《存储器和io空间》word版

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1、TMS320LF240x系列DSP原理及应用第5章存储器和I/O空间本章介绍TMSLF240xDSP的程序存储器空间、数据存储器空间和I/O空间。TMSLF240xDSP具有16位地址线，可访问分别访问这三个独立的地址空间，每个空间的容量均为64K字：（1）程序存储器空间－64K字；（2）数据存储器空间－64K字；（3）I/O空间－64K字。注意:LF240xDSP的所有片内外设的寄存器均映射在数据存储器空间。以“LF”为前缀的DSP芯片具有Flash存储器，而以“LC”为前缀的芯片，片内有CMOS工艺的程序存储器，而没有Flash存储器。在LF2407/LF2407A的

2、片内具有2K字的单访问RAM（SARAM）和544字的双访问RAM（DARAM：B0块-256字；B1块-256字；B2-32字）5.1片内存储器5.1.1双访问RAM(DARAM)所有LF240xDSP片内均有544字双访问RAM（DARAM）。双访问RAM在一个机器周期内可被访问2次，即在一个机器周期的主相写数据到DARAM；而在该周期的从相从DARAM读出数据，从而大大提高了运行速度。544字双访问RAM分为三块：B0、B1和B2，该存储器空间主要用来保存数据，但是B0块也可以用来保存程序。B0块配置成数据存储器空间还是程序存储器空间，要由寄存器ST1的CNF位来决

3、定：（1）CNF=1，B0映射到程序存储器空间；（2）CNF=0，B0映射到数据存储器空间。5.1.2单访问RAM(SARAM)LF2407/LF2407A的片内有2K字的单访问RAM（SARAM）。单访问RAM在一个机器周期内只能被访问1次。例如，如果一条指令要将累加器的值保存，并且装载一个新值到累加器，在SARAM中，完成这个任务需要两个时钟周期，而在DARAM中只需要一个时钟周期。利用软件可将SARAM配置成外部存储器或内部SARAM。5.1.3Flash程序存储器片内的Flash存储器映射到程序存储器空间。对于LF2407/LF2407A，MP/引脚决定是访问片内

4、的程序存储器（Flash）还是访问片外的程序存储器。1．Flash程序存储器Flash可以被编程（在15MHz至40MHz的时钟频率范围内）或者使用电擦除的方式多次使用，以便进行程序的修改和开发。Flash模块具有如下特点：5-9TMS320LF240x系列DSP原理及应用l运行在3.3V电压模式。l对Falsh编程时需要在VCCP上有5V（±5％）电压供电。lFlash有多个向量，用来保护它，防止被擦除。lFlash的编程是由CPU来实现的。2．Flash控制方式寄存器（FCMR）除了Flash存储器阵列，Flash模块还有4个寄存器。控制在Flash中的操作。在任意给

5、定的时间内，用户可以访问Flash模块中的存储器阵列，也可以访问控制寄存器，但不能同时访问。Flash模块有一个Flash控制方式寄存器来选择两种访问模式。该寄存器映射在内部I/O空间的FF0Fh，这是一个不能读的特殊功能寄存器，它可以在Flash的存储器阵列方式下使能Flash，用来对Flash阵列编程。该寄存器的功能如下：l使用该寄存器地址的OUT指令，可以将Flash模块置于寄存器访问模式，被使用的数据操作数是无意义的。例如：OUTdummy,0FF0Fh；选择寄存器访问方式l使用该寄存器地址的IN指令，可以将Flash模块置于存储器阵列访问模式，被使用的数据操作数

6、是无意义的。例如：INdummy,0FF0Fh；选择存储器阵列访问方式5.2程序存储器程序存储器空间用于保存程序代码以及数据表和常数，其寻址范围为64K，包括了片内DARAM和片内Flash。当一个片外程序存储器地址需要访问时，DSP会自动产生相应的访问外部程序存储器地址空间的控制信号（、等）。图5-1所示为LF2407/LF2407A的程序存储器空间的映射。图5-1LF2407/2407A的程序存储器映射有两个因素决定程序存储器的配置：（1）CNF位。CNF位是状态寄存器ST1的第12位，决定双访问RAM（DARAM）配置在数据存储器空间，还是配置在程序存储器空间。lC

7、NF＝0时，256字的B0块被映射到数据存储器空间。lCNF＝1时，256字的B0块被映射到程序存储器空间。在复位时，由于CNF＝0，B0块则被映射到数据存储器空间。5-9TMS320LF240x系列DSP原理及应用（2）MP/引脚。该引脚决定是从片内Flash/ROM读取指令。还是从外部程序存储器读取指令。lMP/＝0时，器件被配置为微控制器方式。片内Flash可以被访问，器件从片内程序存储器中读取复位向量。对于LF2407/LF2407A芯片，此时访问的是片内程序存储器的0000h-7FFFh空间。lMP/＝1时，器件被配