《半导体传感器》PPT课件

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1、第3章半导体传感器磁敏式传感器按其结构可分为体型和结型两大类,前者有霍尔传感器,其材料主要有InSb.InAs,Ge,Si,GaAs等和磁敏电阻(InSb,InAs);后者有磁敏二极管(Ge,Si)、磁敏晶体管(Si)。磁敏传感器的应用范围可分为模拟用途和数字用途两种。例如利用霍尔传感器测量磁场强度,用磁敏电阻、磁敏二极管作无接触式开关等。3.1.1霍尔传感器霍尔传感器是利用霍尔效应实现磁电转换的一种传感器,有普通型、高灵敏度型、低温度系数型、测温测磁型和开关式的霍尔元件。由于霍尔传感器具有灵敏度高、线性度好、稳定性高、体积小和耐高温等特件应用于非电量测量、自动控制、计算机装置和现代军事技

2、术等各个领域。3.1磁敏式传感器1.霍尔效应长为L、宽为b、厚为d的导体(或半导体)薄片,被置于磁感应强度为B的磁场中(平面与磁场垂直),在与磁场方向正交的两边通以控制电流I,则在导体另外两边将产生一个大小与控制电流I和磁感应强度B乘积成正比的电势UH,且UH=KHIB,其中KH为霍尔元件的灵敏度。这一现象称为霍尔效应,该电势称为霍尔电势,导体薄片就是霍尔元件。2.工作原理霍尔效应是导体中自由电荷受洛仑兹力作用而产生的。设霍尔元件为N型半导体,当它通以电流I时,半导体中的电子受到磁场中洛仑兹力FL的作用,其大小为式中υ为电子速度,B为垂直于霍尔元件表面的磁感应强度。在FL的作用下,电子向垂

3、直于B和υ的方向偏移,在器件的某一端积聚负电荷,另一端面则为正电荷积聚。电荷的聚积必将产生静电场,即为霍尔电场,该静电场对电子的作用力为FE与洛仑兹力方向相反,将阻止电子继续偏转,其大小为式中EH为霍尔电场,e为电子电量,UH为霍尔电势。当FL=FE时,电子的积累达到动平衡,即所以。设流过霍尔元件的电流为I时,式中bd为与电流方向垂直的截面积,n为单位体积内自由电子数(载流子浓度)。则令则KH为霍尔元件的灵敏度。由上述讨论可知,霍尔元件的灵敏度不仅与元件材料的霍尔系数有关,还与霍尔元件的几何尺寸有关。一般要求霍尔元件灵敏度越大越好,霍尔元件灵敏度的公式可知,霍尔元件的厚度d与KH成反比。R

4、H则被定义为霍尔传感器的霍尔系数。由于金属导体内的载流子浓度大于半导体内的载流子浓度,所以,半导体霍尔系数大于导体。3.霍尔系数及灵敏度令则二、霍尔元件的主要技术参数1.额定功耗P0霍尔元件在环境温度T=25℃时,允许通过霍尔元件的控制电流I和工作电压V的乘积即为额定功耗。一般可分为最小、典型、最大三档,单位为mw。当供给霍尔元件的电压确定后,根据额定功耗可以知道额定控制电流I。有些产品提供额定控制电流和电压,不给出额定功耗。2.输入电阻Ri和输出电阻R0Ri是指流过控制电流的电极(简称控制电极)间的电阻值,R0是指霍尔元件的霍尔电势输出电极(简称霍尔电极)间的电阻,单位为Ω。可以在无磁场

5、即B=0时,用欧姆表等测量。3.不平衡电势U0在额定控制电流I之下,不加磁场时,霍尔电极间的空载霍尔电势称为不平衡(不等)电势,单位为mV。不平衡电势和额定控制电流I之比为不平衡电阻r0。4.霍尔电势温度系数α在一定的磁感应强度和控制电流下,温度变化1℃时,霍尔电势变化的百分率称为霍尔电势温度系数α,单位为1/℃。5.内阻温度系数β霍尔元件在无磁场及工作温度范围内,温度每变化1℃时,输入电阻只Ri与输出电阻R0变化的百分率称为内阻温度系数β,单位为1/℃。一般取不同温度时的平均值。6.灵敏度KH其定义向前述。有时某些产品给出无负载时灵敏度(在某一控制电流和一定强度磁场中、霍尔电极间开路时元

6、件的灵敏度)。三、霍尔元件连接方式和输出电路1.基本测量电路控制电流I由电源E供给,电位器W调节控制电流I的大小。霍尔元件输出接负载电阻RL,RL可以是放大器的输入电阻或测量仪表的内阻。由于霍尔元件必须在磁场与控制电流作用下,才会产生霍尔电势UH,所以在测量中,可以把I与B的乘积、或者I,或者B作为输入情号,则霍尔元件的输出电势分别正比于IB或I或B。2.连接方式为了获得较大的霍尔输出电势,可以采用几片叠加的连接方式。下图(a)为直流供电,控制电流端并联输出串联。下图(b)为交流供电,控制电流端串联变压器叠加输出。3.霍尔电势的输出电路霍尔器件是一种四端器件,本身不带放大器。霍尔电势一般在

7、毫伏量级,实际使用中必须加差分放大器。霍尔元件大体分为线性测量和开关状态两种使用方式,因此,输出电路有如右图所示两种结构。当霍尔元件作线性测量时,最好选用灵敏度低一点、不平衡电势U0小、稳定性和线性度优良的霍尔元件。例如,选用KH=5mV/mA·kGs,控制电流为5mA的霍尔元件作线性测量元件测量1Gs~10kGs的磁场,则霍尔器件最低输出电势UH为UH=5mV/mA·kGs×5mA×10-3kGs=25μV最大输出电势

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