《常用半导体传感器》PPT课件

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1、第一节霍尔传感器一、霍尔效应在金属或半导体薄片的两端通过控制电流I,并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的磁场,+++++++++IUHBFLFEv那么,在垂直于电流和磁场方向上将产生电动势UH（霍尔电压）.d为霍尔元件的厚度洛伦兹力：FL=-evB电荷聚集，UH产生静电场产生反力：FE=-eEU=-eUH/b平衡时：FL=FE，-evB=-eUH/bUH=bvBI为控制电流：I=dQ/dt=bdvn(-e)bv=I/[dn(-e)]则：UH=IB/[dn(-e)]取RH=1/[n(-e)]霍尔常数,由半导体材料决定则：UH=RHIB/d取KH=RH/d则

2、：UH=KHIB霍尔效应的产生是由于运动电荷受磁场中洛伦兹力作用的结果：UH=KHIBb为霍尔元件的宽度n为单位体积内自由电子数UH=KHIB霍尔电势的大小正比于控制电流I和磁感应强度B的乘积。KH称为霍尔元件的灵敏度，它是表征在单位磁感应强度和单位控制电流时输出霍尔电压大小的重要参数当控制电流方向或磁场方向改变时，输出电动势方向也将改变二、灵敏度1）材料电阻ρ与载流子浓度n和其迁移率μ相关，RH=(μ,ρ)(RH=1/[n(-e)])2）KH=RH/d，则d要小，霍尔片要薄（1μm）3）霍尔片长边/短边>4，输出不受影响（一般长边/短边=2,短边通以电流

3、，长边输出UH）建立霍尔效应的时间很短：10-2～10-14ｓ控制电流用交流时，频率可以很高（几千兆赫）接触要求：欧姆接触（无PN结）老式：焊接新方法：离子注入工艺溅射工艺霍尔元件外形及结构：尺寸：4mm×2mm×0.1mm1324由于建立霍尔效应的时间很短，因此控制电流用交流时，频率可以很高（几千兆赫）在磁场作用下，负载上有电压输出。实际使用时,以I或B,或同时作为输入信号，而输出信号则正比于I或B,或两者的乘积。三、基本电路控制电流由E供给RP为调节电阻Rf为负载电阻四、电磁特性1）ＵH—I特性：UH=KHIB在磁场和环境温度一定时，霍尔输出电动势UH

4、与控制电流I之间呈线性关系，直线的斜率称为控制电流灵敏度用KI表示。KI=KHB→UH=KII（线性）KH↑→KI↑KI↑、I↑→UH↑UH=fH()RHIBdLlS/L<0.1六、材料及结构特点一般采用以下半导体单晶材料制成：N型锗、砷化铟、锑化铟输出大受温度影响大输出小温度和线形度较好线形度好受温度影响比锑化铟小输出没有锑化铟大敏感元件一般测量七、误差分析及误差补偿方法１）元件的几何尺寸、电极的接点大小对性能的影响UH=fH()RHIBdLlfH(L/l)为元件的形状系数当L/l>2时,形状系数fH(L/l)接近于1实际上,取L/l=2b)霍尔电极的大

5、小对霍尔电动势输出有影响当S/L<0.1时,电极宽度的影响才可以忽略不记.a)2）不等位电动势及其补偿主要零位误差，制作时不能保证将霍尔电动势极焊在同一等位面上.3）寄生直流电动势a）非欧姆接触造成控制电流极和霍尔电动势极上的整流效应b）电动势极的的焊点不一致,两焊点的热容量不一致产生温差寄生直流电动势自身补偿法4）感应电动势在交变磁场中工作时,在输出回路中产生附加感应电动势,其大小正比于磁场变化的频率和磁感应强度的幅值,并与霍尔电动势极引线构成的感应面积成正比a合理布线：在磁路气隙中安置一辅助霍尔元件(特性相同)b自身补偿法5）温度误差补偿由于半导体材料

6、的电阻率、迁移率和载流子浓度随温度变化，故霍尔元件的内阻、霍尔电动势也将随温度变化a选用温差系数小的元件（砷化铟）b恒流供电：减少元件内阻随温度变化引起的控制电流变化。c其它温度补偿法八、霍尔传感器的特点：霍尔传感器基于霍尔效应将被测量转换成电动势输出的一种传感器。虽然其转换效率低，温度影响大，但简单、体积小、频率响应宽（从直流到微波）、可靠性高、易于集成化九、应用1、功能可分为：霍尔线性器件（输出模拟量）霍尔开关器件（输出数字量）2）按被检测的对象的性质可分为：直接应用：直接检测出受检测对象本身的磁场或磁特性（高斯计）间接应用：检测受检对象上人为设置的磁

7、场，用这个磁场来作被检测的信息的载体，通过它将许多非电、非磁的物理量例如力、位移、速度以及工作状态发生变化的时间等，转变成电量来进行检测和控制为了精确地测量磁场,常用恒流源供电,使被测磁场的磁感应强度B可用霍尔电压来量度电流传感器电功率计电机控制（直流无刷电机）