半导体工艺技术复习题

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1、CK0712半导体工艺技术复习指导考试时间：11月23日（13周周一）下午2:30-5:00,东九楼B403考试范围：《半导体制造基础》、讲义、作业题考试题型：名词解释、选择、简答、问答考试请携带：钢笔或圆珠笔、铅笔、尺、计算器、橡皮几点注意：1.重点掌握各章节的器件或工艺原理2.公式需记忆，但不超过作业题的范围；以下为复习要点：★首先，各章布置的习题要会做，所有习题都是考试范围。第一章绪论1.简单叙述微电子学对人类社会的作用2.解释微电子学、集成电路的概念3.列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用第二章半导体及其基本特性1.半导体、N型半导体、P型半导

2、体、本征半导体、非本征半导体2.载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子3.能带、导带、价带、禁带4.掺杂、正掺杂、负掺杂、施主、受主5.输运、漂移、扩散、产生、复合第三章半导体器件1.描述二极管的工作机理2.描述双极晶体管的工作机理3.描述MOSFET的工作原理第四章集成电路制造工艺概述1.集成电路工艺主要分为哪几大类，每一类中包括哪些主要工艺，并简述各工艺的主要作用第五章晶体生长1.简述晶圆制造过程。2.简述CZ（直拉法）生长单晶硅的过程。3.简述悬浮区熔法（区熔法)的原理4.晶圆切割时的主标志面和次标志面指什么，有何作用？5.识别晶圆标志面。第六

3、章硅氧化1.硅热氧化的基本模型2.生长氧化层的两个阶段：线性阶段和抛物线阶段3.叙述干氧氧化和湿氧氧化的工艺过程和优缺点。4.氧化层厚度表征方法第七章光刻1.光刻刻蚀光刻胶（光致抗蚀剂）正光刻胶负光刻胶反应离子刻蚀2.超净间分级3.光刻的最小线宽（临界尺寸）、分辨率、聚焦深度等主要参数的含义与计算4.掩膜材料及制作方法。5.光刻胶（光致抗蚀剂）的主要成分及它们的作用。6.描述正性和负性光刻胶在曝光过程中的变化。7.遮蔽式曝光、接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光8.紫外光谱的大致范围是？紫外光曝光光源的种类。9.半导体光刻工艺过程步骤及作用。10.认识光刻机系统组成与作

4、用。11.了解下一代光刻技术第八章刻蚀1.何谓湿法刻蚀和干法刻蚀？它们各有什么优缺点。2.各向同性刻蚀、各向异性刻蚀、各向异性比值、腐蚀速率均匀度、刻蚀选择性（选择比）3.了解各种介质的湿法化学腐蚀方法4.何谓等离子体，等离子体产生原理；5.刻蚀终点探测与控制6.反应等离子体刻蚀技术原理及其优势7.光刻胶去除方法第九章扩散1.掺杂、扩散、恒定表面浓度扩散、恒定掺杂总量扩散、本征扩散、非本征扩散2.扩散的原理、驱动力、扩散方程第十章离子注入1.离子注入、射程、投影射程、投影偏差、横向偏差、注入损伤2.叙述离子注入中的离子中止（或称离子阻止）机制3.什么是离子注入的沟道效

5、应，如何克服？4.轻离子和重离子注入损伤的不同之处。5.离子注入后退火的目的、方法与效果。6.何谓快速热退火（RTA），与传统退火比有何优缺点。7.认识离子注入机系统组成与作用。第十一章薄膜淀积1.外延同质外延异质外延物理气相沉积化学气相沉积真空蒸镀、溅射、LowK材料、HighK材料2.薄膜气相沉积大体上分为哪两类工艺方式，各有什么特点？3.简述APCVD、LPCVD、PECVD的工艺特点和在芯片制造中的主要应用。1.SiO2有哪些制作方法，各有什么用途？2.氮化硅的沉积方法有哪些，各有什么用途？3.多晶硅薄膜的制作方法4.金属膜的制作方法5.为何在半导体工艺中要使

6、用LowK材料代替SiO2，和铜代替铝？6.使用HighK材料的意义和作用。第十二章工艺集成1.双极晶体管和MOS场效应管的制造工艺步骤2.闩锁效应及其防止方法3.画出CMOS反相器的截面图和俯视图第十三章微电子技术发展的规律及趋势1.了解电学测试与封装2.了解半导体制造技术未来发展趋势和挑战