NAND的资料整理(通俗易懂)

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1、NAND的资料整理（通俗易懂）K9F2G08U0A的一页为（2K＋64）字节（加号前面的2K表示的是main区容量，加号后面的64表示的是spare区容量），它的一块为64页，而整个设备包括了2048个块。这样算下来一共有2112M位容量，如果只算main区容量则有256M字节（即256M×8位）。要实现用8个IO口来要访问这么大的容量，K9F2G08U0A规定了用5个周期来实现。第一个周期访问的地址为A0~A7；第二个周期访问的地址为A8~A11，它作用在IO0~IO3上，而此时IO4~IO7必须为低电平；第三个周期访问的地址为A12~A19；第四个周期访问的地址为A20~

2、A27；第五个周期访问的地址为A28，它作用在IO0上，而此时IO1~IO7必须为低电平。前两个周期传输的是列地址，后三个周期传输的是行地址。通过分析可知，列地址是用于寻址页内空间，行地址用于寻址页，如果要直接访问块，则需要从地址A18开始。 （2的12次方是4096，并不是2048，这是为什么？个人理解：为了兼容以后更大的NAND，NAND的地址序列可以把“列地址的长度”预留出来，虽说送的是A0-A7，A8-A11，实际取得是A0-A7，A8-A10；（页内地址空间））··········一共是2048*64=131072页，2的17次方              由于所有

3、的命令、地址和数据全部从8位IO口传输，所以nandflash定义了一个命令集来完成各种操作。有的操作只需要一个命令（即一个周期）即可，而有的操作则需要两个命令（即两个周期）来实现。下面的宏定义为K9F2G08U0A的常用命令：#defineCMD_READ1                0x00             //页读命令周期1#defineCMD_READ2                0x30             //页读命令周期2#defineCMD_READID              0x90             //读ID命令#defin

4、eCMD_WRITE1              0x80             //页写命令周期1#defineCMD_WRITE2              0x10             //页写命令周期2#defineCMD_ERASE1              0x60             //块擦除命令周期1#defineCMD_ERASE2              0xd0             //块擦除命令周期2#defineCMD_STATUS               0x70             //读状态命令#defineCMD_

5、RESET                0xff              //复位#defineCMD_RANDOMREAD1        0x05      //随意读命令周期1#defineCMD_RANDOMREAD2        0xE0      //随意读命令周期2#defineCMD_RANDOMWRITE        0x85      //随意写命令在这里，随意读命令和随意写命令可以实现在一页内任意地址地读写。读状态命令可以实现读取设备内的状态寄存器，通过该命令可以获知写操作或擦除操作是否完成（判断第6位），以及是否成功完成（判断第0位）。在网上找

6、了一些资料，又结合自己的经历谈一下我对NANDFlash的了解。S3C2440板的NandFlash支持由两部分组成：NandFlash控制器(集成在S3C2440CPU)和NandFlash存储芯片(K9F1208U0B)两大部分组成。当要访问NandFlash中的数据时,必须通过NandFlash控制器发送命令才能完成。所以,NandFlash相当于S3C2440的一个外设,而不位于它的内存地址区. NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所

7、谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page.Nand Flash 有多种结构，我使用的Nand Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M，数据存储容量为64MB ，采用块页式存储管理。一共有4096个block（块），每个block有32个page（页），每个page有 528Byte。 1block = 32page, 1page=528byte=512byte(Main Area)+16byte(Spare A