集成电路设计基础Ch01引言

《集成电路设计基础Ch01引言》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、IC设计基础mobing@hqu.edu.cn华侨大学电子工程电系2012年80年代以后—DRAM的发展时间容量面积工艺价格1982256K45mm22P2umNMOS$5119861M75mm23P1.2umCMOS$10019884M95mm23P2M0.8umCMOS$124199116M130mm24P2M0.5umCMOS$275199464M170mm25P3M0.35umCMOS$5751998256M204mm25P3M0.25umCMOS$57520031G表1.221.2当前国际集成电路技术发展趋势312英寸(300mm)0.09微米是

2、目前量产最先进的CMOS工艺线关心工艺线4集成电路技术发展趋势1)特征尺寸：微米亚微米深亚微米，目前的主流工艺是0.13m和0.18m，90nm和65nm已开始走向规模化生产；2)电路规模：SSISOC；3）晶圆的尺寸增加,当前的主流晶圆的尺寸为8英寸,正在向12英寸晶圆迈进；4）集成电路的规模不断提高,最先进的CPU(P-IV)已超过4000万晶体管,DRAM已达Gb规模；55）集成电路的速度不断提高,人们已经用0.13mCMOS工艺做出了主时钟达2GHz的CPU；>10Gbit/s的高速电路和>6GHz的射频电路；6）集成电路复杂度不断增加

3、，系统芯片或称芯片系统SoC(System-on-Chip)成为开发目标；7）设计能力落后于工艺制造能力；8）电路设计、工艺制造、封装的分立运行为发展无生产线（Fabless）和无芯片（Chipless）集成电路设计提供了条件，为微电子领域发展知识经济提供了条件.集成电路技术发展趋势61.3无生产线集成电路设计技术7集成电路发展的前三十年中，设计、制造和封装都是集中在半导体生产厂家内进行的，称之为一体化制造(IDM，IntegratedDeviceManufacture)的集成电路实现模式。近十年以来，电路设计、工艺制造和封装开始分立运行，这为发展无生产线

4、（Fabless）集成电路设计提供了条件，为微电子领域发展知识经济提供了条件。IDM与Fabless集成电路实现8FablessandFoundry:Definition无生产线与代工:定义WhatisFabless?ICDesignbasedonfoundries,i.e.ICDesignunitwithoutanyprocessownedbyitself.WhatisFoundry?ICmanufactorypurelysupportingfablessICdesigners,i.e.ICmanufactorywithoutanyICdesignent

5、ityofitself.9RelationofF&F(无生产线与代工的关系)LayoutChipDesignkitsInternetFoundryFabless设计单位代工单位10RelationofFICD&VICM&Foundry无生产线IC设计-虚拟制造-代工制造FoundryIFoundryIIFICD:fablessICdesignerVICM:virtualICmanufacture(虚拟制造)(MOSIS,CMP,VDEC,CIC,ICC…)FICD1FICD2FICD3FICD4FICDnVICMVICM111.4代工工艺12国内可用Fou

6、ndry(代客户加工)厂家13国内在建、筹建Foundry(代客户加工)厂家上海:“中芯”，8”,0.25m,2001.10“宏力”，8”,0.25m,2002.10“华虹-II”，8”,0.25m,筹建台积电(TSMC),已宣布在松江建厂北京:首钢NEC,8”,0.25m,筹建天津:Motolora,8”,0.25m,动工苏州:联华(UMC),已宣布在苏州建厂14MPW:costChip1Chip1Chip6Chip2Chip5Chip4Chip3$50000$50000€500/mm2CMP/FranceCharter/Singapore15

7、射光所RFICMPW项目已有客户编号时间单位名称12000年7月清华微电子所22000年8月南通工学院电子系32001年4月清华电子工程系42001年5月北京中科院半导体研究所52001年6月电子集团公司第13研究所62002年2月天津泰科特科技有限公司72002年3月北京六合万通微电子技术有限公司82002年3月上海英联电子有限公司92002年4月西安电子科技大学微电子所102002年5月电子集团公司第24研究所16清华大学设计的电路南通工学院设计的电路东南大学射光所应用MPW制作芯片情况以多项目晶圆形式完成了四批0.35微米CMOS、三批0.25微米C

8、MOS和两批砷化镓共九批50多种集成电路的设计、制造和测试,六批集