MTK手机外围电路设计

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1、MTK电路原理分析•MTK使用的是6229的BB芯片，Transeiver使用的是MT6140，PA为3159芯片。•6229和6230的区别为CAMERA的支持像数，6229支持200万像数，6230只支持30万像数。•6229和6226，6225等BB芯片的区别为6229内部多了一个DSP用于支持EDGE，并且6229的主频为104MHZ，相对于传统的BB芯片52MHZ的主频处理速度快了许多，所以6229不仅可以支持OTG,TVOUT,并且还支持WI-FI。•OTG只支持USB1.1版本，OTG的数据线规范要求不能大于20CM，如果过长会对信号有较大的衰减和反射。•6229也使用的是3

2、2.768KHZ的晶振产生时序电路基准信号。32.768kHz是RTC（实时时钟）晶振，用32.768是因为32768是2的15次幂，可以很方便的分频，很精确的得到一秒的计时。所有的RTC晶振一般都是32.768或是其倍频。在手机电路中还有一主时钟，一般为13MHz或是其倍频。之所以选用13M这样的时钟是为了与基站同步。MTK存储器•MTK和其他机种使用的FLASH也是不同的。MTK采用混合储存器的方式不同于以往的NOR+NAND存储器方式。•NOR＋NAND存储器采用NOR来存储BIOS代码，采用NAND存储代码(操作系统和应用软件)和数据，易失性RAM被用来存储执行代码时的变量和数据结

3、构。这种存储器解决方案采用代码映射或请求调页来执行存储在NAND中的操作系统和应用软件。•混合存储器采用SRAM和NAND，采用NAND作为非易失性存储器，所以这类解决方案的存储密度能做得很高。这些解决方案可以直接从NAND引导，不再需要高端蜂窝手机中昂贵的引导NOR，因此可降低总系统成本。它们还可以减少元器件数量，节省了电路板空间。但是，这些混合解决方案的引导时间较长、复杂度较高、难以集成且需要主机上有支持请求调页的先进操作系统。MIC电路MIC电路分析MICBIASP和MICBIASN为MIC电路的正负两路偏置电压，一般为2.4V-2.7V左右的电压。C204，C205主要为滤除射频信

4、号的干扰。如果有GSM900MHZ的干扰则使用33PF的电容，如果有DCS1800MHZ的干扰可以使用12PF的电容，如果有WIFI2.4GHZ的干扰则使用8.2PF的电容。C206主要是抑制共模信号。C201,C202为100NF电容，主要作用为隔直通交，防止直流电使PA饱和，产生信号偏移，主要滤除100HZ以下的电流。B201，B202为磁珠，主要滤除高频部分的干扰。MIC偏置电流流向为从MICBIASP----MICBIASN，而不用公共的GND，主要是因为GND干扰太大。磁珠有很高的电阻率和磁导率，他等效于电阻和电感串联，但电阻值和电感值都随频率变化。他比普通的电感有更好的高频滤波

5、特性，在高频时呈现阻性，所以能在相当宽的频率范围内保持较高的阻抗，从而提高调频滤波效果MIC内部结构OUTPUTTERM。1CRLCPC1C2VSTERM。2C1=10pfGROUNDC2=33PFRL=2.2KShieldcaseVS=2.0V•Mic有一个振动系统,该系统在声波的作用下产生振动,并通过不同的物理效应将振动转换为相应的电压变化、电容变化或电阻变化，最终都以电压变化的形式输出。所以，我们要Mic电路要采集的数据是Mic两端电压的变化。•CP就是那颗能根据振动调整容值的电容，然后通过后面的场效应管放大信号，C1，C2为虑除900MHZ和1800MHZ影响的滤波电容。耳机电路V

6、DD2.8VVDD100K47K-190K上拉电阻，典型值为75KBC压降为0.2-0.3VEINTBBA未插入耳机时，A点断开，所以B点处于高电平，二极管截至，C处为高电平，所以EINT为高电平。BB芯片判断耳机未插入。当插入耳机时，由于耳机一般为64欧姆，32欧姆，或者16欧姆（MTK使用的为32欧姆）。相对于100K欧姆，分压仅为0.1V左右，二极管导通，C处电压为0.1+0.2=0.3左右，EINT值为低电平，BB芯片接受到中断。判断可能为耳机插入。但这样还是不够的，耳机插入还需要满足下面另一个条件。MICBIOSMICBIOSXMICADCADC若满足1.ADC>1V，2.EIN

7、为低电平。则表示耳机为插入。RightLeftMICGND若只插入一半,耳机上MIC的一截就会因为错位而接到手机的GND上，然后XMIC信号直接连接GND，ADC则为低电平。虽然现在的耳机已经不需要这个动作了，但是手机研发还是保留了这个信号未删除，以免出现问题。MP3电路•MTK使用的一个D类功放，电容C243,C244,C245作用同前面MIC电路介绍的三个电容，主要是为了消除900MHZ和1800MHZ的高频噪音以及