TVS及其在电路设计中的应用new

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1、本文由zjl985826贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。第2卷年4410第 109月期 厕 V11o 01N.. 4Ap.20 r09T¥V及其在电路设计中的应用 白树林.许波 (西安电子工程研究所,陕西 西安700)110 摘 要:介绍了瞬态电压抑制器(rnin oaeupesrv)的特性及主要参数;给 Tastlg prso,TSeVtS出了选用TSV器件时应注意的事项.同时给出了ⅣS电路设计中的典型应用实例。 在 关键词:TSV;元器件保护;电路设计 O引言 瞬态电压抑制器是一种二极管形式的

2、高效能 保护器件。具有极快的响应时间和相当高的浪涌 通路。在2℃时,低于这个电压,TS不会发 5v是生雪崩击穿的。 ()额定反向关断电压 咖 2WM是TSv在正常状态时可承受的电压,此电 吸收能力。当TS两端受到反向瞬态过压脉冲 v的时,能以极高的速度把两端间的高阻抗变为低阻 抗,以吸收瞬间大电流,并将电压箝制在预定数 值,从而有效保护电路中的元器件免受损坏。本 压应大于或等于被保护电路的正常工作电压。但 它又需要尽量与被保护电路的正常工作电压接 近。这样才不会在TS2以前使整个电路面对 V3作过压威胁。按TSv的 B标准值的离散度,可把 R与脓文讲述

3、了TS件的主要特性参数和选用注意事 V器分为5%和1%两种,对于50%的 蕊说,VM 来w=()最大峰值脉冲电流 3项,同时给出了TS电路设计中的应用方法。V在 08Va.5B;而对于1%的 腿说,w=.1B。0来 M08VR 是TS反向状态工作时,在规定的脉冲 V在条件下,器件允许通过的最大脉冲峰值电流。 1TS件的特性及主要参数  V器11rS器件特性 .I的 ’v()箝位电压 c4 在规定的反向应用条件下,,S受保护的 Ⅳ对当脉冲峰值电流 流过TS,其两端出现 V时线路呈高阻抗状态。当瞬间电压超过其击穿电压 时,TS会提供一个低阻抗的路径,并通过

4、大 V就电流方式使流向被保护元器件的瞬间电流分流到 TS极管,同时将受保护元器件两端的电压限 V二的最大电压值称为箝位电压y。y和 反映了   r的浪涌抑制能力。通常把 与 腿比称为箝 IvS之位因子(数)系,其值一般在1~.之间。实际使 .124用时,应使 不大于被保护电路的最大允许安全 电压,否则被保护器件将面临被损坏的可能。 ()最大峰值脉冲功耗P 5M制在r的箝制电压。当过压条件消失后.T IvSVS又恢复到高阻抗状态。与陶瓷电容相比.S Ⅳ可 以承受1 V的电压,但陶瓷电容对高压的承受 5k能力比较弱。5k V的冲击就会造成约1%陶瓷电 0容

5、失效,而到l V时,其损坏率将高达到6%。0k0 通常是最大峰值脉冲电流 与箝位电压 的乘积,也就是最大峰值脉冲功耗。它是r能 IvS承受的最大峰值脉冲功耗值。在给定的最大钳位 电压下,功耗 越大,其浪涌电流的承受能力越 大。另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形、脉冲持 续时间和环境温度有关。而且.S能承受的  Ⅳ所瞬态脉冲是不可重复施加的。 ()电容量C6 T的电容是由其硅片的截面积和偏置电压 VS.1 TS.v器件的主要参数 2()最小击穿电压 B1R 当TS过规定的电流时,r两端的电压 V流IvS称为最小击穿电压,在此区域。TS低阻抗的 v呈收稿日期:

6、081—620—22 ed ̄n094电手元器件主用ca 20. ̄2 7第1卷1第4期 电予元器件盔用 ElcrncCmpnn&DeieAplain etoi ooetvc pitscoV0.1No41 . 1Apr209.0 2o年409月 来决定的,它是在1MH特定频率下测得的。C的  z大小与TS电流承受能力成正比,C大,将 v的太使信号衰减。因此,电容C是数据接口电路选用 TSv的重要参数。 作电压后,S发生雪崩击穿,从而提供给瞬  Ⅳ将时电流一个超低阻抗的通路,其结果是瞬时电流 通过TS引开,从而避开被保护器件,并且在 v被电压恢复正常值之前使

7、被保护回路一直保持截止 电压。在此之后,当瞬时脉冲结束以后,TS VZ.()漏电流,7R ,是最大反向工作电压施加到TS时,TSRv上v 极管再自动恢复至高阻状态。整个回路进入正常 电压状态。以下是rS电路应用中的几个典型 Ⅳ在实例。 31TS交流电路中的应用 . v在图1所示是一个双向TSv在交流电路中的应用 管的漏电流。当TS于高阻抗电路时,这个漏 v用电流幌一个重要参数。 2选用TS注意事项 V的在选用TS,根据电路的具体情况,一般 v时电路。应用TS以有效地抑制电网带来的过载 v可应考虑以下几个主要因素: 脉冲,从而起到保护整流桥及负载中所有元

8、器件 首先,由于双向TS以在正反两个方向吸 v可收瞬时大脉冲功率,并把电压箝制到预定水平。 因

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