三极管开关特性经典培训课件.ppt

《三极管开关特性经典培训课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、三极管开关特性经典D+-+-二极管的开关作用：[例]uO=0VuO=2.3V电路如图所示，试判别二极管的工作状态及输出电压。二极管截止二极管导通[解]D0.7V+-二、动态特性1.二极管的电容效应结电容Cj扩散电容CD2.二极管的开关时间电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成tt00(反向恢复时间)≤ton—开通时间toff—关断时间一、静态特性NPN2.1.3半导体三极管的开关特性发射结集电结发射极emitter基极base集电极collectorbiBiCec(电流控制型)1.结构、符号和输入、输出特性(2)符号NNP(Transistor)(1)结构(3)输入特性(4)输出特

2、性iC/mAuCE/V50µA40µA30µA20µA10µAiB=0024684321放大区截止区饱和区0uBE/ViB/µA发射结正偏放大iC=iB集电结反偏饱和iC＜iB两个结正偏ICS=IBS临界截止iB≈0,iC≈0两个结反偏电流关系状态条件2.开关应用举例发射结反偏T截止发射结正偏T导通+RcRb+VCC(12V)+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k放大还是饱和？饱和导通条件：+RcRb+VCC+12V+uoiBiCTuI3V-2V2k2.3k≤因为所以二、动态特性3-2t00.9ICS0.1ICSt030.3t02.1.4MOS管的开关特性(电压控

3、制型)MOS（Mental–Oxide–Semiconductor）金属–氧化物–半导体场效应管一、静态特性1.结构和特性：(1)N沟道栅极G漏极DB源极S3V4V5VuGS=6ViD/mA42643210uGS/ViD/mA43210246810uDS/V可变电阻区恒流区UTNiD开启电压UTN=2V+-uGS+-uDS衬底漏极特性转移特性uDS=6V截止区P沟道增强型MOS管与N沟道有对偶关系。(2)P沟道栅极G漏极DB源极SiD+-uGS+-uDS衬底iD/mAiD/mA-2-40-1-2-3-40-10-8-6-4-2-3V-4V-5VuGS=-6V-1-2-3-4-6uGS/Vu

4、DS/V可变电阻区恒流区漏极特性转移特性截止区UTPuDS=-6V开启电压UTP=-2V参考方向2.MOS管的开关作用：(1)N沟道增强型MOS管+VDD+10VRD20kBGDSuIuO+VDD+10VRD20kGDSuIuO开启电压UTN=2ViD+VDD+10VRD20kGDSuIuORONRD(2)P沟道增强型MOS管-VDD-10VRD20kBGDSuIuO-VDD-10VRD20kGDSuIuO开启电压UTP=-2V-VDD-10VRD20kGDSuIuOiD此课件下载可自行编辑修改，仅供参考！感谢您的支持，我们努力做得更好！谢谢