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1、第1章常用半导体器件1.N型半导体的多数载流子是电子,因此它应()。A・带负电B.带正电C.不带电答题:匚A.匚B•国C.匚D.(已提交)参考答案:C问题解析:2.将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将()。A.变窄B.变宽C.不变答题:Ca.Eb.Cc.Cd.(已提交)参考答案:B问题解析:3.二极管的死区电压随环境温度的升高而()。A.增大B.不变C.减小答题:CA.CB.EC.CD.(已提交)参考答案:C问题解析:4.电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin-tV时,输出电压最大值为10V的电路是()。答题:CA.CB.EC.CD.
2、(已提交)0参考答案:C问题解析:5.电路如图所示,DI,D2均为理想二极管,设U1=1OV,ui=40sinotV,则输出电压uO应为()。A.最大值为40V,B.最大值为40V,C.最大值为10V,D.最大值为10V,最小值为0V最小值为+10V最小值为一40V最小值为0V答题:匚A.匚B.匚C.国D.(己提交)参考答案:D问题解析:U*%A1»DA6.。■O稳压管的动态电阻rZ是指()。A.稳定电压卩1与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量AUZ与相应电流变化量AIZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题:匚A.国B.匚C.匚D.(己提交)参考答案
3、:B问题解析:7・在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是()。A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题:匚A.国B.匚C.匚D.(己提交)参考答案:B问题解析:8.已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V,VB=-1.4V,VC=5V,则该管类型为()。A.NPN型错管B.PNP型错管C.NPN型硅管D・PNP型硅管答题:EA.CB.CC.CD.(已提交)参考答案:A第2章基本放大电路1.如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流()。A.反向B.近似等于零C.不变D.增大答
4、题:CA.国B.CC.匚D.(已提交)参考答案:B问题解析:2•晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。A.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题:匚A.匚B目C.匚D.(已提交)参考答案:C问题解析:3.晶体管的电流放大系数万是指()oA.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题:CA.EB.Cc.C0.(已提交)参考答案:B问题解析:4.低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。A.4B.£C.300Q-F26I#答题:匚A.国B.
5、匚C.匚D.(己提交)参考答案:B问题解析:3.某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()。A.截止状态B.放大状态C.饱和状态答题:CA.EB.CC.CD.(已提交)参考答案:B问题解析:6.某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为(A.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管)。41'蛰■弭答题:CA.EB.CC.CD.(己提交)参考答案:B问题解析:7.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压爲约为()。A.OVB.+2VC.-2VD.-IV44/■*答
6、题:CA.CB.EC.CD.(已提交)参考答案:C问题解析:8.已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则在UDS二10V,UGS=OV处的跨导gm约为()oA.1mA./VB.0.5mA./VC.-1mA./VD.-0.5mA./V“沁J答题:日A•匚B.匚C•匚D・(已提交)参考答案:A问题解析:9.如图示放大电路中接线有错误的元件是()。A.RLB.RBC.C1D.C2答题:CA.国B.CC.匚D.(已提交)参考答案:B问题解析:9.放大电路如图所示,由于RB1,和RB2阻值选取得不合适而产生了饱和失真,为了改善失真,正确的做法是()oA.适当增加RB2,减小R
7、BIB.保持RB1不变,适当增加RB2C.适当增加RB1,减小RB2D.保持RB2不变,适当减小RB1答题:匚A.匚B.区C.匚D.(己提交)参考答案:C10.图示电路,已知晶体管戸・血,屁"2,忽略UBE,如要将集电极电流IC调整到1.5mA.,RB应取()。A.480kWB.120kWC.240kWD.360kWt答题:国A.匚B.CC.匚D.(己提交)参考答案:A问题解析:9.电路如图所示,若晶体管的发射结被烧坏而形成开路,那么集电极电位UC应等于()。A.6VB.OVC.0.6VD.5.3V答题:CA.EB.CC.CD.(已提交)参考答案:A问题解析:1