晶体管知识介绍

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1、晶极管知识培训刘德强晶体管定义：晶体管是一种固体半导体器件，常用于放大电路和开关电路。分类：按功能分类●双极性晶体管（BJT），俗称为三极管。●场效应晶体管（FET），俗称为MOS管。按封装方式分为插件(THT)式和贴片式(SMD)。THTSMD第一章:三极管三极管定义：三极管是采用一定制造工艺，在同一块半导体材料上制作具有不同掺杂类型和浓度的三个区，形成两个PN结，引出三个电极的电流控制型半导体器件，具有基极(b)、集电极(c)、发射极(e)三个电极。作用：电流放大。无触点开关。按结构类型

2、分类NPN型NPNPNPPNP型三极管PNP型与NPN型三极管的区别PNP图片NPN图片图形符号中箭头朝内图形符号中箭头朝外基极电流的方向是向外流出基极电流的方向是向内流出三极管中电流由发射极流入三极管中电流由发射极流出三极管中电流由集电极流出三极管中电流由集电极流入一般认为NPN型管为硅管一般认为PNP型管为锗管三极管的特性参数三极管的主要特性参数1.电流放大系数（β）：表示三极管放大能力的参数，由制造材料决定，I=βI.Cb2.反向电流，包括集电极-基极间的反向饱和电流Icbo、集电极-发射极间的

3、反向击穿电流Iceo、发射极-基极间的反向电流Iebo.Icbo，是指发射极开路（Ie=0）时，集电极-基极间加上规定的反向电压Ucb后，流过集电极的反向电流，在室温下为常数。Iceo,又称为漏电流，是指基极开路（Ib=0)时，集电极和发射极间加上规定的反向电压Uce时的集电极反向电流，此电流值越小，三极管的性能越好。Iebo，是指集电极（Ic=0）开路时,在发射极和基极间加上规定的反向电压时发射极的电流。3.反向基穿电压（BUceo和BUcbo)BUceo，是指基极开路时，集电极与发射极间的反向击

4、穿电压。BUcbo，是指发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。三极管的特性参数三极管的主要特性参数4.特征频率（ƒ)，三极管的工作频率高到一定程度时，电流放大倍数β就会下降，T当β=1时的频率就是特征频率，当三极管的工作频率超过特征频率后，将会失去放大能力。5.极限参数，包括集电极最大允许电流（I)和集电极最大允许耗散功率（P).cmcmIcm，是指集电极允许通过的最大电流，当集电极电流Ic增加到某一数值，导致β值下降到额定值的2/3或1/2时的Ic值。当三极管的集电极电流Ic超过Icm时，其β

5、值等参数将明显变化，虽然三极管不致损坏，但性能会受到显著影响。Pcm，是指保证三极管正常工作情况下集电极所允许消耗的最大功率，三极管在使用时，如果实际功耗超过Pcm值，三极管就会因过载而损坏。三极管的基本接法NPN型三极管的三种基本接法（a).共发射极（b).共集电极（c)共基极三极管的输入特性NPN型三极管共发射极输入特性曲线及说明1.在u≥1V的条件下，CE当uBEUBE

6、(on)时，随着uBE的增大，iB开始按指数规律增加，而后近似按直线上升。2.当u=0时，三极管相当于两个并联的二极管，所以CEbe间加正向电压时，i很大，对应的曲线明显左移。B3.当u在0-1V之间时，随着u的增加，曲线会右移。CECE特别在0UU>U发

7、射结正偏，集电结反偏BEBE(on)CEBE饱和区U>UU≤U发射结正偏，集电结正偏BEBE(on)CEBE截止区U≤UU>U发射结反偏，集电结反偏BEBE(on)CEBE备注：当U=U时，称为临界饱和状态。CEBEUCEUBE三极管的举例PULS产品常用的三极管举例型号参数外形图片V：80V、V：60V、V：7VFMMT491CBOCEOEBOI：2A、P：500mW.CMCMV：80V、V：65V、V：6VBC846CBOCEOEBOI：200mA、P：330mW.CMCMV：60V、V：40V、V：6V

8、PMBT3904CBOCEOEBOI：200mA、P：250mW.CMCM第二章:MOS管MOS管定义：MOS管是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的一种电压控制型器件，是只依靠一种载流子导电的晶体管，它具有三个电极：栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。工作原理：利用改变栅源电压V，来改变导电沟道的宽度和高度，从而改变沟道电阻，最GS终达到对漏极电流I的控制作用。D如下V与I的特性曲线可知