cmos工艺名词解释

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1、CMOS工艺名词解saliside——当金属和硅化物接触时会产生一层融合物，叫难融金属硅化物，此及saliside。siliside——一种工艺，在源漏区淀积（或是叫覆盖？）硅化物，这样一种工艺就叫siliside。poliside——也为一种工艺，乃在栅极poly上淀积硅化物。A.M.U原子质量数ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEI蚀科后检查Alignment排成一直线，对平Alloy融合：电压与电流成线性关系，降低接触的阻值ARC：anti-reflectcoating防反射层ASHER:一种干法刻蚀方式ASI光阻去除后检查Backs

2、ide晶片背面BacksideEtch背面蚀刻Beam-Current电子束电流BPSG:含有硼磷的硅玻璃Break中断，stepper机台内中途停止键Cassette装晶片的晶舟CD：criticaldimension关键性尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批Chip(die)晶粒CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖（机台）Coating涂布，光阻覆盖ContactHole接触窗ControlWafer控片Criticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defect缺陷DEP:deposit淀积Descum预处理D

3、eveloper显影液；显影（机台）Development显影DG:dualgate双门DIwater去离子水Diffusion扩散Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRC:designrulecheck设计规则检查DryClean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/R:etchrate蚀刻速率EE设备工程师EndPoint蚀刻终点ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损伤ET:etch蚀刻Exhaust排气（将管路中的空气排除）Exposure曝光FAB工厂FIB:focus

4、edionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层Flatness平坦度Focus焦距Foundry代工FSG:含有氟的硅玻璃Furnace炉管GOI:gateoxideintegrity门氧化层完整性H.M.D.SHexamethyldisilazane,经去水烘烤的晶片，将涂上一层增加光阻与晶片表面附着力的化合物，称H.M.D.SHCI:hotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体High-Voltage高压Hotbake烘烤ID辨认，鉴定Implant植入Layer层次LDD:lightlydo

5、peddrain轻掺杂漏Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOS:localoxidationofsilicon局部氧化Loop巡路Lot批Mask(reticle)光罩Merge合并MetalVia金属接触窗MFG制造部Mid-Current中电流Module部门NIT:Si3N4氮化硅Non-critical非重要NP:n-dopedplus(N+)N型重掺杂NW:n-dopedwellN阱OD:oxidedefinition定义氧化层OM:opticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线OverEtch过蚀刻O

6、verflow溢出Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度OX:SiO2二氧化硅P.R.Photoresisit光阻P1:poly多晶硅PA;passivation钝化层Parentlot母批Particle含尘量/微尘粒子PE:1.processengineer;2.plasmaenhance1、工艺工程师2、等离子体增强PH:photo黄光或微影Pilot实验的Plasma电浆Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物PORProcessofrecordPP:p-dopedplus(P+)P型重掺杂PR:photoresist光阻PVD物理气相淀积PW:p-

7、dopedwellP阱Queuetime等待时间R/C:runcard运作卡Recipe程式Release放行Resistance电阻Reticle光罩RF射频RM:remove.消除Rotation旋转RTA:rapidthermalanneal迅速热退火RTP:rapidthermalprocess迅速热处理SA:salicide硅化金属SAB:salicideblock硅化金属阻止区SAC:sacrificelayer牺牲层Scratch刮伤Selectivity选择比SEM：scanningelectronmicroscope扫描式电子显微镜