多芯片阵列组合白光led封装研究

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1、多芯片阵列组合白光LED封装研究多芯片阵列组合白光LED封装研究.txt男人偷腥时的智商仅次于爱因斯坦。美丽让男人停下，智慧让男人留下。任何东西都不能以健康做交换。本文由ruizhi134贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。第１０卷，２期　第Ｖｏ１１０．电子与封装　，ＮＯ　　２ＥＬＥＣＴＲ０ＮＩＣＳ＆ＰＡＣＫＡＧＩＮＧ　总第８２期　２１００年２月　封装、一　　组　装与测ｌ试　　ｌ　多芯片阵列组合白光ＬＤ封装研究　　Ｅ黄春英，王晓军　（东技术师范学院机电学院，广州５０３　广１６５）摘　要：文章阐述了ＬＤ器件的发光原理和芯

2、片电极结构，围绕白光ＨＢ．Ｅ的封装工艺，设计　ＥＬＤ单个大功率芯片封装结构并对整个封装工艺进行研究，提出了多芯片阵列组合封装的创新理念，　将其应用于多芯片阵列封装模块中。得出ＨＬＤ封装中关键技术问题是提高外量子效率，采用高　Ｂ－Ｅ折射率硅胶减少折射率物理屏障带来的光子损失；采用高热导率的材料，减少由于封装工艺的缺　陷带来的界面热阻。　关键词：多芯片；白光ＬＤ；封装　Ｅ中图分类号：Ｔ３２８Ｎ１．　文献标识码：Ａ　文章编号：１８—００（００２００—４６１１７２１）０—０７０　Ｍｕｌ—ｈｐＡｒａ　ｍｂｎａｏ　ｈｔ　ｇｔｉｔｃｉ　ｒｙＣｏｉｔｎＷｉｅＬｉｈ　ｉＬＥＤ　ａ　ｅｅｒ

3、ｈＳｅｌｓａｃ　ＲＨＡＧＣｕ－ｉｇＷＡ　ｉ￣ｎＵＮ　ｈｎｙｎ，ＮＧＸａｕ　ｏ（ｃａｉｌｎ　ｌｔｎｃｐｒｎ　ｕｎｄｎ　ｃｎｌｇ　Ｍｅｈｎｃ　ｄＥｅｒｉＤｅａｔｔｆＧａｇｏｇＴｈｏｏｙａａｃｏ　ｍｅｏｅＮｒａ　ｏｌｅＧｎｚｏ　１６５Ｃｉ）ｏｍｌｌｇ，ａｇｈｕ５０３，ｈｎ　ＣｅａＡｂｔａｔＴｈ　ｌｓｒｃ：ｅｉｌｉａｉｎｐｉｉｌ　ｎ　ｈ　ｈｐｅｅｔｏｅｓｒｔｒ　ｆｔｅＬＥＤ　ｏｍｐｎｅｔ１　ｌｂｏａｅ．ｕｍｎｔｏ　ｒｎｃｐｅａｄｔｅｃｉ　ｌｃｒｄ　ｔｕｃｕｅｏ　　ｈｃｏｎ　Ｓｅａｒｔｄ　Ｒｅｅｒｈｎ　ｎｔ　ｅｉｎｏ　ｅｌｔｃｕｒ　ｆｓｎｇｅｈｉｈｅｃｅｃ　ｈｉ　ｎ　ｅｅｉ　ｅｌ

4、ｒｆｆｒｔｅｗｈｔ　ｓａｃｉｇｏ　ｄｓｇ　ｆｓａ　ｒｔｅｏ　ｉｌ　ｇ　ｆｉｎｙｃｐａｄｔ　ｎｔｅｓａ　ａｔｏ　ｈ　ｉｈｅｓｕｉｈｒｃ　ｅｌｈ　ｉｔｇＨＢ—ＥＤ　ｅｌｒｆ，ｈｅｉｎｖｔｎｉｅ　ｆｈ　ｕｔｃｉ　ｒａ　ｏｂｎｔｏ　ｅｌｓｐｏｏｅ　ｎ　ｓｄｉ　ｅＬｓａ　ａｔ　ｎｏａｉ　ａｏｔｅｍｌｉｈｐａｒｙｃｍｉａｉｎｓａ　　ｒｐｓｄａｄｕｅ　ｔ　ｃｔｏｄ—ｉｎｈｍｕｔｃｉ　ｒａ　ｅｌｏｕｅＴｈ　ｙｔｃｎｏｙｉ　ｅＨＢ—ｌｉｈｐａｒｙｓａ　ｄｌ．ｅｋｅ　ｅｈｏｌｇ　ｔ　—ｍｎｈＬＥＤ　ｅｌｓｔ　ｎａｃ　ｅｑａｔｍ　ｆｃｅｃ，ｓ　ｓａ　　ｅｈｎｅｔ　ｕｎｉｏｈｕｅｉｉｎｙｕｅｔ

