《极管的开关特性》PPT课件

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1、2.1二极管的开关特性获得高、低电平的基本方法:利用半导体开关元件的导通、截止(即开、关)两种工作状态。逻辑0和1:电子电路中用高、低电平来表示。逻辑门电路:用以实现基本和常用逻辑运算的电子电路。简称门电路。基本和常用门电路有与门、或门、非门(反相器)、与非门、或非门、与或非门和异或门等。二极管符号:正极负极+uD-Ui<0.5V时,二极管截止,iD=0。Ui>0.5V时,二极管导通。ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,uo=0V。ui=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,uo=4.3V。二极管的反向恢复时间限制了二极管的开关速度。1、二极管从正向导通到截止有一个

2、反向恢复过程2、产生反向恢复过程的原因—电荷存储效应当外加正向电压时,P区空穴向N扩散,N区电子向P区扩散;势垒区逐渐变窄,P区存储了电子,N区存储了空穴,它们都是非平衡少数载流子。这一过程称为电荷存储效应。当输入电压突然反向时,存储电荷反向电场的作用下,P区电子被拉回N区,N区空穴被拉回P区,形成反向电流IR;或与多数载流子复合。在此期间IR基本上保持不变(IR=VR/RC),经过ts后,存储电荷显著减少,势垒区逐渐变宽,经过tt后,二极管截止。2、产生反向恢复过程的原因—电荷存储效应反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间,它远大于正向导通所需要的时间。这就是说,二极管的

3、开通时间是很短的,它对开关速度的影响很小,以致可以忽略不计。因此,影响二极管的开关时间主要是反向恢复时间,而不是开通时间。{End}

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