对称的原因15、衬偏电压对mos器件特性的影响16、几个反相器构成的振荡器分析17、反相器链如何增加延时18、cmos传输门分析19、存储器单元分析20、按比例缩小所带来的一些效应，解释原因21、画出锁存器、触发器的逻辑电路图，时序图22、两个MOS管串联，在其中一个的漏端（NMOS）（或PMOS源端）施加电压时分析两个MOS管所处的工作区23、PN结的能带图，形成过程，pn结的电流公式，有关因素对其的影响（如温度等）24、平带电容公式，

3、与哪些因素有关，实际中有哪些应用25、给出功能要求画一个译码器电路26、给出波形画出电路27、半导体：为什么引入有效质量，如何测量？有无负有效质量？28、器件：CMOS源漏加串连电阻会对电路有什么影响？那个电阻对电路影响大？29、CMOS：一个反相器版图，有什么问题？设计步骤？先进的CMOS工艺有哪些？30、半导体：强场下，电子漂移速度饱和，为什么31、器件：衬底偏压对mos器件的作用。在给定的一张Vg－Id图上画出加上负衬底偏压和正衬底偏压后的曲线。32、一个电路，先看出功能。其实是pmos逻辑是/(AB＋C）

4、，nmos是常导通的，问怎样设计参数才能正常工作。33、用传输门画一个组合逻辑~~还一个给了几个元素，问其中那些是半导体~~34、画出栅控二极管的能带图和电势图（横向和纵向）35、画出一个电路的输出波形（纯电子线路问题）36、肖特基二极管比一般二极管的优点37、倒格子，什么动量弛豫，金刚石的布里渊区38、施主二重能级的含义是什么？电离能大小关系？例子？39、MOS1024*1024存储器结构？地址数？采用与非门译码逻辑，地址缓冲器和行地址码器的负载电容是多少？40、关于短沟器件的转移特性曲线随Vds的变换问题，~

5、41、mos结构中，如果氧化层和硅表面存在正的界面陷阱电荷，那么高频cv曲线与理想的cv曲线有什么不同？42、定义双极管共发射集增益？有哪些影响因素？如果通过新材料（禁带材料）改善？43、给出一个电路的版图，画出沿aa',bb'的剖面图，并画出此版图对应的电路，分析其功能44、解释欧姆接触，产生欧姆接触的方法，然后被追问Al和硅会形成什么接触，既然不能直接形成欧姆接触，为什么集成电路中可以用Al做布线。支支吾吾了一分钟，然后被提示是在硅中重掺杂45、一个二输入或非门，在其中一个输入端加了两个串联着的反相器。给出了

6、输入两端各自的波形，然后问考虑（反相器）延迟和不考虑延迟时的输出波形46、栅控二极管的横向和纵向能带图，电势图。（横向就是画栅和衬底的MIS能带图，纵向就是画源漏和衬底的PN结能带图）47、单电子器件的原理以及单电子MOS和当今流行MOS区别48、二维电子气含义和运用49、si和GaAs禁带宽度，以及二者能带区别。si为什么不能作微波材料50、一堆与非门，或非门，连起来，分析逻辑功能。51、画一个d触发器，说明时序或真值表，说明时间参数等52、为什么强场下电子的速度v趋于恒定53、说明什么是费米能级，画出突变PN

7、结的能带图，无偏置的和正偏的。54、画出MOS的IV特性曲线，并加以说明。55、说明如何设计一个全加器，如何提高它的工作速度。56、假设有一nMOS结构，其金属功函数为Φm，半导体功函数为Φs，且Φm>Φs，画出其低频C-V曲线，并说明如何确定平带电压。如果增大该MOS结构的衬底掺杂浓度Na，其C-V曲线将发生怎样的变化？57、现有以下两个结构，除沟道长度外其余参数完全相同，比较这两个结构的I-V特性曲线（设MOS管为长沟器件，不考虑短沟效应和沟长调制效应）58、半导体：什么是欧姆接触，怎样实现欧姆接触，然后偏衬

8、效应的影响59、器件：什么是短沟道效应，短沟道效应的影响，怎样提高阈值电压60、电路：为什么要有等比例缩小规则，栅与源空或漏空间距离变小有什么影响，栅伸出有源区较小有什么影响61、掺杂半导体电阻率、迁移率随温度的变化62、给一个NMOS传输门组成的逻辑电路图，问能不能实现A+B+C逻辑功能，为什么？不能的话怎么改进？63、给四个MOS管的沟道宽、长尺寸，说出四个管子的不同