浅谈封装结构研发趋势

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1、浅谈封装结构研发趋势浅谈封装结构研发趋势$h$T$r(l9I5r7{,@/i#sF'f)m一、前言+h'E3n  }'l  S7U6p虽然目前的封装量产主体仍以DIP、SOP/TSOP、QFP/TQFP与BGA等传统封装为主。然为满足产品轻、薄、短、小与系统初步整合的需求，各样式的封装结构推陈出新。其中能符合轻薄短小与高密度要求的晶圆级封装（waferlevelpackaging，WLP）与3D封装渐渐受到重视。无论晶圆级封装或3D封装，其结构型态经常需因客户端之要求而有所变化。如何增强研发能力以缩减封装开发流程并提高结构体之长时可靠度与提高组装良率以面对Time-to-Marke

2、t的要求，对国内大多数以代工为主的封装厂而言不啻是一项严苛的挑战。然而WLP推行多年至今，各厂家所提出多种的晶圆级封装结构中，其封装与组装良率仍待提升，且应用在较大尺寸之产品如128MBDRAM的长时可靠度不良，及相关的测试如、低成本之waferlevelprobing与burn-in技术仍待解决为其于应用上的主要障碍。3D封装为SIP（systeminpackaging）的一种，其应用除电子封装外亦可用于光电、微机电（MEMS）与RF封装等。3D封装结构虽可有效率的缩减封装面积并可将系统作一初步之整合，然其与平面式MCM（Multi-ChipModule）相同的需面对组装良率的挑

3、战。其系统组合良率将随着整合组件数目的增加而快速下降。如何增进组合良率及其可重工性为3D封装之重要课题。本文将对3D与WLP封装的发展做一概述。#l(y*q/j3{0w+K$I6Ld$h/n6X#E%U7v%a4{$L6P)W

4、/N5n/w'm;}9@二、3D封装/R+X*v/c.I+H%~;o/}%j,o0x#@.r3D封装有其结构上的优点，如其可将4颗128MBDRAM封装在一起即可成为一颗512MBDRAM，同理、4颗256MBDRAM亦可封装成一颗1GBDRAM。这种新一代之封装结构于实际应用上有其不可忽视之利基，国内厂家如南茂科技与盛开科技已有相关产品量产。此外、3D封装

5、亦可将不同型态之芯片与MEMS、光学及RF组件结合在一起以增高其封装效率与电性/感测特质。3D封装之范例如Sharp将一颗16-MBFlashMemory与一颗2-MBSRAM以堆栈方式封装成一颗CSP（ChipScalePackaging）、NEC与3D-Plus的3M内存模块、IrvineSensors的3D封装结构(图一)、StaktekCo.的堆栈式封装制程与高速缓存模块（图二）、Intel的StackedCSPBGA（图三）及南韩LG半导体厂亦以堆栈法将两颗64-MBDRAM封装成一颗具128-MB功能的封装体。于未来电子相关产品与电子封装结构的趋势观来，结合芯片尺寸封装

6、、覆晶与晶圆级封装的新一代3D封装技术之实用性已快速提升。8yE!Y9z8n)]8K*u4F%O;B#O%D#C7VA!T)W3D封装一般可分为下列六种基本型态，(1)于个别封装完成后再进行堆栈，其中StaktekCo.为其代表(如图二)，(2)以焊线接合方式，其中Sharp、Fujitsu与Intel皆有相关产品（如图三），(3)以锡球形式进行堆栈（如图四），(4)Silicon-on-Silicon之接合型态，如以waferbonding方式接合之封装，(5)以软板型态折叠而成之3D封装，与（6）混合型态，如焊线与锡球混合、3D与平面式MCM结合而成的SIP等。3D封装虽可有效

7、的缩减封装面积与进行系统的初步整合，然其结构较复杂且散热设计、电性特性、翘曲度及可靠度控制与组合良率等皆比单一芯片封装更具挑战度。就目前所采用的结构观之，大多数的3D封装皆不具可重工性。为提升组合良率，KGD（knowngooddie）的要求将很难避免。对3D封装而言如何增进其可重工性实为一重要且待积极改善的课题。目前国内大多数之3D封装皆采焊线连接式，将两个芯片上下堆栈后以SOP或BGA方式封装为主，两个芯片以上的3D封装在国内上尚不多见。3i1p#j9L#L5A.T9K)c4m:I;j-~*l;d,q1S2e三、晶圆级封装(fk5_,n7N/a0d/L9D/S*i,W*k%x0

8、q"P/q  L自美国Sandia实验室发表其第一颗晶圆级封装（miniBGA，图五）至今已近十年。晶圆级封装种类繁多不胜枚举，如ShellCase的ShellOPShellBGA、Fujitsu的SuperCSP、FCT的UltraCSP、ChipScaleInc.的MSMT&MGA与Tessera的WLCSP等。WLP与常见的覆晶封装（FlipChip）主要的不同在于其缓冲层之设计与不需充填底胶(Underfill)。因少了underfill的保护，若结构设计不佳