5、ｅｓｌｃ　ｅ　ｔ　ｉｈｒｆａｔｅｉｄｘｔ　ｅｕｅｔｅｐｏｏ　ｏｓｙｔｅｈｇ　ｅａｔｖ　ｎｅ　ｈｓｃ　ｒｉｒｕｅｈ　ｉａｇｌｈｈｇ　ｒｃｉ　ｅ　ｏｒｄｃ　　ｈｔｎｌｓ　　　ｉｈｒｆｃｉｅｉｄｘｐｙｉｓｉｗｉｅｖｎｈｂｈｒｂａｒｅ；ｓ　ｔｅｈｇ　ｈｒａ　ｏｕｔｎｅｍａｅｉｌｏｒｄｃ　ｈ　ｈｒａ　ｅｉｔｎｅｏｔｅｃｎａｔｕｆｃ　ｙｓａ　ａ．ｈ　ｉｈｔｅｍｌｎｄｃａｃ　ｔｒａ　　ｅｕｅｔｅｔｅｍｌｓｓａｃ　ｆｈ　ｏｔｃ　ｒａｅｂ　ｅｌｗ　ｃｔｒｓｌｆＫｅ　ｒ：ｕｔｃｐ；ｉｅｌｈ　ＥＤ；ｅｌｙｗｏｄｓｍｌ－ｈｉｓｗｈｔ　ｉｔｉｇＬｓａ　化产品１０ｍ，Ｒ２１ａ为７－０目前国内外制作

6、方法是　５８。１引言　　半导体照明高功率白光ＬＥＤ器件采用ＩＧａｎＮ　（）／ＡＧ荧光粉将芯片倒装结构，提高发光效率　蓝Ｙ和散热效果。荧光粉涂覆技术的改进，可将色均匀　先将ＬＤ芯片放置在导线结构中用金（ｕＥＡ）线焊接，　然后在芯片周围涂敷ＹＡＧ荧光粉，然后用环氧树脂　封接，树脂既起到保护芯片作用又起到聚光棱镜作　用。从ＬＤ芯片发射出的光射到周围的荧光粉层内　Ｅ经多次散乱的反射、吸收，最后向外部发射出光，　性提高１０倍。实验证明，电流和温度的增加使ＬＤＥ　ＬＤ的光谱线的峰值在４５ｍ处，Ｅ６ｎ半值宽为３ｎ是　０ｍ，光谱有些蓝移和红移，但对荧光光谱影响并不大。　寿命实验结果也较

7、好，　５白光ＬＤ在工作１万　的Ｅ．２小时后，光输出下降８％，０而这种Ｌｘｏ的功率ＬＤｕｅｎＥ　最高效率达到４．１Ｗ。４ｍ?。３，最高光通量为１７ｍ，产业　　１８非常尖锐的蓝色光谱，由蓝色光激发黄色光的Ｙ　ＡＧ荧光粉层（峰值为５５ｍ）５ｎ，最终到达外部的光为蓝　黄二色光，根据补色关系，两色相加混色后即得到　可见的白色大功率照明级ＬＤ器件。Ｅ　收稿日期：０８１—１２０—２２　．７．　第１卷第２　　０期电子与封装　胶的导热性能、热稳定性等方面远远比不上焊料，　２单芯片白光ＬＤ结构　Ｅ目前Ｈ．ＥＢＬＤ白光ＬＤ器件芯片可由不同材料制　Ｅ作而成，从热