模拟电子技术清华大学1

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1、电子技术前进绪论模拟部分数字部分（点击进入有关部分）电子技术退出绪论返回电子技术发展简史电子技术的应用电子技术课程安排前进退出I.电子技术发展史电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了深刻变革。自1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。返回前进I.电

2、子技术发展史电子技术的出现和应用，使人类进入了高新技术时代。电子技术诞生的历史虽短，但深入的领域却是最深最广，它不仅是现代化社会的重要标志，而且成为人类探索宇宙宏观世界和微观世界的物质技术基础。电子技术是在通信技术发展的基础上诞生的。随着新型电子材料的发现，电子器件发生了深刻变革。1906年第一支电子器件发明以来，世界电子技术经历了电子管、晶体管和集成电路等重要发展阶段。1.原始通信方式——人力、烽火台等2.横木通信机——1791年（法）C.Chappe3.有线电报——1837年（美）S.B.Morse4.有线电话—

3、—1875年（苏）A.G.Bell5.无线电收发报机——1895年（意）G.Marconi通信业务蓬勃发展——电子器件产生之后。一.通信技术的发展电子器件是按照“电子管——晶体管——集成电路”的顺序，逐步发展起来的。二.电子器件的产生电子管晶体管集成电路1.真空电子管的发明：真空二极管——1904年（美）Fleming真空三极管——1906年（美）LeedeForest2.晶体管的产生晶体管Transistor——1947（美）Shockley、Bardeen、Brattain集成电路IC(integratecirc

4、uit)——1959（美）Kilby、Noyis二.电子器件的产生3.集成电路的出现集成电路的出现，标志着人类进入了微电子时代。自电子器件出现至今，电子技术已经应用到了社会的各个领域。II.电子技术的应用返回前进II.电子技术的应用1875年（苏）1906年（美）1925年（美、英）1946年（美）1923年（瑞）1902年（美）1901年（美）1934年（俄）Internet互联网1990年（美）1992年（中）VCD1983年（美）1961年（美）III.课程安排一.内容划分模拟部分器件：二极管、三极管、场效应管

5、放大器：基本放大器、反馈放大器差动放大器、功率放大器集成电路：集成运算放大器电源：交流电源（振荡器）、直流电源（稳压电源）无线电：无线电知识、收音机数字部分逻辑代数无线电：无线电知识、收音机逻辑门电路：基本门、复合门组合逻辑电路：编码器、译码器、选择器比较器、加法器脉冲：脉冲变换、脉冲产生返回前进二.时间安排学习时间——1学年上半年：模拟部分下半年：数字部分三.学习注意事项课程特点电路图多、内容分散、误差较大计算简单、实用性强学习方法掌握电路的构成原则、记住几个典型电路及时总结及练习、掌握近似原则、与实验有机结合第一

6、编模拟部分返回第一章半导体器件第二章基本放大电路第三章放大电路的频率特性第四章集成运算放大器第五章负反馈放大器第六章信号运算电路第七章波形发生电路第八章功率放大电路第九章直流电源前进退出第一章半导体器件半导体材料、由半导体构成的PN结、二极管结构特性、三极管结构特性及场效应管结构特性。本章主要内容：返回前进1.1半导体（Semiconductor）导电特性根据导电性质把物质分为导体、绝缘体、半导体三大类。而半导体又分为本征半导体、杂质（掺杂）半导体两种。1.1.1本征半导体纯净的、不含杂质的半导体。常用的半导体材料有

7、两种：硅（Si）、锗（Ge）。硅Si（锗Ge）的原子结构如下：这种结构的原子利用共价键构成了本征半导体结构。但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。但在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发），呈现导体的性质。这种稳定的结构使得本征半导体常温下不能导电，呈现绝缘体性质。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。在外界激励下，产生电子—空穴对（本征激发）。空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。在外界激励

8、下，产生电子—空穴对（本征激发）。空穴也可移动（邻近电子的依次填充）。半导体内部存在两种载流子（可导电的自由电荷）：电子（负电荷）、空穴（正电荷）。在本征半导体中，本征激发产生了电子—空穴对，同时存在电子—空穴对的复合。电子浓度=空穴浓度ni=pi1.1.2杂质半导体在本征半导体中掺入少量的其他特定元素（称为杂质）而形成的半导体。根据掺入杂质的