《极管及放大电路》PPT课件

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1、2晶体三极管及放大电路基础2.1晶体三极管2.2放大电路的基本组成和主要性能指标2.3放大电路的分析法2.4晶体管偏置电路2.5放大电路三种组态2.6多级放大电器(理解)4.7放大器的频率响应(了解)三极管及放大电路§2.1晶体三极管一、基本结构NNPNPN型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BBCCEEPNP型基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结BECNNPBECPPNEBCBEC*三极管的符号NPN型三极管PNP型三极管二、IE，IB，

2、IC电流形成BECNNPEBRBECIE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IB，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IBBECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEICE从基区扩散到集电区的电子，被收集，形成ICE。内部载流子的传输过程：（1）E区向B区注入电子,形成IE（2）电子在B区复合，形成IB（3）C区收集电子，形成ICIB三、V-I特性曲线及结论iCmAAVVuCEuBERBiB

3、ECEB实验线路三、V-I特性曲线及结论iCmAAVVuCEuBERBiBECEB实验线路(一)、输入特性:uCE1ViB(A)uBE(V)204060800.40.8发射结压降：硅管UBE0.6~0.8V,锗管UBE0.2~0.3V。uCE=0VuCE=0.5V死区电压:硅管约0.5V，锗管约0.1V。(二)、输出特性:iC(mA)1234uCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AuB>uE和uC>uB，iC只与iB有关且iC=iB，称为放大区uCE0.3V,

4、uB>uE和uB>uC，称为饱和区。iB=0,iC=iCEO,uBiC，uCE0.3V(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏，iB=0，iC=iCEO01、三极管工作在三个区域的条件及特点:C、E间相当于短路C、E间相当于开路2、电流的放大作用及分配电流分配关系IB=020A40A60A80AiC(mA)1234uCE(V)36912思考：

5、处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各电极电位如何？EBCBECNNPPPNUB、UC、UE大于零UB、UC、UE小于零且UC>UB>UE且-UC>-UB>-UE总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，满足四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和四、

6、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和2.集-基极反向饱和电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。BECNNPICBOICEO=IBE+ICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必

7、有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向饱和电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压。6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳

8、热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区五、温度对ＢＪＴ参数及特性的影响T、ICEO、ICBOICiCuCE温度上升时，输出特性曲线上移六、常见三极管实物外形三极管放大电路有三种形式共发射极放大电路共基极放大电路共集电极放大电路以共发射极放大电路为例讲解工作原理一、放大电路的分类§2.2放大电路的基本组成和主要性能指标二、共发射极放大电路