高压led芯片3838a

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1、蓝光HVLED芯片3838A1.概述该芯片是电压为55V的高压蓝光HVLED芯片，采用蓝宝石PSS衬底GaN外延。所有芯片100%测试和分选。2.特点高电压低电流(典型20mA)应用LED单元结构：17个单元晶粒内部串联驱动简单，交直流都可使用可靠性高3.应用范围通用照明4.芯片规格mil×mil38×38芯片示意图芯片尺寸µm×µm950×950芯片厚度(µm)150±5P型键合区直径(µm)85±5N型键合区直径(µm)85±5P/N电极金属金5.参数特性极限值除非另有规定，Ta=25℃参数名称符号额定值单位正向电流(DC)IF20mA最大直流阻断电压V

2、R80V工作结温Tj-30～85℃贮存温度Tstg-40～100℃光电参数除非另有规定，Ta=25℃规范值参数名称符号测试条件单位最小典型最大IF=10µA32V正向压降VFIF=20mA505560V主波长λDIF=20mA445465nm光功率POIF=20mA200mW第1页共3页2012版3838A6.特性曲线图(1)IR-VR关系曲线图(2)IF-VF关系曲线图(3)ΦV-IF关系曲线图(4)ΦV(@20mA)–Ta关系曲线注：ΦV值是采用5050封装，在色温6000K、显色指数75的条件下测试。第2页共3页2012版3838A图(5)VF(@20

3、mA)–Ta关系曲线产品中有害物质或元素的名称及含量有害物质或元素部件名称铅汞镉六价铬多溴联苯多溴二苯醚（Pb）（Hg）（Cd）（Cr(VI)）(PBB)（PBDE）（含量要求）≤0.1%≤0.1%≤0.01%≤0.1%≤0.1%≤0.1%硅片○○○○○○正面金属○○○○○○背面金属○○○○○○○：表示该元素的含量在SJ/T11363-2006标准的限量要求以下。说明×：表示该元素的含量超出SJ/T11363-2006标准的限量要求。备注:1.芯片出货光电参数为裸芯在华润测试仪器条件下测试值；2.LED芯片为静电敏感产品,请在使用、运输、包装等过程中注意静电

4、保护；�3.可根据客户要求定制不同规格的芯片。华南地区代理商：深圳市同创利电子有限公司网址：www.tongchuangli.com营运中心地址：深圳市宝安中心区新安六路华丰科技商务大厦五楼519-520室销售热线：0755-27916626联络人：胡先生手机：13602661756邮箱：hujw888@vip.163.com第3页共3页2012版