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时间:2019-07-02
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1、《仪器分析》课程第五章伏安与极谱分析(二)厦门大学精品课程仪器分析(含实验)二、影响扩散电流的主要因素1.被测物质的浓度id=kcc↑id↑但汞滴滴落时间若过短(<2s),则扩散电流与浓度不成线性关系(由于下滴速度过快而搅动溶液,使电流增大),最合适的汞滴下落时间为3~6秒=t时(t:滴汞落下时间t=max)则imax=708nD1/2m2/31/6c扩散电流随的增大而增大至汞滴落下时为最大,在实际应用中应该测量在汞滴落下时间内的平均扩散电流。平均极限扩散电流id=1/t0tdt=607nD1/2m2/3t1/6c(25℃)尤考维奇
2、方程id=kc=6/7×imax测量峰高的方法测量峰高的方法2.毛细管特性(m2/3t1/6,毛细管常数)id∝m2/3t1/6影响m,t的因素均会引起扩散电流的变化,如汞柱高度和滴汞电极电位等。汞柱高度的影响:由于汞流速与汞柱压力p成正比,m=kp,而滴落时间则与汞柱压力p成反比t=k2/pm2/3t1/6=(k21/6k12/3)/p1/2id∝m2/3t1/6∴id∝p1/2∝h1/2实验结果表明,汞柱高度提高1cm,扩散电流增加2%温度的影响扩散电流方程式id=607nD1/2m2/3t1/6c中,除反应电子转移数n以外,其余各项都是
3、温度的函数,室温下,扩散电流的温度系数约为1.3%/℃,实验中要求控温在正负0.5以内。三、极谱分析中的干扰电流(一)残余电流:电解电流和充电电流在外加电压未到达被测物质的分解电压,仍有微小的电流通过电解池,一般为10-1A1.电解电流,易于在DME上还原的微量杂质如O2,Cu2+,Fe3+等,量值很小,通常可通过除O2,纯化试剂等手段减小。2.充电电流,引起残余电流的主要原因。在KCl溶液中,经研究表明滴汞的表面电荷,表面引力与施加电压有如下关系。当E<-0.56V时汞滴表面带正电荷,E=-0.56V,滴汞不带电荷,而E>-0.56V时,滴
4、汞表面带负电荷。(1)当P、A相触,DME与SCE短路,DME与SCE具有相同的正电位,滴汞表面带正电荷(结合表面电荷与电压关系图说明)汞滴表面排斥溶液中的正离子,吸引负离子,形成双电层,相当于一个电容器。如果汞滴面积不变,在汞滴双电层上充以相当的电荷密度而使其具有甘汞电极的电位时,充电就停止。电容电流很快趋向零。但由于汞滴不断下落,面积在不断变化,为保持一定的电荷密度,使之与SCE具有相同的正电位,必须不断地向汞滴双电层充电,所以产生了连续不断的电容电流。只有当P在C点时(KCl溶液E=-0.56V)时,汞滴不带电荷,故不存在双电层,电容电流
5、为零。当P继续向B移动至接触,外加电压向汞滴充电,汞滴表面带负电荷,不产生电容电流。为解决充电电流问题,促使新极谱方法的提出,如方波、脉冲等。(二)迁移电流由于电极时被分析离子的静电吸引力,而使更多的离子趋向电极表面,并在电极上还原所产生的电流。电荷的移动形成电流!消除:通过加入大量惰性电解质如KCl,KNO3,NH4Cl等。一般C惰性>50~100C分析(三)极谱极大1.现象:被测物在滴汞电极上还原或氧化时,随外加电压的增加在极谱波的前部电流急剧增大到一极大值,随后有降到正常的扩散电流数值。2.原因:与毛细管有关毛细管末端对电极屏蔽作用滴汞电
6、极表面极化不均匀,汞滴上部屏蔽作用大→汞滴下部电流密度>上部→汞滴下部电位<上部→表面张力差异→汞滴表面切向对流→加速电极表面传质过程产生极大3.结果:与被测物质浓度间无简单的关系,影响扩散电流和半波电位的准确测量,应以消除。4.消除:使用表面活性剂,减少由于屏蔽效应引起的汞滴表面张力的改变,常用的有明胶、聚乙烯醇、动物胶,曲通X—100等,称极大抑制剂。动物胶用量对Pb2+扩散电流影响(四)氧电流1.产生:溶解在溶液中O2被还原,有两个极谱波第一波:O2+2H++2eH2O2(pH≤7)O2+2H2O+3eH2O2+2OH—(pH>7)
7、第二波:2H++H2O2+2eH2O(pH≤7)H2O2+2e2OH—(pH>7)第一波半波电位约—0.2V(vs.SCE)第二波半波电位约—0.9V(vs.SCE)室温中空气饱和溶液中含氧约8ppm(2.510—4M)氧的极谱图1.空气饱和0.05mol/lKCl溶液2.溶液中+0.02%动物胶3.2中通N2除O22.2.消除:①通惰性气体,常用N2②pH≥7溶液中用Na2S2O3③pH<7通N2,强酸中用Na2CO3或Fe粉(五)其他干扰元素:1.共存物重叠干扰,如两物质ΔE1/2<0.2V,不易分辨,使用分离及络合手段why?2.前
8、放电物质干扰,虽然ΔE1/2>0.25V,但Δc>10倍。仍然产生干扰。3.氢放电,在酸性溶液中H+在DME析出电位约为-1.2—-1.4V产生很大电
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