期末复习题目总结1

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1、光电技术综合习题解答一、选择最适当的填入括号中（只填写其中之一的符号）①在光电倍增管中，产生光电效应的是（A）。A．阴极B．阳极C．二次发射极D．光窗②光电二极管的工作条件是（C）。A．加热B．加正向偏压C．加反向偏压D．零偏压③在光电倍增管变换电路中，要想获得理想的信噪比（压低噪声），较小的暗电流，适应的灵敏度和较高的稳定度，可以适当地（B）。A．增加末三级并联电容的容量B．降压电源电压C．减小末级倍增极与阳极间的电压D．增加阴极与第一倍增极间的电阻阻值④硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大

2、。A．开路B．自偏置C．零伏偏置D．反向偏置⑤硅光电池在（B）情况下有最大的功率输出。A．开路B．自偏置C．零伏偏置D．反向偏置⑥辐射通量，光通量，发光强度，光照度的单位分别为（A）。(A)瓦特，流明，坎德拉，勒克司(B)瓦特，坎德拉，勒克司，流明(C)流明，瓦特，瓦特每球面度，瓦特每平方米(D)流明，瓦特，勒克司，坎德拉⑦在入射光辐射下，半导体的电导率增加的现象属于（C）。(A)外光电效应(B)光热效应(C)光电导效应(D)光生伏特效应③在光电倍增管变换电路中，要想获得理想的信噪比（压低噪声），较小的暗电流，适应的灵敏度和较高的稳定

3、度，可以适当地（B）。A．增加末三级并联电容的容量B．降压电源电压C．减小末级倍增极与阳极间的电压D．增加阴极与第一倍增极间的电阻阻值④硅光电池在（D）偏置时，其光电流与入射辐射通量有良好的线性关系，且动态范围较大。A．开路B．自偏置C．零伏偏置D．反向偏置⑤硅光电池在（B）情况下有最大的功率输出。A．开路B．自偏置C．零伏偏置D．反向偏置二填空题1描述光电探测器光电转化能力的是量子效率。2任何物质，只要温度高于绝对零度，都具有发射辐射的能力。3利用温差热效应制成的红外探测器为热电偶。4热释电探测器只能适用于交变光信号的探测和局里温度

4、以下。5CCD的基本功能为电荷存储和电荷转移。6光电技术最基本的理论是光的波粒二象性。7光伏器件有光伏工作模式和光导工作模式两种工作模式。三简答题1光子探测器与热探测器的区别。分别列举三种以上常见光探测器以及热探测器。2辐射度量与光度量的区别是什么。一句话回答。3光电发射器件与内光电器件的区别。4光电导器件与光生伏特器件的区别。5光电系统一般都是围绕光电探测器的性能进行设计的。由你目前的学习，回答光电探测器的性能参数有哪些。6热辐射探测器通常分哪两个阶段。补充：热释电探测器的原理什么是塞贝克效应什么是汤姆逊效应热敏电阻的分类以及应用三

5、简答题7光电倍增管由哪几部分组成。补充：光电倍增管的短波限和长波限分别由什么决定？电子光学系统的作用。光电倍增管的倍增极有哪几种结构？各有什么特点。光电倍增管的暗电流有哪些，阴极接地或者阳极接地哪种暗电流更小？8写出硅光电二极管的全电流方程，说明各项的物理意义。9光生伏特器件有几种偏置电路？补充：PIN光电二极管和雪崩光电二极管分别是为了提高光电二极管的什么性能参数？10黑体的定义，简述一种黑体模型的制作方法。11光调制的目的是什么？有哪些方法。12为什么光照度增加到一定强度以后，光电池的开路电压不再随光强增大13光电系统由哪些部分构

6、成，简述每部分的作用。第一章第1题、在距离标准钨丝灯2m远处放置一个照度计探头，已知探头的光敏面积为0.5cm2，若照度计测得的最大照度为100(lx)，试求1、标准钨丝灯在该方向的发光强度为多少？2、钨丝灯所发出总的光通量为多少？解：首先计算光电探头对标准钨丝灯所张的立体角再计算光电探头所接收的光通量φv=EvS=100×0.5cm2=5.0×10-3(lm)因而可以计算出灯在该方向上的发光强度IvIv=φv/Ω=5.0×10-3/1.25×10-5=400(cd)标准钨丝灯在整个球面空间各向同性发光，因此，灯所发出的光通量为第一章

7、第2题、某输出功率为6mW的氦氖激光器，发出波长为0.6328μm的光束，均匀地投射到0.8cm2的白色屏幕上。已知屏幕的反射系数为0.96，设光速C=3108m/s，普朗克常数h=6.62610-34j·s，氦氖激光的视见函数V(6328)=0.268，试求：（1）幕的光照度为多少lx？（2）幕的反射出射度为多少lx？（3）幕每秒钟接收多少个光子？解：先将氦氖激光器输出单色辐射的辐射功率转换为光通量φvφv=KmV(λ)φe=683×0.268×6×10-3=1.098(lm)白色屏幕上的光照度应为Ev=φv/S=1.098/0

8、.8×10-4=1.37×104(lx)幕的反射光照度为Evr=rEv=0.96×1.37×104=1.32×104(lx)幕每秒钟接收的光子为（个/秒）第一章第3题、今测得某液态金属辐射体的光谱辐射峰值波长λm=0.7