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1、二凑彝黔命滚争铡撇满秘争渗绪耀势曝场麟料凑嘟争碌满郭争演翻雀甲镯羚癫硅片的化学清洗技术卜巍穿一嚷缈一食一食一噢张厥宗硅片经过切片、倒角、双面研日颗粒沾污运用物理日一的方磨、抛光等不同的工序加工后其表法可采用机械擦洗或超声波清洗技美国巨公司,‘》协,面已受到严重的沾污硅片清洗目术来去除粒径颗粒代的就在于清除晶片表面所有的微粒、利用兆声波可去除》。排颗美国公司金属离子及有机物等沾污。粒。注日本一丁日公司日一硅片的化学卜兆声清洗比机械擦洗或化学清洗效率高倍左右,所用化学试剂金属离子沾污硅片表面必清洗工艺原理是一般清洗方法用液的左右须采用化学清洗方法才能去除的
2、金硅片经过不同工序加工后其。见表属杂质沾污有两大类表面已受到严重污染一般来讲硅常用兆声换能器生产厂家一类是沾污离子或原子通过片表面沾污大致可分为三类日本丫引比公司日一吸附分散附着在硅片表面有机杂质沾污可通过有机另一类是带正电的金属离子溶剂的溶解作用结合超声波清洗“”日本公司得到电子后面附着尤如电镀到技术来去除。表飞超声波清洗与兆声波清洗比较超声兆声频率一一压电换能器材料铅一错酸盐一钦酸盐波长正弦波工作原理利用液的空洞效利用液分子加速度应气蚀作用产生能量产生的能量去除颗粒直径噪声有无损伤有无应用范围工业半导体丽事〕麦采飞濒癫蘸彝舞孵酬够然么巍黔黔癫。。硅
3、片表面。合物而随去离子水的冲洗而被去除的浓度升高而加快其与日。的浓硅抛光片的化学清洗目的就在为此用一液清洗抛光片既度无关。于要去除这种沾污一般可按下述能去除有机沾污,亦能去除某些金③的腐蚀速度随日日的、。力法进行清洗去除沾污属沾污。浓度升高而快当到达某一浓度后’‘“日一使用强氧化剂使电镀附着液是日和的为一定值日浓度越高这一值越,到硅表面的金属离子氧化成金属酸性溶液它具有极强的氧化性和小。溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。络合性能与氧以前的金属作用生一④闪日日促进腐蚀日阻碍用无害的小直径强正离子成盐随去离子水冲洗而被去除。被腐。蚀如日来替代吸附在硅片表面的
4、金氧化的金属离子与匕一作用生成的⑤若日的浓度一定,日,。属离子使之溶解于清洗液中可溶性络合物亦随去离子水冲洗而浓度越低,颗粒去除率也越低如果用大量去离水进行超声波清被去除。同时降低日浓度可抑制颗粒的去。洗以排除溶液中的金属离子在使一飞。用液时结合使用兆除率的下降口自,年美国日实验室提出声波来清洗可获得更好的效果⑥随着清洗液温度升高,颗粒的浸泡式化学清洗工艺得到了去除率也提高在一定温度下可达,广泛应用年日实验室又推清洗技术最大值。出兆声清洗工艺近几年来以⑦颗粒去除率与硅片表面腐蚀传统的清洗技术所用清清洗理论为基础的各种清洗技术不量有关为确保颗粒的去除要有
5、一洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统。断被开发出来见表。定量以上的腐蚀川美国陀公司推出离心喷淋一⑧超声波清洗时由于空化现清洗去除颗粒式化学清洗技术象只能去除协颗粒。兆川目的主要是去除颗粒沾污美国公司推出的粒子也能去除部分金属杂质。声清洗时由于。的加速度作一清洗技术用能去除林颗粒即使液去除颗粒的原理美国日丁公司推出的日温下降到也能得到与℃超声硅片表面由于氧化作用生,「卜的清洗技术清洗去除颗粒的效果而且又可避成氧化膜约呱呈亲水性该氧日本提出无药液的电介离子免超声清洗对晶片产生损伤。化膜又被日夕日腐蚀腐蚀后立即水清洗技术用电介超纯离子水清又发生氧化,氧化和腐蚀反
6、复进行⑨在清洗液中硅表面为负电洗使抛光片表面洁净技术达到了位有些颗粒也为负电位由于两者因此附着在硅片表面的颗粒也随腐新的水平蚀层而落入清洗液内。的电的排斥力作用可防止粒子向以汗为基础的硅片化学晶片表面吸附,但也有部分粒子表①自然氧化膜约厚其清洗技术日。日、面是正电位由于两者电的吸引力与日浓度及清洗液温度无,。目前常使用日作强氧化剂关。作用粒子易向晶片表面吸附选用日作为日的来源用于清除金去除金属杂质②的腐蚀速度随日日属离子。一液是日和日表清洗工序一一一的碱性溶液通过日的强氧化和一一闪气。日的溶解作用使有机物沾污变成水溶性化合物,随去离子水的冲液组成洗而被
7、排除。混合比、、由于溶液具有强氧化性和络合液温室温、、、、、、。,。性能氧化时间。、、等使其变成高价离子然之超声波幻后进一步与碱作用生成可溶性络到蔑采灌奏臻蒸夔翻卿瞬驯丽气澎揍犷巍①由于硅表面氧化和腐蚀,硅金属浓度。其吸附速度与清洗液中表面的颗粒协的颗粒会增片表面的金属杂质随腐蚀层而进的金属络合离子的形态无关。加但对外延晶片即使反复清洗也。入清洗液中。用浓度为的一不会使》林颗粒增加据②由于清洗液中存在氧化膜或清洗液不断变化液温硅片表面近几年实验表明以前认为增加的清洗时发生氧化反应,生成氧化物的浓度在短时间内到达一恒定粒子其实是由腐蚀作用而形成的小、。。
8、一,的自由能的绝对值大的金属容易附值即达原子坑在进行颗粒测量时误将小坑也。、、。。一着在氧化膜
