半导体器件一

《半导体器件一》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、1.加偏压的PN结的能带图1)热平衡时耗尽层宽度为2)加正向偏压时耗尽层宽度为3)加反偏压时耗尽层宽度为2.反向偏置PN结的少子分布和电流分布（a）少数载流子分布（b）少数载流子电流（c）电子电流和空穴电流正向偏置PN结的少子分布和电流分布（a）少数载流子分布（b）少数载流子电流（c）电子电流和空穴电流3.隧道效应产生隧道电流的条件（1）费米能级位于导带或价带的内部；（2）空间电荷层的宽度很窄，因而有高的隧道穿透几率；（3）在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的状态。(a)没有外加偏压(b)外加正向偏压(c)外加正向偏压(d)

2、外加正向偏压(e)外加反向偏压4.NPN晶体管共基极能带图（解释BJT的放大作用）电路图中基极既处于输入电路中又处于输出电路中，晶体管的这种连接方法称为共基极接法，由于发射结正向偏压，势垒降低了qVe，电子将从发射区向基区注入，空穴将从基区向发射区注入。基区出现过量电子，发射区出现过量空穴。过量载流子浓度取决于发射结偏压的大小和掺杂浓度。当基区宽度很小时，从发射区注入基极的电子除少部分被复合掉外，其余大部分能到达集电结耗尽区边缘。急电结处于反向偏压，急电结势垒高度增加了qVc。来到急电结的电子被电场扫入集电区，称为集电极电流。这个注入电子电流远大于反

3、偏急电结所提供的反向电流，构成集电极电流的主要部分。根据以上分析可以看出，BJT的输入电流的变化将引起输出电流的变化。如果在集电极回路中接入适当的负载RL就可以实现电压信号放大（Vout=@Ic*Rl）,这就是双极结型晶体管放大作用的基本原理。5.BJT电流分量示意图6.肖特基势垒能带图1）热平衡2）正偏压3）反偏压Ø根据加偏压的的肖特基势垒能带图与单边突变PN结，正偏压下半导体一边势垒的降低使得半导体中的电子更易于移向金属，能够流过大的电流。在反向偏压条件下，半导体一边势垒被提高。被提高的势垒阻挡电子由半导体向金属渡越。流过的电流很小。这说明肖特基

4、势垒具有单向导电性即整流特性。7.载流子积累、耗尽和反型强反型时的能带图载流子积累：紧靠硅表面的多数载流子浓度大于体内热平衡多数载流子浓度时，称为载流子积累现象。载流子反型：载流子类型发生变化的现象或者说半导体的导电类型发生变化的现象。反型条件：强反型条件：式中为出现强反型时的表面势。