《材料科学基础》总复习题

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1、《材料科学基础》复习题第1章原子结构与结合键一、选择题1、具有明显的方向性和饱和性。A、金属键B、共价键C、离子键2、以下各种结合键中，结合键能最大的是。A、离子键、共价键B、金属键C、分子键3、以下各种结合键中，结合键能最小的是。A、离子键、共价键B、金属键C、分子键4、以下关于结合键的性质与材料性能的关系中，是不正确的。A、具有同类型结合键的材料，结合键能越高，熔点也越高。B、具有离子键和共价键的材料，塑性较差。C、随着温度升高，金属中的正离子和原子本身振动的幅度加大，导电率和导热率都会增加。二、填空题1、构成陶

2、瓷化合物的两种元素的电负性差值越大，则化合物中离子键结合的比例。2、通常把平衡距离下的原子间的相互作用能量定义为原子的。3、材料的结合键决定其弹性模量的高低，氧化物陶瓷材料以键为主，结合键故其弹性模量；金属材料以键为主，结合键故其弹性模量；高分子材料的分子链上是键，分子链之间是键，故其弹性模量。第2章晶体结构（原子的规则排列）一、名词解释1、点阵2、晶胞3、配位数4、同素异晶转变5、组元6、固溶体7、置换固溶体8、间隙固溶体9、金属间化合物10、间隙相二、选择题1、体心立方晶胞中四面体间隙的rB/rA和致密度分别为A

3、0.414，0.68B0.225，0.68C0.291，0.682、晶体中配位数和致密度之间的关系是。A、配位数越大，致密度越大B、配位数越小，致密度越大C、两者之间无直接关系3、面心立方晶体结构的原子最密排晶向族为。A<100>B、<111>C、<110>94、立方晶系中，与晶面(011)垂直的晶向是。A[011]B[100]C[101]5、立方晶体中（110）和（211）面同属于晶带。A[101]B[100]C[111]6、金属的典型晶体结构有面心立方、体心立方和密排六方三种，它们的晶胞中原子数分别为：A、4；2

4、；6B、6；2；4D、2；4；66、室温下，纯铁的晶体结构为晶格。A、简单立方B、体心立立C、面心立方7、组成固溶体的两组元完全互溶的必要条件是。A、两组元的晶体结构相同B、两组元的原子半径相同C、两组元电负性相同8.若A、B两组元形成电子化合物，但是该化合物中A组元所占的质量分数超过了60%，则该相晶体结构。A.与A相同B.与B相同C.与A、B都不相同9.CsCl是有序体心立方结构，它属于。A体心立方点阵B面心立方点阵C简单立方点阵三、填空题1、面心立方结构的晶格常数为a，单位晶胞原子数为、原子半径为a，配位数为，

5、致密度为。2、体心立方结构的晶格常数为a，原子半径为a，配位数为，致密度为。3、下图中表示的晶向指数是，晶面指数是。4、绝大多数金属的晶体结构都属于、和三种典型的紧密结构。5、面心立方晶体的一个最密排面是，该面上的三个最密排方向分别为　　、、。6、合金中的基本相结构有和两类7、间隙相和间隙化合物主要受组元的因素控制。8、NaCl晶胞中Cl-离子作最紧密堆积，Na＋填充面体空隙的100%，以（001）面心的一个球（Cl-离子）为例，属于这个球的八面体空隙数为，所以属于这个球的四面体空隙数为，正负离子配位数为_____，

6、配位多面体之间共______连接，单个晶胞占有正负离子的数目为______。9、CsCl的复式点阵是由Cs+离子构成的点阵和Cl-离子构成的点阵套嵌而成。910、每个晶胞中的八面体间隙数量为：FCC个；BCC个；HCP个。11、六方紧密堆积的原子密排面是晶体中的面，原子面密度为，立方紧密堆积的原子密排面是晶体中的面，原子面密度为。12、影响置换固溶体溶解度大小的主要因素是（1）；（2）；（3）；（4）和环境因素。四、计算题作业题3，5，7，13第3章晶体缺陷（原子的不规则排列）一、名词解释1、点缺陷2、线缺陷3、面缺

7、陷4、亚晶粒5、亚晶界6、刃型位错7、柏氏矢量8、攀移9、滑移二、选择题1、下图中，2表示的点缺陷是。A、弗兰克尔空位B、肖脱基空位C、置换原子2、下图中，5表示的点缺陷是。A、弗兰克尔空位B、肖脱基空位C、复合空位93、位错运动方向处处垂直于位错线，在运动中是可变的，晶体做相对滑动的方向。A随位错线运动方向而改变B始终是柏氏矢量方向C垂直于柏氏矢量方向4、能进行交滑移的位错必然是。A刃位错B螺位错C混合位错三、填空题1、晶体缺陷按照其几何特征可将其分为、和三种类型。位错属于缺陷，分为位错、位错、位错三种类型。位错运

8、动的两种方式和3、对于刃型位错线，柏氏矢量于位错线，其滑移运动方向于柏氏矢量，其攀移运动方向于柏氏矢量，其滑移运动方向于柏氏矢量；对于螺旋位错线，柏氏矢量于位错线，其滑移运动方向于柏氏矢量，其交滑移运动方向于柏氏矢量；对于混合位错线，柏氏矢量于位错线，其滑移运动方向于柏氏矢量。5、晶界分为晶界和晶界两类。6、螺型位错的运动方式是只可，不可。四、