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时间:2019-07-10
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1、6、PN结具有单向导电性,即PN结正向偏置时,反向偏置时。5、PN结正向偏置时,反向偏置时,即PN结具有。1.在杂质半导体中多子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。2.在杂质半导体中少子的数量与(a.掺杂浓度、b.温度)有关。3.当温度升高时,少子的数量(a.减少、b.不变、c.增多)。4.在外加电压的作用下,P型半导体中的电流主要是,N型半导体中的电流主要是。(a.电子电流、b.空穴电流)baabc7、图示电路中二极管的工作情况()(A)D1、D2均截止(B)D1、D2均导通(C)D1截止、D2导通(D)
2、D1导通、D2截止12VRD1D28、图示电路中二极管的工作情况为()(A)D1、D2均截止(D)D1、D2均导通(C)D1截止、D2导通(D)D1导通、D2截止6V12V9.电路如图所示,已知ui=5sinωt(V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出uO的波形,并标出幅值。+uO10、稳压管电路如图所示,稳压管的稳压值,正向导通电压,图示电路输出电压为()。(b)(c)(d)(a)11.稳压管的稳压区是工作在。(a)正向导通(b)反向截止(c)反向击穿12、晶体管的主要特性是具有()。(a)单向导电性(b
3、)电流放大作用(c)稳压作用13、已知一晶体管在时,测得当从变为时,从变到,这个晶体管的动态电流放大系数=。14、晶体三极管的输出特性曲线可分为,和三个区域。15、测得某放大电路中三极管三个极的电位分别为-6V、-2V、-1.4V,说明该三极管为()(a)NPN硅管(b)PNP硅管(c)NPN锗管(d)PNP锗管16、测得某放大电路中三极管三个极的电位分别为9V、2V、1.8V,说明该三极管为()(a)NPN硅管(b)PNP硅(c)NPN锗管(d)PNP锗管123I1I2I317、在某放大电路中,三极管三个电极
4、的电流如图所示。已知,I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA,由此可知:(1)电极1是()极,电极2是()极,电极3是()极。(2)此三极管的电流放大系数β约为()。(3)此三极管的类型为()型。123I1I2I318、在某放大电路中,三极管三个电极的电流如图所示。已知,I1=-1.2mA,I2=-0.03mA,I3=1.23mA,由此可知:(1)电极1是(C)极,电极2是(B)极,电极3是(E)极。(2)此三极管的电流放大系数β约为(40)。(3)此三极管的类型为(PNP)型。19、如图
5、所示为各型号三极管的各电极对地电压数据,试判断下列各问:(a)是()型()管,工作在()状态。(b)是()型()管,工作在()状态。(c)是()型()管,工作在()状态。(A)硅(B)锗(C)NPN(D)PNP(E)放大(F)截止(G)饱和3.5V-6V3.5V2.7V2.3V2V-8.5V-3V-7.8VTTT(a)(b)(c)分析:1、若三极管工作于放大状态有:NPN:VC>VBVE;PNP:VEVB>VC。2、VBE=0.6V左右的是硅管;VBE=0.2V左右的是锗管。3、若由电位值判断出三极管处于导
6、通状态,但VBE>>0.6~0.7V,则三极管已经损坏。3.5V-6V3.5V2.7V2.3V2V-8.5V-3V-7.8VTTT(a)(b)(c)20、如图所示为各型号三极管的各电极对地电压数据,试判断下列各问:(a)是(D)型(B)管,工作在(F)状态。(b)是(C)型(A)管,工作在(G)状态。(c)是(C)型(A)管,工作在(E)状态。(A)硅(B)锗(C)NPN(D)PNP(E)放大(F)截止(G)饱和3.5V-6V3.5V2.7V2.3V2V-8.5V-3V-7.8VTTT(a)(b)(c)21、有
7、两个晶体管分别连接在电路中,今测得它们管脚的电位(对地)分别是。管脚123晶体管Ⅰ电位/V43.49晶体管Ⅱ电位/V-6-2.3-2试判别管子的管脚,并说明是硅管还是锗管?是NPN还是PNP?21、有两个晶体管分别连接在电路中,今测得它们管脚的电位(对地)分别是。管脚123晶体管Ⅰ电位/V43.49晶体管Ⅱ电位/V-6-2.3-2试判别管子的管脚,并说明是硅管还是锗管?是NPN还是PNP?[分析]:晶体管处于放大状态,发射结必须正向偏置,集电结反向偏置。从电位的角度来理解。对于NPN:VC>VBVE;PNP:
8、VEVB>VC。VBE=0.6V左右的是硅管;VBE=0.2V左右的是锗管。3、有两个晶体管分别连接在电路中,今测得它们管脚的电位(对地)分别是。管脚123晶体管Ⅰ电位/V43.49晶体管Ⅱ电位/V-6-2.3-21)按电位的高低从大到小进行排序。中间电位为BJT的B极;晶体管Ⅰ:9V>4V>3.4V,电位为4V对应的1管脚为BJT的B极。晶体管Ⅱ:-2V>-2.3V>-6V电位为-
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