珠海炬力笔试题目搜集

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1、前几天去炬力霸王笔了，模拟的题目大概有5道:1.CMOS反相器的，似乎是将其作放大器用，加上电阻反馈的分析，还是用电压叠加的方法做的2.电阻、电容网络分析零、极点，就是写传输函数啦3.电流镜偏置的电流源/沉匹配的问题4.LDO的分析，电流输出分析，关于PMOS/NMOS差分对比较之类5.CMOS电路分析，似乎是源跟随和电流镜的东西做的时候感觉还行，可回来再看，发现还是有蛮多问题，像电流匹配的问题，这几天看全差分和CMFB的时候才发现自己分析的有问题，水平还是不够啊。闭关闭关！！二珠海炬力笔试题（部分、答案仅供参考）QingGaoshouzh

2、ijiao1．降低NMOS的开启电压VT的方法，哪种无效？CA.减少衬底的P型掺杂浓度B.减少氧化层厚度C.增加源漏极的N型掺杂浓度D.减少沟道长度2．IOPAD的设计，一般不常考虑的因素DA.ESD特性B.驱动能力C.施密特触发器D.衬偏效应3．逻辑电路低功耗设计中，无效的方法CA.采用慢速设计B.减少信号翻转C.减少IC面积D.采用较慢速的时钟。1．写出序列探测器“11000”的RTL代码。module(data_in,reset,clk,find);inputdata_in,reset,clk;outputdata_out;param

3、eterS0=0,S1=1,S2=2,S3=3,S4=4;reg[2:0]state;wire[2:0]next_state;assignfind=0;always@(state)case(state)S0:beginfind=0;if(data_in)next_state=S1;elsenext_state=S0;endS1:beginfind=0;if(data_in)next_state=S2;elsenext_state=S0;endS2:beginfind=0;if(!data_in)next_state=S3;elsenext_

4、state=S0;endS3:beginfind=0;if(!data_in)next_state=S4;elsenext_state=S0;endS4:beginif(!data_in)find=1;elsefind=0;next_state=S0;endcasealways@(posedgeclkornegedgereset)if(!reset)beginstate<=S0;endelsestata<=next_state;endmodule三今天的下午笔试题目回忆(IC测试)笔试是在东南大学中山院，一个小时，题量适中。有数电，模电，信

5、号，微机，C++，最后一道是关于测试的英文翻译中文题。趁现在还没忘光，给大家说下，希望对后来者有点小帮助。第一大题是5道选择题，30分。有关64位CPU是指什么，电容和电感的作用，阻抗和感抗的单位，FPGA的组成，C++中sizeof的问题(知道sizeof(指针名)＝4就OK了)，给一个负反馈电路让判断是什么类型的反馈，等等。第二大题5道填空题，也是30分。场效应管和晶体管相比的特点是什么；选择题中负反馈电路最后一级共射放大电路的发射级电流Ie3增大时问第一级共射的Ube1和Uce1以及第二级共射的Uce2增大还是减小；竞争冒险有哪两种并

6、判断一个电路中的竞争冒险属于哪种；给你一个三极管三个电极的电压让判断是什么材料的还有集电极是哪个；给一个四位十进制数(好像是2067)求它的十进制补码和十进制反码；给一个阶跃信号实现一个矩形序列。第三大题是大题，有5分的，有7分8分的。给一个CMOS反相器让写出它的逻辑功能，并根据它来实现与非门。写出布尔型变量、实数和指针与零比较的C++语句。给一个移位寄存器电路，根据输入和CP画输出波形。给一段微机中的汇编代码，问它实现什么功能，并画出流程图。给一段让你认识到测试在产品生产中有多重要的英文，四五行吧，翻译。附：笔试貌似很正规，拿着学生证身

7、份证对照着名单才给进，和我一起冒着雨去东大霸王笔的两个同学被挡在外面，只好在隔壁教室里听另一个公司的宣讲会。四下午做了珠海炬力的笔试题投的技术支持工程师，发下两套卷子，硬件和软件匆匆翻了一下软件，好多看着都很陌生，于是就答硬件题主要考的内容：1.chars[]="ab";char*p=s;问：*(p+1)=?*(p+2)=?2.一道电路图的题，最后让求某一段的电压u3.卷积的题4.单片机中存储器RAM需要几个片子，几根地址线？5.给出一个十进制的数，让求二进制的数？6.给出一个放大电路，让求一些电流关系7.给出两个函数的图形，利用傅立叶变换

8、的性质来求一个函数的傅立叶函数8.数字电路的上升沿和下降沿有时会出现明显的振铃现象，负载端为了得到较理想的矩形，可使用什么触发器？9.求一个由两个放大器组成的放大电路，求其中的电