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《光刻技术的发展与光刻胶的应用_穆启道》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。
1、一!疖市场综述集成患路光刻技术的发展与光刻胶的应用穆启道曹一立新:摘要本文根据超大规模集成电路光刻技术的不断发展对与之配套的光刻胶的不同要求、阐述了国内外光刻胶的现状、应用和发展状况等。:关键词光刻技术光刻胶应用发展1概述,、集)戊度增加4倍其特征尺寸则相作为微电r技术核心的集成电光显影后留下的部分对底层起保。,应缩小30%(具体见表1)路制作技术足电子工业最取要的基护作用然后采用超净高纯试剂进,础,其发展之快,更新之速,是行蚀刻并最终获得永久性的图形。进入九卜年代末以来集成电,一其它任何产业都无lJ比拟的。在图形转移中一般情沉卜需要进行路制作技术的竞争更为激烈发展
2、,。‘10多次光刻刁完成蚀刻的方式速度更为加快尤以美{l{和lJ本更电子化工材料足电子工业扫的能。_,,‘,、工。:el1999关键性基础化」材料电r工业的有多种其}湿法蚀刻足应用鼓J”为突出如美国的公司、。Pentium11Katmai发展要求电子化工材料与之同步发最简便的方法}(lJ紫外光刻胶在电年推{I}的芯j丫,,子、),尸e“tiumIllCpU芯片及超微公司推展不断的更新换代以适应其在丁:业的实际生”扫应川股广光一、。刻胶及蚀刻技术是实现微电户微细出的八MDK63芯片八MDK7芯片技术方而不同推陈出新的需要特.,,。采用的均是025仁m技术而别是集成电路
3、的制作过程中其微加工技术的关键工1tel二细加工过程中所需的关键性化工材公司J2001年第一季度推出:2国的Tualutin及NorthwoodCPU芯料上要包括光刻胶(光致抗蚀内外微电子技术现状及发.。、片采用的则均是013,。,技术在剂)超净高纯试剂(「艺化学展‘二,.品l)、,其21国IC生厂线的建设方11一i到2003年特种电子气体和塑封料外微电子技术现状及发,几中超净高纯试剂、光刻胶、特种电展初为止国际l己有超过十五个国、户气,自1958家建有160多条8时生产线共有体用于前T:)手环氧塑封料用年美囚首先研制成功集,于后工序。这些微电子化工材料约成电路起从
4、1971年以来相继推出7个国家建有20条12时生产线(具。,丫、、、、16M、体见表2)占工C材料总成本的20%其中超了性K16K256KIM4M,,、工ntel公净高纯试剂约占5%光刻胶约占64M256M不11IG的DRAM(动态存贮在研发方面美国的、、,、。司工BMAMD公司等正在进4%电护气体(纯气特气)约占器),并形成规模生产从集成电路公司.一,,。In5一6%,环氧,5%。制作技术的发展历史可以看出到行Q的厂艺技术的研发欧洲的塑封料约lJ’、、在IC微细加工过程中光刻工艺日前为止,国际上集成电路芯片的菲利浦意法半导体美国的摩托、.是IC生产的关键工艺,光刻
5、胶涂覆发展基本巨还是遵循GordonE罗拉巨积及日本的NEC均与台积,.,u班、,咖二。预言的摩尔定律即娜隔3年电达成伙伴关系共同开发009在半导体导体和绝缘体上经曝.一,a:aoann。。。s.E111i子彝一rnehenZOQ3年6月‘6白欢迎投稿一市场综述峪集盛惠胳工艺技术。韩国的三星己于2002年表1工C规模与光刻技术发展的关系.umZGFla,成功用0Og技术试产sh年代1986年1989年1992年1995年1998年20()I年2一)(,4年2(}()7年2()川年日本的NEC己十2001年成功研发出14M16M64M256Ml(子4G!6(王6‘4(
6、二IC集成度M_.0.095u,n的半导体工艺技术,而技术水平,“ml2(〕另050乡5。25018()13()l()(〕()7丁r子+、、可能采用的ggi】KrF+REfArlREI厂.+Rfl、线线线KSelete公司受13家半导体厂(NEC‘,、、、、iKflrl:PXI1二I〕I}三tJV光刻技术线Ar、、、厂1[》L1)1富七通日立索尼等)的委Krl松下1全l玉OW,,托计划总投资70亿日元在2005备i_仁;;子年之前开发出.0.lum岩气份)梁毙鑫默洽黑攀鬓躲。07um一线宽溯任为2绍son光刻技术;卿印L:为离子投影技术;Krl。(4〕l‘:193:
7、nl;光刻技术:rl‘”r二tjv:为超紫外技术:的半导体工艺技术舫:为〔5,I::157,l:,1:亡11)工呈日()W:为电J几束r干与技术为光刻技术〔臼RI:‘f:为光网增强技术:2.2国内微电子技术的现状及表2国际上8时以上集成电路生产线统计表·发展我国集成电路的研制开发始于}脚家及品圆尺寸I艺产品类别生产线,,地区〔时)(条)1965年与日本同时起步比韩国美国l2CM()S』)RAM、微处理器、微控制器l3早10年。现在我国已经有了双极(58CM()S逻辑、l)RJ协1、F肠咖、混倾、微控制器38以m、CMOS、2~3um、0.8一1.Zum、)】2C
