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时间:2018-11-16
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1、晶体管放大器一.晶体管的基本类型集电极(c)发射极(e)基极(b)NPN发射极(e)集电极(c)发射极(e)基极(b)PNP基极(b)集电极(c)负离子,不能移动正离子,不能移动电子,负电荷,能移动空穴,正电荷,能移动PN结势垒电场外加电场电子流NNPcbe二.晶体管的工作特性(以NPN硅管为例)IB=40μAIB=80μAIB=120μAIB=160μAIB=200μAIB=240μAIB=280μAIB=320μAIC(mA)Uce(V)840.34212△IC=1mA8△IB=40μA2β=△IC÷△IB=25I
2、EICIBcbe222IB=40μAIB=40μAIB=40μAIB=40μAIB=40μAIB=40μAIB=40μAIB=40μA21.Ube<0.7V,Uce>0V:截止状态,三极管起开关断开作用2.Ube≥0.7V,Uce>0.3V:放大状态,IC=β*IB,三极管起电流线性放大作用3.Ube≥0.7V,0V<Uce<0.3V:变阻状态,一般不会用到4.Ube≥0.7V,Uce=0.3V:饱和状态,IC<β*IB,三极管起开关导通作用**三极管作开关管使用时,一般要求,截止状态:Ube≤0V导通状态:β*IB=
3、(5-10)IC**放大倍数β,与IC有关,在IC中间段,近似为常数,IC很小或很大时,β都会明显变小;同一型号,各个三极管的β也不同。IEIBcbeVcViVc三.直流电流放大电路VcIEIBcbeViICIEIBcbeVi图3电流放大----电压放大图2电流放大----作阻抗变换图1电流放大----作为开关用图1:IB=(Vi-Vbe)/RbIC=(Vc-Vce-VLED)/Rc其中Vbe=0.7V;Vce=0.3V图2:IB=(Vi-Vbe)/ReVe=Vi-Vbe图3:电压增益=-Rc/Re(注意工作点的设定)
4、四.交流放大电路IEIBcbeVcViRcRb1Rb2VoRe1Re2直流偏置电路:1.预先给基极加入一个合适的直流电压,与输入交流信号跌加,保证在电压最低点,基极仍为正偏2.设定合适的集电极“中点”电压,使交流输出不被消波。3.保证工作点的相对稳定4.保证电压增益相对稳定五.三极管的主要参数β:三极管的放大倍数,是集电极电流对基极电流的比值(给定集电极电流)Vceo:三极管集电极和发射极之间可承受的最高电压(基极开路)Vcbo:三极管集电极和基极之间可承受的最高反向电压Vebo:三极管发射极和基极之间可承受的最高反向
5、电压ICM:三极管集电极最大允许电流(连续电流脉冲电流)PCM:三极管最大允许功率P≈Vce*Ic(与芯片面积和封装有关)fT:截止工作频率VceIc0六.三极管的测试和识别(后续)
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