大功率LED多芯片集成封装的热分析

大功率LED多芯片集成封装的热分析

ID:39521931

大小:343.56 KB

页数:5页

时间:2019-07-05

大功率LED多芯片集成封装的热分析_第1页
大功率LED多芯片集成封装的热分析_第2页
大功率LED多芯片集成封装的热分析_第3页
大功率LED多芯片集成封装的热分析_第4页
大功率LED多芯片集成封装的热分析_第5页
资源描述:

《大功率LED多芯片集成封装的热分析》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、SEMICoNDUCToR0PT0ELECTR0NICSVo1.32No.3June2011大功率LED多芯片集成封装的热分析蚁泽纯,熊旺,王力,刘立林,张佰君,昊(中山大学光电材料与技术国家重点实验室,广州510275)摘要:随着高亮度白光LED在室内、室外照明领域的应用,多芯片LED的集成封装方式是其发展的主要趋势之一,而热问题却是多芯片LED集成封装的瓶颈问题之一。建立了多芯片LED集成封装的等效热路模型,并采用有限元分析(FEA)的方法对多芯片LED集成封装的稳态热场分布进行了分析,同时通过制作实际样品研究大功率

2、LED多芯片集成封装的热阻、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光LED结温随着集成芯片数量的增加成线性增长,芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大,而其发光效率随着集成芯片数量的增加成线性减小。关键词:多芯片LED;等效热路;热阻;封装;有限元分析中图分类号:TN312.8文献标识码:A文章编号:1001—5868(2011)03—0320-05ThermalAnalysisofMulti—chipPackageofHighPowerLEDsYIZechun,XIoNGWang,WANGL

3、i,LIULilin,ZHANGBaijun,WUHao(StateKeyLaboratoryofOptoeleetronicMaterialsandTechnology,SunYat-senUniversity,Guangzhou510275,CHN)Abstract:Withtheapplicationofhigh—brightnessLEDinindoorandoutdoorlighting,multi—chippackageisoneofthemostpromisingdevelopmenttrends.Howe

4、ver,theheatinfluenceisstilltheb吴ottleneckproblemwhichrestrictsthedevelopmentofmulti—chippackage.Inthispaper,combiningtheequivalentthermalresistancenetworkmodelofmulti—chipLEDpackage,thesteadystateheatdistributionofmulti—chipLEDpackagewassimulatedbyusingthefinitee

5、lementanalysis(FEA)method.Atthemeantime,amulti—chipLEDsamplewasdesignedandpackaged.TheresultsindicatethatthejunctiontemperatureandthethermalresistanceofthechipfromPNjunctiontotheboardincreasewhiletheluminousefficiencydecreaseslinearlywiththenumberofworkingLED‘chi

6、ps.Keywords:multi—chipLED;equivalentthermalresistancenetwork;thermalresistance;package;finiteelementanalysis(FEA)0引言目前单颗大功率白光LED的发光效率在实验室水平已达到200lm/W以上,100im/W的白光LEDLED以其体积小、寿命长、亮度高等优点,在过也已进入商业化。但是单颗大功率LED难以满足去的10多年间得到迅猛发展,已经在指示照明、装照明的需要。因此,将大功率LED多芯片集成以实饰照明、背光源等

7、领域得到广泛应用,并且已经逐渐现高功率、高亮度、高光通量的封装方式,是LED发应用到普通照明,是最具前景的新一代照明光源。展的趋势之一_2]。收稿日期:2O1O一11—29.目前技术水平下的LED,若散热效果不佳,所基金项目:广东省重大科技专项(2008A010700004);珠海市产生的热量不断积累,导致LED的结温升高,严重产学研合作专项(PC20082O27).影响LED的发光效率以及光色稳定性,同时引起荧·320·《半导体光电》2O11年6月第32卷第3期蚁泽纯等:大功率LED多芯片集成封装的热分析光粉等封装材料

8、的老化,进而导致LED的工作寿命Q—hALX7’(2)缩短以及可靠性下降]。当LED多芯片集成封装式中,h为对流散热系数,A为散热面积,△T为散热时,由于热量聚集,使LED的发光性能受热量的影面与的流体温度差,若将对流热阻定义为响尤其严重。A.Christensen等人通过有限元分析R。。一AT/Q一1/hA(3)的

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。