集成电路中的无源元

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1、第三章集成电路中的无源元件信息工程学院李薇薇liweiwei@hebut.edu.cn3.1集成电阻器低阻类电阻，如发射区扩散电阻（薄层电阻）RSE≈5Ω/□，埋层电阻（薄层电阻，RS，BL≈20Ω/□）；高阻类电阻，如基区沟道电阻（薄层电阻RSB1=5~15kΩ/□），外延电阻（薄层电阻，RS，epi≈2kΩ/□）；高精度电阻，如离子注入电阻（薄层电阻RS1=0.1~20kΩ/□，常用范围为1~4kΩ/□），薄膜电阻（薄层电阻RSF=10~400Ω/□）3.1.1基区扩散电阻这类电阻器的阻值粗略估算为RS为基区扩散层的薄层电阻；L，W分别为电阻器的宽度和长度。3

2、.1.1基区扩散电阻基区扩散电阻最小条宽的设计受到三个限制：由设计规则决定的最小扩散条宽；由工艺水平和电阻精度决定的最小电阻条宽WR,min；由流经电阻的最大电流所决定的WR,min。在设计电阻最小条宽WR,min时，应取三者中最大的一种。3.1.1基区扩散电阻(1)设计规则决定的最小扩散条宽Wmin设计规则是从工艺中提取的、为保证一定成品率而规定的一组最小尺寸。这些规则主要考虑了制版、光刻等工艺可实现的最小线条宽度、最小图形间距、最小可开孔、最小套刻精度等。所以在设计扩散电阻的最小扩散条宽时，必须符合设计规则。3.1.1基区扩散电阻(2)工艺水平和电阻精度要求所

3、决定的最小电阻条宽WR,min3.1.1基区扩散电阻(3)流经电阻的最大电流决定的WR,min3.1.2其他常用的集成电阻器1、发射区磷扩散电阻3.1.2其他常用的集成电阻器另一种发射区扩散电阻结构如图3.7所示。这类发射区扩散电阻可与其他电阻做在一个隔离岛上，但发射区扩散电阻要坐在一个单独的P型扩散区中，要使三个PN结都处于反偏。由于这种结构有寄生PNP效应，所以需要掩埋层。发射区扩散电阻主要用来作小阻值电阻和在连线交叉时作“磷桥”用，其电阻值的计算方法和基区扩散电阻类似。3.1.2其他常用的集成电阻器2、隐埋层电阻3.1.2其他常用的集成电阻器3、基区沟道电阻

4、3.1.2其他常用的集成电阻器4、外延层电阻（体电阻）3.1.2其他常用的集成电阻器5、离子注入电阻3.1.2其他常用的集成电阻器3.1.2MOS集成电路中常用的电阻1、多晶硅电阻3.1.2MOS集成电路中常用的电阻2、用MOS管形成电阻3.1.2MOS集成电路中常用的电阻3.2集成电容器3.2.1双极集成电路中常用的集成电容器1、反偏PN结电容器3.2.1双极集成电路中常用的集成电容器2、MOS电容器3.2.2MOS集成电路中常用的MOS电容器1、感应沟道的单层多晶硅MOS电容器3.2.2MOS集成电路中常用的MOS电容器2、双层多晶硅MOS电容器3.3互连3.

5、3.1金属膜互连3.3.1金属膜互连长引线的电阻一般情况下铝互连线的电阻是很小的，但是当铝膜太薄或铝连线太长，宽度太窄时，铝连线的电阻不可忽视。大电流密度的限制电流太大会引起铝膜结球，即使电流不太大，长时间较大电流通过铝条，会产生铝的“电迁移”现象，即铝离子从负极向正极方向移动。结果在铝线一端产生晶须，另一端则产生空洞，严重时甚至断路。Si-Al互熔问题高温下，Al，Si会形成Al-Si共溶体，在共熔点温度（577摄氏度）下，1微米厚的Al膜可熔去0.12微米的硅层，而是很薄的双极晶体管的发射区扩散层和MOS的源、漏扩散层变得更薄。另一方面，Al-Si共熔体中析出

6、的Si原子，会向附近的纯铝中扩散，所以在小接触孔附件有大块的铝条的情况下，虽然合金温度不太高，也会从接触孔边缘开始把PN结熔穿。3.3.2扩散区连线3.3.3多晶硅连线3.3.4交叉连线3.3.4交叉连线3.3.4交叉连线