《晶体二极管》PPT课件

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1、晶体二极管一、二极管的结构与电路符号玻璃封装二极管塑料封装小功率二极管金属封装大功率二极管二极管的核心就是PN结1、什么是PN结采用掺杂工艺，使硅或锗晶体的一边形成P型半导体区域，另一边形成N型半导体区域，在P型半导体和N型半导体的交界处出现一个特殊电性能薄层——PN结2、PN结有什么特性单向导电性。PN结P区N区一、二极管的结构与电路符号3、什么是PN结的单向导电性？给P区加“+”，给N区加“-”PN结通过较大的电流——“正向导通”。P区N区PN结mA正向电流很大P区N区PN结μA反向电流很小给N区

2、加“+”，给P区加“-”PN结几乎没有电流流过——“反向截止”。PN结加正向电压时导通，加反向电压时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。一、二极管的结构与电路符号①晶体二极管结构：核心是PN结。实际上是从管芯（PN结）的P区和N区分别引出两根金属引线——正、负极（阳、阴极），然后用塑料、玻璃或金属封装的外壳组成。外壳上印有标记，以便区分正负电极。②电路符号：文字符号：D或V二、二极管的导电特性因二极管的核心部分是PN结，而PN结具有单向导电性，所以二极管也具有单向导电性。1、实验验证：现象：当电流由

3、二极管的正极接“正”，负极接“负”时，指示灯亮；相反，指示灯不亮。结论：二极管正向导通，反向截止二极管的这种特性可用逆止水阀来比喻二、二极管的导电特性2、二极管的主要特性在二极管的两极上加上电压，称为给二极管以偏置。如果将电源正极与二极管的正极相连，电源负极与二极管的负极相连——正向偏置。如果将电源的负极与二极管的正极相连，电源的正极与二极管的负极相连——反向偏置。（1）加正向电压导通：此时二极管内部呈现较小的电阻，有较大的电流通过，二极管的这种状态为正向导通状态。（2）加反向电压截止：此时二极管内部

4、呈现较大的电阻，几乎没有电流通过，二极管的这种状态称为反射截止状态。二极管加正向偏置电压时导通，加反向偏置电压时截止的导电特性——单向导电性是二极管最重要的特征。二、二极管的导电特性3、二极管的特性曲线——二极管的伏安特性曲线加在二极管两端的是电压VD和流过二极管的电流ID之间的关系曲线称为——二极管的伏安特性曲线。可分为“正向特性”和“反向特性”。（1）正向特性：①死区：外加电压较小时，二极管呈现的电阻较大，正向电流几乎为零，曲线OA段。一般硅管和锗管的死区电压分别为0.5V和0.2V②导通区：正向

5、电压VD超过死区电压时，二极管呈现的电阻很小，正向电流ID增长很快，二极管正向导通。曲线AB段。一般导通电压为硅为0.7V，锗管为0.3V。这个电压比较稳定，几乎不随流过的电流大小而变化。二、二极管的导电特性3、二极管的特性曲线（2）反向特性：①反向截止区：当二极管承受反向电压VR时，二极管呈现很大电阻，此时仅有很小的反向电流IR。曲线OC段就是反向截止区。IS称为反向饱和电流或反向漏电流。②反向击穿区：当反向电压增大到超过一定值（上图中的C点），反向电流急剧加大——这种现象称为反向击穿，图中CD段就

6、是反向击穿区。C点对应的电压称为反向击穿电压VBR。三、二极管器件的使用1．二极管的命名按照国家标准GB249-89规定，国产二极管的型号由五部分组成。第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用汉语拼音字母表示规格号用数字表示序号；序号不同的二极管其特性不同。用汉语拼音字母表示器件的类型。用汉语拼音字母表示器件材料和极性。用数字表示器件电极数目；二极管就是“2”。字母含义：三、二极管器件的使用1．二极管的命名第二部分字母含义：A：N型、锗材料；B：P型、锗材料；C：N型、硅材料；D：P型、硅材料。第三

7、部分字母含义：P：普通管；W：稳压管；Z：整流管；N：阻尼管；U：光电器件K：开关管举例：2AP9；2CW12；2CZ6：2DW12。目前市面上常见的是使用国外晶体二极管型号有：例如1N4001，1N4004，1N4148等，这类管子采用的是美国电子工业协会半导体器件的命名例如1S1885，第一部分“1”表示一个PN结的二极管，第二部分“S”表示日本电子工业协会注册产品，第三部分的数字表示在日本电子工业协会注册登记序号三、二极管器件的使用2．二极管的主要参数（1）最大整流电流IFM（额定工作电流）：是

8、指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。（2）最高反向工作电压VRM（额定工作电压）：注意：如实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管可能会因过热而损坏。是指为了保证二极管不至于反向击穿而规定的最高反向电压。注意：为了确保二极管安全工作，晶体管手册中规定最高反向电压为反向击穿电压的一半或三分之一。（3）反向饱和电流IS（反向漏电流）：它指管子未进入击穿区的反向电流。注意：反向饱和电流的值不随反向电压而变化，但要随温度的变化而变化。（4）最高工作频