华工网络教育模拟电子随堂练习和答案

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1、第1章常用半导体器件1.N型半导体的多数载流子是电子.因此它应()。A.带负电B.带正电C.不带电答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：2.将PN结加适当的反向电压.则空间电荷区将()。A.变窄B.变宽C.不变答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：3.二极管的死区电压随环境温度的升高而()。A.增大B.不变C.减小答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：4.电路如图所示.设全部二极管均为理想元件.当输入电压ui=10sintV时.输出电压最大值为10V的电路是(　　　　)。答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：5.电路如

2、图所示.D1.D2均为理想二极管.设U1=10V.ui=40sinωtV,则输出电压uO应为()。A.最大值为40V.最小值为0VB.最大值为40V.最小值为+10VC.最大值为10V.最小值为－40VD.最大值为10V.最小值为0V答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：D问题解析：6.稳压管的动态电阻rZ是指(　　　　)。A.稳定电压与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：7.在放大电路中的晶体管.其电位最高的一个电极是()。A.PNP管的集电极B.PNP

3、管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V.VB=-1.4V.VC=5V.则该管类型为()。A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A第2章基本放大电路1.如果改变晶体管基极电压的极性.使发射结由正偏导通改为反偏.则集电极电流()。A.反向B.近似等于零C.不变D.增大答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：2.晶体管处于饱和状态时.集电结和发射结的偏置情况为()。A.发射结反偏.集电

4、结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：3.晶体管的电流放大系数是指(　　　　)。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于(　　　　)。A.B.C.答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：5.某电路如下图所示.晶体管集电极接有电阻RC.根据图中的数据判断该管处在(　　　　)。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题：A.B.C.

5、D.（已提交）参考答案：B问题解析：6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示.则该场效应管为(　　　　)。A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示.则此管子的夹断电压约为(　　　　)。A.0VB.＋2VC.－2VD.－1V答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C问题解析：8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示.则在UDS=10V.UGS=0V处的跨导gm约为(　　　　)。A.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0

6、.5mA./V答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：9.如图示放大电路中接线有错误的元件是(　　　　)。A.RLB.RBC.C1D.C2答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：B问题解析：10.放大电路如图所示.由于RB1.和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真.为了改善失真.正确的做法是(　　　　)。A.适当增加RB2.减小RB1B.保持RB1不变.适当增加RB2C.适当增加RB1.减小RB2D.保持RB2不变.适当减小RB1答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：C11.图示电路.已知晶体管..忽略UBE.如要将集电极电流IC调整到1.5mA..RB应取(

7、　　　　)。A.480kWB.120kWC.240kWD.360kW答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：12.电路如图所示.若晶体管的发射结被烧坏而形成开路.那么集电极电位UC应等于(　　　　)。A.6VB.0VC.0.6VD.5.3V答题：A.B.C.D.（已提交）参考答案：A问题解析：13.某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如图所示.欲使工作点移至Q'需使(　　　　)。A.偏置电阻RB增大B.集电极电阻RC减小C.偏置电阻RB减小答题：A.B.