练习3 场效应管及放大电路

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1、练习3场效应管及放大电路1.场效应管是利用外加电压产生的________来控制漏极电流的大小的。A.电流B.电场C.电压2.场效应管是________器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流3.三极管是_________器件。A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流4.结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流5.场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。A.少子B.电子C.多子D.两种载流

2、子6.P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。A.正值B.负值C.vGSD.零7.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。A.正值B.负值C.零8.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。A.正值B.负值C.零9.vGS=0时，不能工作在放大区的场效应管是________。A.结型管B.耗尽型MOS管C.增强型MOS管10.N沟道耗尽型MOS管产生预夹断的条件是_________。A.

3、vDS

4、≥

5、vGS-VP

6、B.vDS≥vGS–VT及vGS＞VTC.

7、vDS

8、≥

9、vGS-VT

10、D.

11、vDS≥vGS–VP及vGS＞VP11.N沟道增强型MOS管产生预夹断的条件是_________。A.

12、vDS

13、≥

14、vGS-VP

15、B.vDS≥vGS–VT及vGS＞VTC.

16、vDS

17、≥

18、vGS-VT

19、D.vDS≥vGS–VP及vGS＞VP12.各种场效应管对电压vDS极性的要求由_________决定。A.vGS的极性B.耗尽型还是增强型C.沟道的类型13.结型场效应管中，外加电压vGS和vDS的极性_________。A.无特殊要求B.必须相反C.必须相同14.P沟道耗尽型MOS管中，外加电压vGS的极性为_________。

20、A.正B.负C.可正可负15.P沟道耗尽型MOS管中，外加电压vDS的极性为_________。A.正B.负C.可正可负16.P沟道增强型MOS管中，外加电压vGS的极性为_________。A.正B.负C.可正可负17.P沟道增强型MOS管中，外加电压vDS的极性为_________。A.正B.负C.可正可负1.结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路，即自偏压方式和分压式自偏压电路。A.正确B.错误2.增强型MOS管也可以采用与结型场效应管同样的两种偏置方式。A.正确B.错误3.耗尽型MOS管不能采用自偏式方式。A.正确B.错

21、误4.下图所示电路中能进行正常放大的是电路_________。A.(a)B.(b)C.(c)(a)(b)(c)5.为使下图所示电路具有放大作用，必须_________。A.在源极加一电阻RB.在栅极与Rg2间加一电阻Rg3C.去掉电阻Rg2D.将电源+VDD改为-VDD1.电路如下图所示，其中图(a)是____组态。A.共源-共射B.共漏-共射C.共漏-共集D.共源-共集图(b)是____组态。A.共源-共射B.共漏-共射C.共漏-共集D.共源-共集(a)(b)24.两级放大电路的组成框图如下图所示，给你提供的元件有三级管(其b

22、=100,rbe=1kW)，场效应管(其gm=2ms),Rc或Rd约为10kW，Re或R(源极电阻)约为1kW。信号源的频率范围为20Hz-10kHz。要求当信号源内阻Rs从1kW变到100kW，负载电阻RL从10kW变到1kW时，且，同时希望和RL的接入不影响该电路的静态工作点，电路的体积、重量要小。该电路应选用____耦合方式。A.直接耦合B.阻容耦合C.变压器耦合第一级放大电路应选用____组态。A.共源B.共射C.共漏D.共集第二级放大电路应选用____组态。A.共源B.共射C.共基D.共集练习3场效应管及放大电路1.B

23、2.C3.D4.A5.B6.A7.B8.A9.C10.A11.B12.A1.B2.C3.B4.B5.B6.A7.B8.A9.C10.A11.BD12.CD