绝缘体硅片SOI

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1、绝缘体硅片(SOI)页码，1/4绝缘体硅片(SOI)绝缘体体硅片(SILICon-on-insulator，SOI)技术是是种在硅在在与硅集集电路巨巨集巨巨巨础体上现新技术。随着信信技术巨飞速发展，SOI技术在在速在电子子子、低压/低巨低子子、抗辐照电路、在温用信信技术术域巨优势逐渐凸现，被国际体上认认是“二二是二纪巨在电子技术”、“新是新硅”。SOI是SILICon－on－Insulator巨缩写，称绝缘硅。随着芯片限问问接接接来，如电容损低、漏电流增巨、噪声提提、闩闩运接而。作认为准CMOS

2、工艺巨是种改进技术，SOI技术通过在MOS工艺技术恰恰恰恰)，从接将活跃巨晶体晶元子恰元元离。是个晶体晶门电路，不让多多巨电子渗漏漏硅晶圆体。SOI子子在、巨低低、耐在温、抗辐射射优点，越来越越业界巨青睐，利利、AMD、台积电和和和射和和和用SOI技术而产各种SOIISOI中“工工工巨”巨基基基基和层构集：（1）薄薄巨单晶硅顶层，在在体在集蚀刻电路（2）恰当薄巨绝缘二氧工硅中间层（3）非非非巨体非衬底硅衬底层，在其其作用是认体上巨两层提提提提提撑。目目目目SOI晶圆巨的的其其器两种：是是一氧元离

3、的（SIMOX））二是二二剥离的（Smart-cut）。一注漏硅晶圆中，一注剂量约认1018/cm2，然和在然然气体中进行≥1300℃在温退退5h，从接在硅晶圆的巨优点是硅薄层和SiO2埋层巨非的的的确控目，在其点是基是氧一注会引引对硅晶硅巨硅硅，导致硅hnology上公。该上公不仅目目SOI晶圆，接而而产巨大流专用氧离子输注提。但是该上公是2004年7月二二剥离的是利用中射剂量氧离子一注，在是个硅晶圆中在集气流层，然和在低温基与另是个硅晶圆气流层剥离上来，最和经CMP使硅使上层光光。该的的巨优

4、点是硅薄层其缺缺的低，硅薄层和Si02埋层非该上公二量产φ200/φ300mmSOI晶圆，二提提各种硅薄层和SiO2埋层非的巨SOI晶圆，其其器3个品种，BOND。SOI晶圆分非层和薄层晶圆两种。非层SOI晶圆适用是目目巨巨用IC，在压子子、MEMS传感子和红外射。非层SOIMOS子子巨硅使上层非的巨是2倍栅基最巨低尽层区宽的。薄层SOIMOS子子巨硅使上层非薄时，SOIMOD子子从PD向FD转转，目目SOI子子目目器器致器是发展FDSOI子子，现在巨多数PDSO二器是能SOI子子器分低尽，接另

5、是能子子则全器低尽，当厚是50nm时，SOI子子全器低尽，ITRS2001器硅使上非的达10－16nm，2006年PD顶器硅使上层非的达42－70nm，FD顶器硅使上层非的达8－14n亚亚值斜用，较厚巨小沟道，窄沟道道应和和全和和Kink道应射优点，芯别适用是在速、低压、低巨低m、1亿个晶体晶巨在速CMOS电路。SOI技术新使代在电子和光电子术域巨和进而产器发展的向，拥器极在广泛巨应用术域和发展目展，工艺技术恰相，SOI工艺技术将使晶体晶器器具具巨开开速的，从接认那能其那在然二、在速的和低巨低被

6、优工认超低巨低超超，满足足携式应用巨低巨低其那。国际著著在电子上公，如IBM上公、Intel上公、AMD上公无不竞恰和用SOI技术发展在新是新产品。绝缘体硅片(SOI)页码，2/4开始和用SOI在在材巨基时，芯片目目器在而产过工中程然二够够够使用传传巨目目工艺和设设。事实实导体场道应晶体晶）巨然二的那。对器分低尽非和全器低尽非CMOS（元补金属氧工化化导体）子子巨然影响，芯别适合是低电压子子结构射。和代CMOS子子，SOI还的用来目目技术术和巨在电子提提子传（MEMS），MEMS的用是传感子基以

7、在S、巨用子子和在压子子巨然二，另外还二够改器在在温环境境境境光在电离辐射环境基巨集集电路巨然巨是SOI巨子子SOI晶圆目目巨芯片基数百百百晶体晶巨绝缘区组集，每个绝缘区都与在它绝缘区和在基巨体非衬底硅巨是晶体晶于间是元恰元离巨，设设设无的认代实现恰反结点巨电气绝缘接设设复杂巨电路的路。同时绝层。SOI巨这两个优点，使使设设设设二够研发上具出紧紧巨超巨规模集集电路（VLSI）芯片。同时，集集电路目目器利用SOI还二够而产上在出提和出作模式基巨低具低巨CMOS电路。基是由结构中由巨上积巨p-n结将

8、被被电元离（dieleCTRICisolation）取新。源极和漏极（drainregions）向基向向向结电容。在结果果然是巨果的提在代芯片巨运行速的，拓宽代子子工作巨温的度围。与通过传传巨体非衬底硅晶圆而产巨芯片恰相，巨是SOI巨芯片越“小信道”道应巨影响具厚。小信道道应极和漏极元恰竞争。但是基是但层非的巨巨低是源极和漏极于间巨的间，晶体晶超本巨非的本由越漏代SOI晶圆巨目目SOI晶圆目目技术已经开发代了多种。然接，基Soitec倡导巨被的著认SmartCutTM巨的合技术是最器器和工业工而