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1、3.5载流子的速度过冲(下冲)过程一、速度过冲过程概念*速度与电场的关系在低电场时,欧姆定律成立。V与E成正比在高电场时,欧姆定律不成立。(V=107)*速度过冲瞬态速度超过定态值的现象称为速度过冲.在电场E的作用下：导带电子受到的电场力为在F的作用下：导带电子获得的加速度为过冲原因分析：因散射等引起的速度变化为载流子的运动方程把电子由于附加势的作用而引起的状态改变称为受缺陷、杂质和晶格振动的散射。解微分方程得结论：1.场强一定,时间与速度成正比2.时间一定，定态漂移速度,随电场的增高而增大.3.与定态速度在强电场时将趋于一共同的饱和值矛盾经过足够长时间t>>τ,达到稳态以后，
2、电子的速度达到最大值:电子在单位电场作用下的定向运动速度，电子迁移率为弛豫时间：例:在强电场下,当漂移速度达到时,电子“温度”升高而成为热电子,电子与格波的散射频繁,使驰豫时间减短.设为指数衰减,即,于是有当t>>τm时,vd趋于定态值,(与E无关)产生速度过冲这种瞬态效应的实质，可以认为是由于在强电场下电子的动量驰豫时间τm很短所造成的。因为τm很短即意味着当电子进入高电场区时．其波矢将立刻增大，亦立刻获得定向的漂移速度；这时若电子的能量升高较慢(即能量弛豫时间τE较长),尚来不及被“加热”，则电子的平均热运动速度仍将停留在与晶格温度相适应的较低数值上．从而电子的平均自由时间
3、τ较长．迁移卒μ较高，漂移速度Vd很高，可以超过定态值，即速度过冲。所以，发生速度过冲的条件应当是：(1)电场很强；(2)τm<<τE半导体中载流子的动量弛豫时间一般不同于能量弛豫时间．这是由于在同一温度下，动量弛豫和能量弛豫可以通过不同的散射机构来进行，例如对高掺杂半导体。在较低温度下，动量弛豫主要是通过电离杂质散射进行，但能量弛豫只能通过各种声子散射进行。又如在声学声子散射决定动量弛豫的温度范围内．光学声子散射却可以决定着能量弛豫过程，因为光学声子有较大的能量，在能量弛豫中较为有效。可以说，速度过冲效应是动量很大、而能量(或电于温度)较低的非热电子在强电场作用下的—种瞬态输
4、运过程中的现象。在半导体器件中．电了从低电场区进入高电场区的开始瞬间，也会有这种瞬态现象。不仅电子从低电场区进入高电场区时有一瞬态过程．而且当电子从高电场区进入低电场区时也同样存在有一瞬态过程—速度下冲效应．即漂移速度低于相应定态值的现象。二、速度过冲效应在器件中的影响蒙特卡罗算法得到的速度过冲效应曲线GaAs要经过1PS秒左右,电子速度才稳定到与电场相应的定态值.GaAs电子速度可以过冲到其定态稳定值数倍以上.Si过冲的速度和达到定态值前所经历的时间小得多。GaAs要漂移过0.5μm左右,电子速度才稳定到与电场相应的定态值.GaAs电子速度可以过冲到其定态稳定值数倍以上.Si
5、过冲的速度和达到定态值前所漂移过的距离小得多。亚微米尺寸的GaAs和InP器件中,速度过冲效应是明显的.对Si器件,尺寸小至0.1μm也几乎不出现速度过冲效应.速度过冲与器件的几何尺寸有关图为不同材料的小尺寸器件栅极下有明显的速度过冲效应.GaAs-MESFET沟道中电子速度的分布降低工作温度和掺杂浓度,将有利于提高过冲速度.速度过冲与工作温度和材料的掺杂浓度有关三、关于计算方法的说明半导体中载流子的输运性质一般可用Bolzmann输运方程来描述Bolzmann输运方程三个假设:可以采用有效质量和能带模型;碰撞过程在空间和时间上都是短暂瞬时的散射与电场无关Bolzmann输运方
6、程求解方法近似解析法数值计算法微分方程法麦克斯韦分布函数法移位麦克斯韦分布函数法迭代法蒙特卡罗算法平衡方程法移位麦克斯韦分布函数法移位麦克斯韦分布函数是用移位麦克斯韦分布函数来描述载流子在动量空间的瞬态分布，也称为量子动力学方法.该方法较适合于高载流子浓度的情况，这时载流于间散射将是主要的弛豫机构，能量和动量弛豫都可以通过载流子间的散射来进行，这时载流子由电场所获得的动量在传递给晶格之前将先在载流子之间进行分配，所有载流子都将有一个共同的动量或一致的漂移速度vd。载流子作为整体可看成为—个相对独立的系统，它从电场获得一定的漂移速度,而在载流子系统内部则遵从麦克斯韦分布,但该分布
7、将在速度空间移位一个共同的Vd,因此,称为移位麦克斯韦分布函数.在抛物线能带情况下其形式为:在非抛物线能带情况下其形式为:总体蒙特卡罗算法用蒙特卡罗法来分析载流子的输运时,是考虑一个载流子在外电场作用下的不断加速和碰撞,在两次碰撞之间的加速过程遵从经典运动规律,而碰撞认为是一种随机事件,加速运动过程的长短、散射过程的类别和散射所引起的能量的变化，这些都由一个伪随机数发生器所给出的一些随机数来确定。通过该法模拟求得的是单个载流子的轨迹。而漂移速度、能量和其他一些定态量都可以把这个轨迹按时间进行
