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1、DRAM芯片的发展态势江凌DRAM芯片在半导体产业中占有极其重要的地位,它不但市场份额大,而且技术更新换代快,是最具有代表性的集成电路产品。近两年来,尽管DRAM市场供过于求,产品过剩,价格呈急跌趋势,但是,它仍是半导体产业的中流砥柱,是半导体产业的驱动力量,引导着半导体产业的新技术革命蓬勃发展。自70年代出现1K集成度的芯片以来,DRAM以平均每三年产品集成度翻两番的速度增长,起着半导体精细加工技术的先导作用。尤其是进入90年代后,DRAM芯片的发展速度更快。1997年,16MbDRAM芯片成为全球存储器芯片的主流产品。随着半导体加工技术向深亚微米级的发展,其制造工艺技术已转向0.3
2、5μm以下,晶片的批量生产由6英寸向8英寸转移。预计,近两年DRAM市场可望开始复苏,达到供求平衡,甚至出现供不应求的局面。近年来,为了确保全球DRAM市场能持续、高速增长,世界主要生产DRAM芯片的公司纷纷投入人力和物力,采取了积极有效的措施。例如,调整产品计划,加强和充实64Mb芯片的生产线建设,促使64Mb芯片大量上市,使产量超过16Mb的产量,而成为存储器市场的主流产品。据有关方面预测,在2000年之前,全世界将建立及投产百余条0.35μm～0.25μm和8英寸晶片的64MbDRAM批量生产线,2000年前后可能提高到0.18μm工艺技术和12英寸晶片,同时批量生产256Mb和
3、1GbDRAM芯片。4GbDRAM芯片将于2005年前后投放市场,64GbDRAM可望在2010年面市。下一世纪DRAM芯片仍将起到带动半导体产业向前发展的先导作用。韩国成为全球最大供应商韩国在开发和批量生产DRAM芯片方面已走在世界的前列。尤其是近两年来,韩国加快了在美国、欧洲、亚洲等地建设64Mb/256MbDRAM生产线的速度,以使其64MbDRAM芯片目前占全球30%以上的市场份额。韩国三星电子公司是世界上最早开发和批量生产64MbDRAM芯片的公司之一,它比原计划提前半年从16Mb向64Mb转移。1996年底,该公司的64MbDRAM芯片月产量达到50万片。去年,他们又开始批
4、量生产128Mb同步DRAM(SRAM)芯片,这种芯片采用0.23μm工艺技术制作,芯片大小与64Mb一样,因此,可以在目前的系统设计中采用。去年,该公司还宣布已将其新一代256MbDRAM的样片交给世界上最大的7家PC制造商,并在今年初开始批量生产这种芯片。韩国LG半导体公司与日本日立公司合作于1997年在马来西亚建成了64MbDRAM生产线,并在英国建设64Mb/256MbDRAM生产线,计划今年竣工。韩国现代电子公司在美国建设的64Mb/256MbDRAM生产线于去年底竣工。1996年,韩国三星电子公司独家开发成功1GbDRAM样片。据说这种芯片内含10.74亿个基本单元,存储量
5、为256Mb的4倍以上。该公司预计,到2005年,1GbDRAM芯片将得到广泛应用。这种芯片在处理文字、动画和声音等方面的功能均有显著增强,它的应用将使微型电脑和便携式信息终端在小型化和高性能方面登上一个台阶。日本在千兆位级芯片中领先NEC、日立、东芝、富士通等一些大的半导体厂家目前都纷纷加速向64MbDRAM芯片的转移,以期获得较大的利润。例如,NEC公司投资1000亿日元充实8英寸晶片0.25μm工艺生产线;富士通投资400亿日元提高64MbDRAM的月产量;三菱公司投资250亿日元增加64Mb的生产能力等。此外,为了争夺下一世纪初DRAM芯片的市场,这些公司均投入了大量的人力和资
6、金,开发千兆位级DRAM芯片。1996年,这些公司就和美国、韩国的半导体公司联合投资成立了半导体技术研究中心,研究下一代12英寸晶片的制造技术,并于1997年建成了试验生产线,为2000年后生产1GbDRAM芯片做准备。试验初期,日本厂商投资了50亿日元,成为联合开发千兆位级DRAM芯片的核心,处于领先地位。NEC公司在去年底前大幅度增产64MbDRAM芯片,月产量由500万片增加到1000万片。该公司于去年4月推出了128MbDRAM样片,之后,开始投入批量生产,年底时产量达到60万片。在ISSCC(国际固态电路会议)上,NEC公司公布了采用0.15μm工艺技术开发成功的4GbDRA
7、M样片,片上集成度达到44亿个元件的高水平,存储量可与CD-ROM相匹敌。这标志着半导体存储器技术又登上了新的台阶。日立公司去年1月率先推出128MbDRAM芯片。为了研制1GbDRAM芯片,该公司于1992年由其中央研究所着手进行开发工作,1997年宣布在实验室开发出样片。这种样片采用了三维器件结构方式和0.1μm工艺技术,预计2000年可望投入批量生产。到那时,可以说半导体存储器芯片迎来了千兆位级时代。富士通公司正在努力开发多种先进的存储器
