四探针测试电阻率实验指导

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1、实验名称：四探针法测量半导体的电阻率和方块电阻一、实验目的:1．掌握四探针法测量半导体材料电阻率和方块电阻的基本原理。2．掌握半导体电阻率和方块电阻的测量方法。3.掌握半导体电阻率和方块电阻的换算。4．了解和控制各种影响测量结果的不利因素。二、实验原理：电阻率是决定半导体材料电学特性的重要参数，它为自由载流子浓度和迁移率的函数。半导体材料电阻率的测量方法有多种，其中四探针法具有设备简单、操作方便、测量精度高，以及对样品的形状无严格的要求等优点，是目前检测半导体材料电阻率的主要方法。直线型四探针法是用针距为s（通常情况

2、s=1mm）的四根金属同时排成一列压在平整的样品表面上，如图1所示，其中最外部二根（图1中1、4两探针）与恒定电流源连通，由于样品中有恒电流I通过，所以将在探针2、3之间产生压降V。图1测量方阻的四探针法原理对半无穷大均匀电阻率的样品，若样品的电阻率为，点电流源的电流为I，则当电流由探针流入样品时，在r处形成的电势V为()rIV………………………(1)()r2r同理，当电流由探针流出样品时，在r处形成的电势V为()rIV………………………(2)()r2r可以看到，探针2处的电势V是处于探针点电流源+I

3、和处于探针4处的点2电流源-I贡献之和，因此：I11V()…………………(3)222ss同理，探针3处的电势V为3I11V()……………………(4)322ss探针2和3之间的电势差V为23IVVV………………..(5)23232s由此可得出样品的电阻率为V232s……………………….(6)I从式（1）至式（6），对等距直线排列的四探针法，已知相连探针间距s，测出流过探针1和探针4的电流强度I、探针2和探针3之间的电势差V，就能23求出半导体样品的电阻率。上述6式是在班无穷大样品的基础

4、上导出的，要求样品厚度及边缘与探针之间的最近距离大于4倍探针间距。对于不满足半无穷大的样品，当两根外探针通以电流I时，在两根内探针之间仍可测到电势差V，这时，可定义一个“表观电阻率”2302sV23…………………….(7)0BI0引进修正因子B0，已有人对一些常用的样品情况对B0的数值做了计算。通常选择电流2s3I10B03由（7）式可知，V10即为电阻率的数值。因此测试时应选择合适的电流，23电流太小，检测电压有困难；电流太大会由于非平衡载流子注入或发热引起电阻率降低。对于高阻半导体样品，光电导效

5、应和探针与半导体形成金—半肖特基接触的光生伏特效应可能严重地影响电阻率测试结果，因此对于高阻样品，测试时应该特别注意避免光照。对于热电材料，为了避免温差电动努对测量的影响，一般采用交流两探针法测量电阻率。在半导体器件生产中，通常用四探针法来测量扩散层的薄层电阻。在p型或n型单晶衬底上扩散的n型杂质或p型杂质形成一pn结。由于反向pn结的隔离作用，可将扩散层下面的衬底视作绝缘层，因而可由四探针法测出扩散层的薄层电阻，当扩散层的厚度＜0.53s，并且晶片面积相对于探针间距可视作无穷大时，样品薄层电阻为VR………………

6、………..(8)sln2I薄层电阻也称为方块电阻R。长L和宽W相等的一个方块的电阻称为方块电阻R。如果一个均匀导体是一宽为W、厚度为d的薄层，如图2所示，则LLR……………..(9)SdWdR单位为/。可见，R阻值大小与正方形的边长无关，故取名为方块电阻，仅仅与薄膜的厚度有关。用等距直线排列的四探针法，测量薄层厚度d远小于探针间距s的无穷大薄层样品，得到的电阻称之为薄层电阻。图2薄层电阻示意图在用四探针法测量半导体的电阻率时，要求探头边缘到材料边缘的距离远远大于探针间距，一般要求10倍以上；要在无振动的

7、条件下进行，要根据被测对象给予探针一定的压力，否则探针振动会引起接触电阻变化。光电导和光电压效应严重影响电阻率测量，因此要在无强光直射的条件下进行测量。半导体有明显的电阻率温度系数，过大的电流会导致电阻加热，所以测量要尽可能在小电流条件下进行。高频讯号会引入寄生电流，所以测量设备要远离高频讯号发生器或者有足够的屏蔽，实现无高频干扰。三、实验内容：1．用四探针法测量不同尺寸硅片的电阻率和方块电阻；2．用四探针法测量不同扩散工艺硅片的电阻率和方块电阻；3.在有光照和无光照条件下观察硅片方阻值的变化。四、实验仪器：CN61

8、M/KDY-4型电阻率测试仪，KD型四探针测试架（探针间距s=1mm）五、实验步骤：1.打开四探针测试仪背后电源，预热30分钟。2.按下操作面板中“恒流源”按钮，选择“10mA”“电阻率”“正测”测试档。3.将样片放在测试架台上，尽量避免沾污样品表面。4.缓慢下放测试架使探针轻按在样片上，听到测试仪内部发出的“咔”声，电流表、电压表有示数即可，