zch0场效应管及放大

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1、模拟电子技术基础电子教案V1.0陈大钦主编华中科技大学电信系邹韬平章目录模拟电子技术基础第1章绪论2学时第2章半导体二极管及其应用电路4学时第3章半导体三极管及其放大电路基础14学时第4章多级放大电路及模拟集成电路基础6学时第5章信号运算电路4学时第6章负反馈放大电路6学时第7章信号处理与产生电路4学时第8章场效应管及其放大电路4学时共：44学时第9章功率放大电路第10章集成运算放大器第11章直流电源2个器件BJTFET二极管核心内容1个电路三极管放大电路集成运放完美的放大电路核心基础2已知图示放大电路中三极管的=60，rbe=

2、3k。分析举例—提高输入电阻(1)若电容C3断开，求Ri(2)接上C3后，求Ri。3引言：多级放大输入级提高Ri的途径稳定Q自举电容4+vBE+iE+iC+iB放大电路vI=20mViB=20AiC=0.98mAvO=-0.98VRL1kVEEVCCIBIEICVBEecb++vI放大电路共基接法+vBE+iEii+iCiovO++iB=0.98Ri=vI/iB=1kRi=vI/iE=205引言8场效应管放大电路1、问题的引出进一步提高Ri，但BJT的Je正偏，rbe较小vBEvCEiBc

3、ebiCsgd61091012引言8场效应管放大电路(1)问题的引出(2)分类进一步提高Ri，但BJT的Je必须正偏，使rbe(r)较小FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型N沟道P沟道增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道P沟道（耗尽型）反偏的PN结10678场效应管及其放大电路8.2结型场效应管8.1金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管8.3场效应管放大电路及模拟集成电路基础8.4各种放大器件及电路性能比较类比：与BJT放大电路自学（归纳、比较）简单介绍，与JFET对比掌握场效应管的工作原理注意与BJT的异同点计划4学时8

4、.2结型场效应管8.2.1结型场效应管的结构和工作原理8.2.2结型场效应管的特性曲线及参数2.工作原理1.结构和符号2.主要参数(阅读)1.特性曲线与特性方程JunctionField-EffectTransistor要点：(1)了解JFET(PN结FET)的工作原理和特性(2)特别注意与BJT的异同点98.2.1结型场效应管的结构和工作原理(1)结构和符号(2)工作原理vBEvCEiBcebiCvBEvCEiBcebiC导电沟道电阻—长度、宽度、掺杂已知PN结反偏时：空间电荷区(耗尽层)加宽且反偏电压耗尽层问题：如何提高Rib?BJ

5、T：Je正偏,使rbe较小(iB0)JFET:希望iB=0,反偏PN结N型导电沟道漏极D(d)源极S(s)栅极G(g)10(2)工作原理(1)结构和符号①VGS对沟道的控制作用(VDS=0)②VDS对沟道的影响(VGS=0)③VGS和VDS同时作用时N沟道结型场效应管(a)结构剖面图(b)结构示意图8.2.1结型场效应管的结构和工作原理11结论:可变电阻(受vGS控制)耗尽型(沟道被耗尽时为全夹断)(2)工作原理①VGS对沟道的控制作用(VDS=0)VGS=0VGS＜0(反偏)VGS=VP耗尽层加厚沟道变窄沟道电阻增大VG

6、S=0沟道最宽沟道电阻最小VGS＜0:随

7、VGS

8、VGS=VP(夹断电压)沟道为全夹断8.2.1结型场效应管的结构和工作原理12(2)工作原理②VDS对沟道的影响(VGS=0)VDSID影响：由于VGD<0，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变得不等宽，呈楔(xiē)形分布。VGD=VP时：在紧靠漏极处出现预夹断。VDS夹断区等比例延长,故ID基本不变(饱和)VGD=VGSVDSVDS较小时：楔形对沟道电阻影响不大VDS较大时：楔形对沟道影响增大，使沟道电阻，IDVDS(sat)=VGSVP=VPV

9、DSID略有增大，沟道长度调制(枝节问题-251页)8.2.1结型场效应管的结构和工作原理13(2)工作原理结论：预夹断后为饱和区，iD不依赖vDS。条件vDS>vDS(sat)VDS(sat)=VGSVP预夹断点轨迹VDS(sat)=VGSVP=VP③VGS和VDS同时作用时8.2.1结型场效应管的结构和工作原理14综上分析可知vBEvCEiBcebiCvBEvCEiBcebiC耗尽型沟道JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系(受vGS控制可变电阻)；预夹断后,iD趋于饱和。JFET栅极与沟

10、道间的PN结是反向偏置的,因此iG0,Ri很高。8.2.1结型场效应管的结构和工作原理沟道中只有多数载流子参与导电,场效应管也称单极型三极管。158.2.2结型场