《谱图概况》PPT课件

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1、4、谱图概况(1)能级用Enlj表示j为内量子数（或总角动量量子数）旋-轨偶合j=l＋sAlK能量不足以激发出第一层电子高结合能处的台阶是由于光电子的非弹性碰撞所致低结合能处的背景主要由Bremss-trahlung辐射产生(2)元素的特征峰和峰的强度Ni2p1/2、2p3/2最强特征峰也称该元素的主峰双峰由j=l+s导致，反映了光发射后留下的未配对电子的自旋及轨道角动量的矢量的“平行”和“反平行”特点双峰间的强度比取决于各自的简并度（2j＋1）一般说(a)n小的壳层的峰比n大的壳层的峰强(b)同一壳层内，l越大峰越强；l越小峰越弱(c)对于两个自旋分裂峰，自旋和轨道角动量同

2、方向的(j=l+1/2)比反方向的(j=l-1/2)峰强元素的最强特征峰可从手册查得，很少有重叠，是定性分析的根据(3)峰宽峰宽E一般定义为半峰宽，FWHM(fullwidthathalfmaximum)E=(En2+Ep2+Ea2)1/2En：thenaturalorinherentwidthofthecorelevelEp：thewidthofthephotonsourceEa：theanalyserresolution一般小于2eVX-raysatellitesandghosts（卫星峰和鬼峰）Multipletsplitting（多重裂分）Shak

3、e-upandshake-off（振激和振离）Energyloss（能量损失峰）Augerelectron（俄歇电子）(4)Secondarystructure（二级结构）X-raysatellitesandghostsSatellites来源：StandardX-raysourcesarenotmonochromatic除Bremsstrahlungradiation和K1,2主线，还可能有其他副线K1,2：2p3/2,1/21sK：valenceband1sK3,4：transitioninamultiplyionizedatomGhosts来源：ex

4、citationsarisingfromimpurityelementsintheX-raysourceAlK1,2fromaMgKsourcealuminumwindowproduceweakghostpeaks233.0eVtohigherKECuLoldordamagedtargets,exposedcopperbasepeaksappearat323.9eV（556.9eV)tolowerKEofMgK1,2(AlK1,2)Multipletsplitting谱线的多重裂分发生在具有自旋的原子，如价带上有不成对的电子。电子从这些原子的芯能级发射出去后，能

5、以两种或多种方式产生空穴，留下的这个新的不成对的电子的自旋能以多种方式和其他不成对的电子产生耦合，使形成的终态的数目大于1，相应于每个终态有一谱线。这就形成了谱线的多重裂分Shake-upandshake-offsatellites在光电子发射过程中，并不是简单地产生一个光电子和一个处于基态的离子。由于一个电子被发射出来，原子自洽场突然发生变化，这时最外壳层的电子就可能被激发到更高的空带中去，使离子处于比基态高几个eV的激发态(shake-up)，也可能使电子激发到连续能级上(shake-off)。实际上这时已经电离了在上述情况下，发射出的光电子动能要减少，从而使主峰左边（高

6、结合能侧）出现伴峰Cerium3dsignalfromCeO2Energylosspeak光电子和表面之间有相互作用，有些光电子要损失一定的能量而出现能量损失峰金属样品中由于等离子激元激发而变得反而突出Al2s出现一系列因等离子激元激发而产生的光电子能量损失峰，它们的间距约15.3eV。b点是激发表面等离子体的能量损失峰。绝缘体中的光电子损失峰比金属弱AugerelectronX射线也会使原子受激而产生空穴，然后出现Auger退激过程hAuger电子5、绝缘体荷电效应光电子不断从表面发射，造成表面电子“亏空”，对金属样品，通过传导来补偿。对绝缘体，会在表面带正电，使结合能

7、升高校正方法：（1）C1s谱线为284.6eV，若C1s峰在286eV，则由于荷电效应所有峰都位移－1.4eV。若荷电效应在实验过程中不稳定，则实验前后各扫一次C1s谱，取平均值（2）记录下所研究的谱线后，在表面蒸上痕量Au，测Au4f7/2谱线，标准83.1eV，则可推出谱线位移位置（3）样品尽量薄，增加漏电，减少荷电效应（4）罩上金属网或盖上一金属片，中间开一个孔，直径比X射线光斑略大，以改善表面导电情况（5）在样品附近装一“中和”电子枪（是一根热电子发射灯丝），以减少或清除荷电效应6、