开关电源可靠度测试规范

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1、可靠度测试规范可靠度测试规范ReliabilityTestSpecification编号No.WI7308修订日期AmendmentDate版本VersionV.01页次Page3发行日期ReleaseDate90.11.121.5温度Derating率NO组件名称温度判定标准备注１电阻电阻最高耐温之８０﹪２电容电容最高耐温减５℃３半导体1.SchottyDiode取Tj之９０﹪2.其它半导体（晶体管MOSFET取Tj之８０﹪）热暴走高温短路测试Ta:55℃　Load:100﹪Ta:65℃Load:70﹪Input:85V/265V时（Tj*80﹪）+5℃为判定基础４基板1.FR-4:11

2、5℃2.CEM-3:110℃3.CEM-1:100℃4.XPC-FR:100℃5.判定：PCB最大耐温减１０℃与基板板厚无关５变压器（含电感）绝缘区分：A种　　Ｅ种　Ｂ种标准温度：　105℃120℃130℃热偶式　：90℃105℃110℃Abnormal:150℃165℃175℃WI4201-02A可靠度测试规范ReliabilityTestSpecification编号No.WI7308修订日期AmendmentDate版本VersionV.01页次Page４发行日期ReleaseDate90.11.12WI4201-02AINPUTSOURCE待測物溫度記錄器負載2Componentt

3、emperaturerise组件温度上升：2.1目的：确保待测物之可靠度，确认各组件均在温度规格内使用。2.2适用：所有机种适用。2.3测试条件：a.输入电压：规格范围之最小、额定、最大。b.负载：规格范围之最大。c.输出电压：额定。d.周围温度：常温。e.接线图：2.4测试方法：a.依测试条件设定，当温度达到热平衡后，以热电偶测定组件温度，基板上之元件焊点需测量温度。b.参考温度Derating计算出最大温升规格值△t.(i.e.DeratingCurve在100%Load100%下最高至50℃，则以附表ＡDerating率之温度减去50得100%之LOAD下之△t.；60℃时，Dera

4、ting率为70%，则减去60得到70%之△t.)实际负载在100%时依减50℃之△t.为规格值。c.组件之选择以R-1温度分布测得之发热较多组件做测定。d.组件实际温升不能超过计算得出之△t.。可靠度测试规范ReliabilityTestSpecification编号No.WI7308修订日期AmendmentDate版本VersionV.01页次Page５发行日期ReleaseDate90.11.12WI4201-02AINPUTSOURCE待測物SCOPE負載3.Partsderating组件余裕度：3.1目的：确保待测物之可靠度，确认组件实际使用时能在绝对最大额定下之Deratin

5、g率范围内。3.2适用：所有机种适用。3.3测试条件：a.测试待测物在下列条件下一次测和二次测主回路波形（电流波形和电压波形）１．定额输入和输出２．低压起动３．短路开机４．开机后短路５．满载关机（不做记录）b.各回路波形和组件耐压请参考「组件Derating」c.接线图：可靠度测试规范ReliabilityTestSpecification编号No.WI7308修订日期AmendmentDate版本VersionV.01页次Page６发行日期ReleaseDate90.11.12WI4201-02A3.4组件DeratingSurge：I2tNO组件名称温度判定标准备注１电阻80﹪电阻最高

6、耐压之90﹪Surge取耐压之95﹪２电容电容最高耐压之85﹪（AC输入电容取耐压之95﹪）Ripple电流取100﹪钽质电容取耐压之80﹪３二极管（Diode）VRMVRSMISFMSurgeSCR80﹪95﹪90﹪90﹪TRIAC80﹪95﹪90﹪90﹪Bridge-Diode80﹪95﹪90﹪90﹪Diode80﹪95﹪90﹪90﹪ScottyDiode90﹪95﹪90﹪90﹪ZenerDiode90﹪90﹪LED80﹪95﹪90﹪90﹪４晶体管MOSFETVDSS/VCE:取规格之95﹪VGSS/VBE:取规格之95﹪ID/IC　:取规格之95﹪IB　　:取规格之95﹪５Fuse取

7、额定电流之70﹪Surge:65﹪可靠度测试规范ReliabilityTestSpecification编号No.WI7308修订日期AmendmentDate版本VersionV.01页次Page7发行日期ReleaseDate90.11.12WI4201-02A恒溫槽INPUTSOURCE待測物溫度記錄器負載電流電壓4.Thermalrunaway热暴走：4.1　目的：确认过负载、出力短路下，保护之余裕度。4.2　适