《极管及放大电路》PPT课件

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1、4双极结型三极管及放大电路基础4.1BJT4.2基本共射极放大电路4.3放大电路的分析法4.4放大电路静态工作点的稳定问题4.5共集电极放大电路*和共基极放大电路*4.6组合放大电路4.7放大电路的频率响应三极管及放大电路§4.1晶体三极管一、基本结构NNPNPN型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BBCCEEPNP型基区：较薄，掺杂浓度低集电区：面积较大发射区：掺杂浓度较高BECNNP基极发射极集电极发射结集电结BECNNPBECPPNEBCBEC*三极管的符号NPN型三极管PNP型三极管二、IE，IB，IC电流形成BECNNPEBRBECIE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成

2、电流IB，多数扩散到集电结。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。IBBECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBOICEICE从基区扩散到集电区的电子，被收集，形成ICE。BJT内部载流子的传输过程：（1）、E区向B区注入电子,形成IE（2）、电子在B区复合，形成IB（3）、C区收集电子，形成ICIB三、V-I特性曲线及结论iCmAAVVvCEvBERBiBECEB实验线路(一)、输入特性:vCE1ViB(A)vBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管VBE0.5~0.7V,锗管UBE0.1~

3、0.3V。vCE=0VvCE=0.5V死区电压:硅管0.5-0.7V，锗管0.1-0.3V。(二)、输出特性:iC(mA)1234vCE(V)36912IB=020A40A60A80A100AVB>VE和VC>VB，IC只与IB有关且IC=IB，称为放大区VCE0.3V,VB>VE和VB>VC，称为饱和区。IB=0,IC=ICEO,VBIC，VCE0.3V(3)截止区：发射结反偏，集电结反偏，IB=0，IC=ICEO0

4、1、三极管工作在三个区域的条件及特点:C、E间相当于短路C、E间相当于开路2、电流的放大作用及分配电流分配关系IB=020A40A60A80AiC(mA)1234vCE(V)36912思考1：处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管的各电极电位如何？EBCBECNNPPPNVB、VC、VE大于零VB、VC、VE小于零且VC>VB>VE且-VC>-VB>-VE总的来说:处于放大区时，NPN型、PNP型两种三极管，满足思考2：在同一坐标上绘制NPN型、PNP型三极管的输出特性曲线IB=020A40A60A80AiC2(mA)1234vCE(V)-12-9-6IB=020A40

5、A60A80A-3IB=020A40A60A80AiC1(mA)1234vCE(V)36912BECNNPiC1EBCPPNiC2vCE(V)iC2(mA)四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和四、主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信

6、号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为IB，相应的集电极电流变化为IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和2.集-基极反向饱和电流ICBOAICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。BECNNPICBOICEO=IBE+ICBOIBEIBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极反向饱和电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。4.集电极最大电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的值的下降，

7、当值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压U(BR)CEO当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压。6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，所发出的焦耳热为：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以PC有限制。PCPCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区五、温度