多芯片阵列组合白光led封装研究

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1、多芯片阵列组合白光LED封装研究多芯片阵列组合白光LED封装研究.txt男人偷腥时的智商仅次于爱因斯坦。美丽让男人停下,智慧让男人留下。任何东西都不能以健康做交换。本文由ruizhi134贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。第10卷,2期 第Vo110.电子与封装 ,NO  2ELECTR0NICS&PACKAGING 总第82期 2100年2月 封装、一  组 装与测l试  l 多芯片阵列组合白光LD封装研究  E黄春英,王晓军 (东技术师范学院机电学院,广州503 

2、广165)摘 要:文章阐述了LD器件的发光原理和芯片电极结构,围绕白光HB.E的封装工艺,设计 ELD单个大功率芯片封装结构并对整个封装工艺进行研究,提出了多芯片阵列组合封装的创新理念, 将其应用于多芯片阵列封装模块中。得出HLD封装中关键技术问题是提高外量子效率,采用高 B-E折射率硅胶减少折射率物理屏障带来的光子损失;采用高热导率的材料,减少由于封装工艺的缺 陷带来的界面热阻。 关键词:多芯片;白光LD;封装 E中图分类号:T328N1. 文献标识码:A 文章编号:18—00(00200—4611721)0—070 

3、Mul—hpAra mbnao ht gtitci ryCoitnWieLih iLED a eerhSelsac RHAGCu-igWA i ̄nUN hnyn,NGXau o(cailn ltncprn undn cnlg Mehnc dEeriDeattfGagogThooyaaco meoeNra oleGnzo 165Ci)omllg,aghu503,hn CeaAbtatTh lsrc:eiliainpiil n h hpeetoesrtr fteLED ompnet1 lboae.umnto rncpeadt

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6、sa a.h ihtemlndcac tra  euetetemlssac fh otc raeb elw ctrslfKe r:utcp;ielh ED;elywodsml-hiswht itigLsa 化产品10m,R21a为7-0目前国内外制作方法是 58。1引言  半导体照明高功率白光LED器件采用IGanN ()/AG荧光粉将芯片倒装结构,提高发光效率 蓝Y和散热效果。荧光粉涂覆技术的改进,可将色均匀 先将LD芯片放置在导线结构中用金(uEA)线焊接, 然后在芯片周围涂敷YAG荧光粉,然后用环氧树脂 封接,树脂

7、既起到保护芯片作用又起到聚光棱镜作 用。从LD芯片发射出的光射到周围的荧光粉层内 E经多次散乱的反射、吸收,最后向外部发射出光, 性提高10倍。实验证明,电流和温度的增加使LDE LD的光谱线的峰值在45m处,E6n半值宽为3n是 0m,光谱有些蓝移和红移,但对荧光光谱影响并不大。 寿命实验结果也较好, 5白光LD在工作1万 的E.2小时后,光输出下降8%,0而这种Lxo的功率LDuenE 最高效率达到4.1W。4m?。3,最高光通量为17m,产业  18非常尖锐的蓝色光谱,由蓝色光激发黄色光的Y AG荧光粉层(峰值为5

8、5m)5n,最终到达外部的光为蓝 黄二色光,根据补色关系,两色相加混色后即得到 可见的白色大功率照明级LD器件。E 收稿日期:081—120—22 .7. 第1卷第2  0期电子与封装 胶的导热性能、热稳定性等方面远远比不上焊料, 2单芯片白光LD结构 E目前H.EBLD白光LD器件芯片可由不同材料制 E作而成,从热

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