《存储器技术》PPT课件

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1、Home3.1存储器简介3.2读写存储器3.3存储器扩展技术3.存储器技术内容简介习题解答重点/难点本章主要对微型计算机系统内存技术的发展进行了概述，内容包括存储器的分类、存储器的扩展、存储器的管理、常用内存储器的引脚功能与工作原理，以及外存储器的基本知识。Home内容简介3.存储器简介Home芯片SRAM2114和DRAM4116芯片EPROM2764和EEPROM2817ASRAM、EPROM与CPU的连接重点与难点3.存储器简介HomeNext3.1存储器简介1点击演示！1.存储器分类HomeNext3.1存

2、储器简介2点击演示！内存储器按其在微机系统中的位置可分成两大类：HomeNextBack2.存储器的主要性能指标HomeBack33.1存储器简介存储容量存取速度可靠性功耗性能/价格比1.静态读写存储器（SRAM）13.2读写存储器(以6264芯片为例)8K×8bit的CMOSRAM芯片HomeNext6264芯片与系统的连接23.2读写存储器D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMR译码电路高位地址信号D0~D7••••••HomeNextHomeNextBack6264芯片与

3、系统的连接33.2读写存储器D0~D7A0A12•••WEOECS1CS2•••A0A12MEMWMEMR译码电路高位地址信号D0~D7••••••HomeNextHomeNextBack2.动态读写存储器（DRAM）43.2读写存储器特点：DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，需要定时充电以维持存储内容不丢失（称为动态刷新），所以动态RAM需要设置刷新电路，相应外围电路就较为复杂。刷新定时间隔一般为几微秒～几毫秒DRAM的特点是集成度高（存储容量大，可达1Gbit/片以上），

4、功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。DRAM在微机中应用非常广泛，如微机中的内存条（主存）、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。HomeNextHomeNextBack53.2读写存储器典型的动态存储器芯片2164A2164A：64K×1采用行地址和列地址来确定一个单元；行列地址分时传送，共用一组地址线；地址线的数量仅为同等容量SRAM芯片的一半。10001000列地址HomeNextHomeNextBack63.2读写存储器动态存储器芯片2164A的工作原理三种操作：数据读出数据写入刷新将存放于每

5、位中的信息读出再照原样写入原单元的过程。HomeNextHomeNextBack3.可重写的只读存储器（EPROM）73.2读写存储器特点：可多次编程写入；掉电后内容不丢失；内容的擦除需用紫外线擦除器。HomeNextHomeNextBack83.2读写存储器8K×8bit芯片，其引脚与SRAM6264完全兼容地址信号：A0~A12数据信号：D0~D7输出信号：OE片选信号：CE编程脉冲输入：PGM典型的EPROM2764HomeNextHomeNextBack93.2读写存储器EPROM2764的工作方式编程写入

6、的特点：每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据数据读出编程写入擦除标准编程方式快速编程方式工作方式HomeNextHomeNextBack4.电擦除可编程只读存储器（EEPROM）103.2读写存储器特点：可在线编程写入；掉电后内容不丢失；内容的擦除需用电擦除器。HomeNextHomeNextBack3.2读写存储器8K×8bit芯片13根地址线（A0~A12）8位数据线（D0~D7）输出允许信号（OE）写允许信号（WE）选片信号（CE）状态输出端（READY/BUSY）典型的EEPROM98C64A11Home

7、NextHomeNextBack3.2读写存储器EEPROM98C64A的工作方式12数据读出编程写入擦除字节写入：每一次BUSY正脉冲写入一个字节自动页写入：每一次BUSY正脉写入一页（1~32字节）字节擦除：一次擦除一个字节片擦除：一次擦除整片HomeNextHomeNextBack5.闪速EEPROM（FLASH）133.2读写存储器特点：通过向内部控制寄存器写入命令的方法来控制芯片的工作方式，而非用引脚的信号来控制芯片的工作。应用：BIOS，便携式闪存硬盘HomeNextHomeNextBackHomeBa

8、ck3.2读写存储器FLASH的工作方式14数据读出编程写入擦除读单元内容读内部状态寄存器内容读芯片的厂家及器件标记数据写入，写软件保护字节擦除，块擦除，片擦除擦除挂起HomeNext3.3存储器扩展技术1位扩展——扩展每个存储单元的位数字扩展——扩展存储单元的个数字位扩展——二者的综合用多片存储芯片构成一个需要的内存空间，它们在整个内存中占据不同的地址范围