DSP第四章存储器与IO空间

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1、第三章存储器与I/O空间TMS320C2000器件有4种可独立选择的空间，共224K字：(1)64K字的程序存储器空间：存放要执行的指令及程序执行时使用的数据(2)64K字的局部数据存储器空间：存放指令使用的数据。(3)32K字的全局数据存储器空间：通过扩展外部存储器得到，用来存放与其他处理器共用的数据。(4)64K字的I/O空间：用于与外部的设备接口和片内外设寄存器。这224K字空间包括片内存储器、外部存储器和I/O设备。片内存储器操作的优点：速度快，功耗小。外部存储器操作的优点：可以访问更大的地址空间。TMS320C2000器件设计以改进的哈佛结构为基础，存储空间可由3组16位的

2、并行总线访问，即程序地址总线(PAB)，数据读地址总线(DRAB)，数据写地址总线(DWAB)。3组总线的操作是独立的，因此可以同时访问程序空间和数据空间，即在一个给定的机器周期里，中央算术逻辑单元(CALU)可执行3种存储器操作。§3.1存储器的类型TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：（1）片内双访问存储器(DARAM)（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)（3）掩模型片内ROM存储器（4）闪速存储器(Flash)§3.1存储器的类型TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：（1）片内双访问存储器(DARAM)（2）片内单访问程序/数据存储器(SARA

3、M)（3）掩模型片内ROM存储器（4）闪速存储器(Flash)：DARAM：单个机器周期可被访问两次的存储器。所有C2000器件都有片内DARAM，分为三块：B0，B1，B2。可被配置为数据存储器，也可配置为程序存储器。（只对B0块）§3.1存储器的类型TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：（1）片内双访问存储器(DARAM)（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)（3）掩模型片内ROM存储器（4）闪速存储器(Flash)：SARAM：每个机器周期仅能访问一次的存储器。C2000的有些器件内含有SARAM。SARAM可配置为程序存储器或数据存储器。配置为内部程序存储

4、器SARAM时，程序代码可以从片外ROM调入，并被全速执行。§3.1存储器的类型TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：（1）片内双访问存储器(DARAM)（2）片内单访问程序/数据存储器(SARAM)（3）掩模型片内ROM存储器（4）闪速存储器(Flash)：由生产厂家已写好程序的存储器，用户只能读不能写。有些C2000器件片内有掩模型ROM作为程序存储器。如果用户需要定制掩模型片内ROM，可按目标文件格式提供程序代码或数据，由芯片生产厂家对ROM进行掩模。§3.1存储器的类型TMS320C2000器件的片内存储器有4种类型：（1）片内双访问存储器(DARAM)（2）片内

5、单访问程序/数据存储器(SARAM)（3）掩模型片内ROM存储器（4）闪速存储器(Flash)：电可擦除与编程的非易失性程序存储器。适合系统应用开发。§3.2程序存储器程序存储器存放应用程序的代码、表格信息和固定操作数TMS320C2000器件可寻址的程序存储器地址有64K字。C2000器件的程序存储器类型：片内DARAM(B0块）片内SARAM片内ROM/Flash片外ROM1．程序存储器地址分配（TMS320LF2407型号芯片）0000～003Fh：中断向量地址0040～0043h：保留地址0044～7FFFh：片内Flash（32K字）8000～87FFh：片内SARAM（2

6、K字）8800～FDFFh：片外ROMFE00～FEFFh：保留区；访问该区与访问FF00～FFFFh区相同。FF00～FFFFh：片内DARAM（B0）（256字）2．程序存储器的配置MP/MC引脚：MP/MC=0（接地）：微控制器方式，配置为片内ROM/FlashMP/MC=1（接高电平）：微处理器方式，配置为片外ROM2．程序存储器的配置2）CNF位：决定片内DARAM(B0)的地址映射CNF=1：256字的片内DARAM(B0)被配置到程序存储器空间(FF00～FFFFh)CNF=0：不可访问的片内程序DARAM（B0被配置到数据存储器空间）注意：B0无论是被配置到程序空间，

7、还是被配置到数据存储器空间，都是同一物理存储器块2．程序存储器的配置3）PON位（SCSR2-D0）PON=1：SARAM被映射到片内程序空间（8000～87FFh）；PON=0：SARAM不被映射到片内程序空间。（SARAM可能被映射到片内数据空间）§3.3局部数据存储器1．C2000器件片内都有3个DARAM块：B0、B1、B2。B0块有256个字，可配置为数据存储器或程序存储器。B1块有256个字，只能作为数据存储器。B2块有32个字，只能作为数据存