二极管与三极管

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1、二极管和三极管二极管和三极管二极管和三极管一、单选题：9．射极输出器的输出阻抗（），故常用在输出极。A：较高B：低C：不高不低D：很高10．二极管半波整流时负载两端的直流电压等于（）。A：0.75U2B：U2C：0.45U2D：0.9U212．射极输出器的电压放大倍数约等于（）。A：80--100B：1C：<50D：20．在放大电路中，为了稳定输出电流，应引入（）。A：电压负反馈B：电压正反馈C：电流负反馈D：电流正反馈22．在三极管放大电路中，为了增强带负载的能力应采用（）放大电路。A：共发射极B：共基极C：共集电

2、极D：共阴极24．已知放大电路中三个管脚对地的电位是（1）0V；（2）0.7V；（3）6V，则该三极管是（）型。A：NPNB：PNPC：硅管D：锗管25．放大器采用射极偏置改善工作点偏离的是（）。A：电流正反馈B：电流负反馈C：电压正反馈D：电压负反馈33．晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置，晶体三极管处于（）工作状态。A：放大B：截止C：饱和D：开路34．晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为（）。A：饱和B：截止C：放大D：导通39．晶体三极管处于放大工作状态，测得集电极电位为6V，基极

3、电位0.7V，发射极接地，则该三极管为（）型。A：NPNB：PNPC：ND：P41．共发射极放大器，集电极电阻RC的作用是（）。A：实现电流放大B：晶体管电流放大转变速器成电压放大C：电流放大与电压放大D：稳定工作点二、多选题：4．多级放大器极间耦合形式是（）。A：二极管B：电阻C：阻容D：变压器E：直接23．已知放大电路中三极管三个管脚对地电位是（1）0V，（2）0.7V，（3）6V。该三极各管脚对应的电场是（）。A：（1）是基极B：（2）是基极C：（1）是发射极D：（3）是集电极E：（3）是发射极24．三极管的极

4、限参数主要有（）。A：集电极最大允许电流ICMB：集—射极击穿电压（基极开路）UCEOC：集电极—基极反向饱和电流ICBOD：穿透电流ICEOE：集电极最大允许耗散功率PCN25．放大电路的三种组态是（）。A：共发射极放大B：共集电极放大C：饱和D：截止E：共基极放大27．三极管的三种工作状态是（）。A：开路B：放大C：截止D：短路E：饱和30．放大电路的三种组态是（）。A：低频放大器B：共集极放大器C：共基极放大器D：多极放大器E：共发射极放大器三、判断题：3．当三极管的发射结和集电结都处于正偏状态时，三极管一定工

5、作在饱和区。（）4．晶体三极管放大器，为了消除温度变化的影响，一般采用固定偏置电路。（）16．射极输出器不仅能作电压放大器，主要是为了增加输入阻抗，减低输出阻抗。晶闸管和可控硅一、单选题：13．晶闸管的控制角越大，则输出电压（）。A：越高B：移相位C：越低D：越大26．可控硅的正向阻断是（）。A：可控硅加小向阳极电压，控制极加反向电压B：可控大地加厂向阳极电压，控制极不加反向电压C：可控硅加反向阳极电压，控制极加正向电压D：可控硅加反向阳极电压，控制极加反向电压28．单相半波可控硅整流电路，决定控制角的元件是（）。A

6、：U2B：U2/2C：U20.45U230．单相桥式半控整流电路，通过改变控制角，负载电压可在（）之间连续可调。A：0~0.45U2B：0~0.9U2C：0~U2D：0~2.34U232．可控硅导通条件是()。A：阳极与阴极加正向电压，控制极与阳极加反向电压B：阳极与阴极加正向电压，控制极与阴极加正向电压C：阳极与阴极加反向电压，控制极与阳极加反向电压D：阳极与阳极加反向电压，控制极与阴极加正向电压37．可控硅有（）PN结组成。A：1个B：2个C：3个D：4个二、多选题：11．晶闸管导通条件是（）。A：阳极与阴极之间

7、加正向电压B：阳极与阴极之间加反向电压C：控制极与阴极之间加正向电压D：控制极与阴极之间加反向电压E：阳极与控制极间加正向电压16．关断晶闸管的方法有（）。A：切断控制极电压B：断开阳极电源C：降低正向阳极电压D：给阳极加反向电压E：减少控制极电流28．晶闸管的阻断作用有（）。A：正向阻断B：反向阻断C：正向偏置D：反向偏置E：门极偏置三、判断题：5．可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅也无法导通。（）9．晶闸管控制角越大电压则越高。（）11．晶闸管的导通条件是晶闸管加正向电压门极

8、加反向电压。（）12．晶闸管具有正反向阻断能力。（）17．晶闸管触发电路的脉冲前沿要陡，前沿上升时间不超过100μs。（）18．单结晶体管具有一个发射极、一个基极、一个集电极。（）19．单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时，晶体管就导通。（）