变容二极管调频振荡器实验报告八

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1、云南大学信息学院电子信息基础实验中心课程名称高频电子线路实验项目变容二极管调频振荡器成绩学院信息学院专业通信工程学号姓名实验时间实验室指导教师一.实验目的1.了解变容二极管调频器电路原理及构成。2．了解调频器调制特性及测且方法。二.实验设备1.双踪示波器2.频率计3.万用表4..清华科教TPE-GP2型高频电路实验箱及G4实验板板三.实验原理所谓调频，就是把所要传送的信息作为调制信号去控制载波信号的频率，使其按照调制信号幅度的大小变化。调频电路中，最简单的办法是采用变容二极管调频，利用变容二极管结电容的改变来控制振荡器振荡频率的变化。云南大学信息学院电子信息基础实验中心实

2、验电路如图5-1所示。三极管V1组成电容三点式振荡器的改进型电路，即克拉泼电路。变容二极管DC部分接入振荡回路中，是调频电路的主要元件。电位器RP1、电阻R2、电感L1为变容二极管提供静态时的反向直流偏置，调节RP1可改变主振荡器的振荡频率。V2为放大级，对振荡信号进行放大，以保证有足够的振荡幅度输出。调节RP3，可调节输出幅度的大小。V3为射随器，以提高带负载的能力。调制信号由IN处输入，经变容二极管DC和主振荡调频后，再经V2、V3放大后由OUT处输出。四.实验内容1.FM调制器静态调制特性测量五.实验步骤及记录（包括数据、图表、波形、程序设计等）实验电路图步骤：输入

3、端不接音频信号，将频率计接到调频器的F端．C3（＝100pf）电容接与不接两种状态，调整RP1使Ed=4v时f0=6.5MHZ，然后重新调节电位器RP1，使Ed在0.5～8V范围内变化，在C3接入和不接入时，测量电路输出频率，将对应的频率填表8.1，并依据测试结果在坐标图中绘出其静态调制特性曲线。数据及图像：Ed（v）0.51233.544.55678不接C36.0126.1376.3196.4386.4526.5136.5696.6126.6746.7366.780云南大学信息学院电子信息基础实验中心f0（MHz）接上C35.8796.0376.1326.2566.30

4、66.3546.4066.4546.5326.5886.636不接入C3时的调制特性曲线接入C3时的调制特性曲线六.实验结果分析由实验结果可以看出无论接不接如C3时，其频率都会随Ed变化而变化，且当Ed增大时，f也会增大，当Ed减小时f也随之减小。七．实验小结变容二极管是利用半导体PN结的结电容随外加反向电压而变化的特性制成的一种半导体二极管，其容值随调制电压的变化而变化。当调制电压增大时其结电容减小，当电压减小时，结电容增大。根据频率与电容的关系，则可以得到FM调制器静态调制特性曲线。八．思考题及解答云南大学信息学院电子信息基础实验中心（1）答：在Ed=V期间的调制灵敏

5、度S为S=，S=0.087。而且曲线的斜率受电压和频率的影响。