《晶体管黑白》PPT课件

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1、基础电子技术杨荣峰电气学院电子学教研组，逸夫楼60713845105454yrf@hit.edu.cn本节内容双极型晶体管双极型晶体管的结构晶体管内部载流子的运动与电流分配晶体管的三种组态晶体管的共射特性曲线√晶体管的参数晶体管的型号、封装双极性晶体管的结构NPNPNP晶体管的三种组态输入端输出端公共端双极型晶体管的电流传输关系总结（详细版）当晶体管的发射结处于正向偏置（uBE>Uon）且集电结处于反相偏置（uCE>=uBE）时，发射区中的多数载流子由于扩散运动而大量注入到基区，其中仅有极少部分与基区的多

2、数载流子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下被集电极收集形成漂移电流iC，体现出iB对iC的控制作用，可将iC看成为由电流iB控制的电流源。总结（熟练版）在放大条件下，由发射区扩散（发射结正偏）的载流子只有极少数在基区被复合，绝大部分被集电区收集（集电结反偏）。其分配关系是：在基区中每复合一个载流子，就有β个载流子被集电区收集。该比例关系由晶体管的结构决定，所以，通过控制IB，就能控制IC，即uC>uB>uE晶体管的共射输入特性曲线晶体管射输出特性曲线晶体管的参数（一）直流参数共发射极直流电流

3、放大系数共基极直流电流放大系数集电结反向饱和电流ICBO晶体管集－射极穿透电流ICEO穿透电流的解释（不重要）ICEO=(1+β)ICBO解释如下：集电结处于反偏时，c-b之间有反向饱和电流ICBO，这部分电流主要由集电区的少子空穴在反偏电场作用下漂移到基区引起，这样相当于基区补充了ICBO个空穴，这些空穴必然在基区和发射结扩散过来的自由电子复合，根据电流分配关系，一个空穴在基区和发射结扩散过来的自由电子复合，就有β个自由电子被集电结收集。因此有如下图示过程：相当于(1+β)ICBO电流穿透从C到E。（二

4、）交流参数共发射极交流电流放大系数共基极交流电流放大系数α≈、≈特征频率fT：ffT,=1共射截止频率fβ：f=fβ，=0/（0为低频时的数值）共基截止频率fα：f=fα，（三）极限参数集电极最大允许电流ICMIc集电极最大允许功率损耗PCMPC=ICUCB≈ICUCE反向击穿电压70～30％0U(BR)CEOU(BR)CBOU(BR)CESU(BR)CERU(BR)EBO晶体管的安全工作区温度对曲线的影响20℃50℃UBE1UBE2IB＞国家标准对半导体三极管的命名如下:3DG110B

5、第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管用字母表示材料用字母表示器件的种类用数字表示同种器件型号的序号用字母表示同一型号中的不同规格三极管晶体管的型号8/15/2021晶体管封装